【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏电池领域，特别涉及一种太阳能电池片及其制备方法。
技术介绍
1、现有工艺中，经常出现电池片边缘el发暗的现象。专利技术人研究发现，硅片背面沉积氧化铝通常采用管式ald设备，铝舟一个槽放两片硅片，且两个硅片背靠背插片，因此在沉积过程中，氧化铝会绕镀到正面的边缘。丝网印刷浆料、烧结时，因浆料对氧化铝的穿透能力弱，从而导致太阳能电池片边缘el发暗。
2、有鉴于此，有必要提供一种改进的太阳能电池片及其制备方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题之一，本专利技术提供一种太阳能电池片及其制备方法，具体采用如下技术方案：
2、一种太阳能电池片，其正面形成有发射极，所述发射极在正面边缘区域的掺杂程度大于所述发射极在正面中部区域的掺杂程度。
3、进一步地，所述掺杂程度包括掺杂浓度、掺杂深度、对硅片方阻的改变量中的至少一个。
4、进一步地，所述边缘区域的部分发射极与所述中部区域的至少部分发射极的掺杂程度相同，所述边缘区域的另部分发射极的掺杂程度大于所述中部区域的发射极的掺杂程度。
5、进一步地，所述发射极为选择性发射极，所述选择性发射极包括：
6、轻掺杂区，位于正面的非金属化区域；
7、重掺杂区，位于正面的金属化区域，所述重掺杂区包括位于所述边缘区域的边缘掺杂区、位于所述中部区域的中部掺杂区，所述边缘掺杂区的掺杂程度大于中部掺杂区的掺杂程度。
8、进一步地，所述边缘掺
9、进一步地，所述边缘掺杂区的结深为0.26μm～0.30μm，所述中部掺杂区的结深为0.20μm～0.24μm。
10、进一步地，所述太阳能电池片包括沿第一方向排布的若干重掺杂区，所述重掺杂区沿与第一方向垂直的第二方向延伸；其中，所述边缘掺杂区包括在第一方向上靠近所述太阳能电池片边缘的2～4条重掺杂区、其他重掺杂区在第二方向上的端部。
11、进一步地，所述边缘区域的宽度为1cm～2.5cm；或，所述太阳能电池片正面的边缘具有绕镀的氧化铝，所述边缘区域的宽度不小于所述氧化铝的宽度。
12、一种太阳能电池片的制备方法，包括：在硅片的正面进行掺杂，其中边缘区域的掺杂程度大于中部区域的掺杂程度。
13、进一步地，所述掺杂程度包括掺杂浓度、掺杂深度、对硅片方阻的改变量中的至少一个。
14、进一步地，所述边缘区域的宽度为1cm～2.5cm。
15、进一步地，所述的太阳能电池片的制备方法包括如下步骤：
16、在硅片正面进行扩散；
17、在硅片边缘区域的金属化区域进行第一激光掺杂，形成边缘掺杂区；
18、在硅片中部区域的金属化区域进行第二激光掺杂，形成中部掺杂区，所述边缘掺杂区的掺杂程度大于中部掺杂区的掺杂程度。
19、进一步地，所述第一激光的功率大于所述第二激光的功率；
20、或，所述第一激光功率为45w±5w，所述第二激光功率为32w±5w。
21、进一步地，所述第一激光的波长为530nm，激光功率为45w±5w，激光光斑为85μm～100μm，激光照射频率为400khz～500khz，激光扫描速度为40000mm
22、/s～60000mm/s，扫描时间为0.8s～1.0s；
23、所述第二激光的波长为530，激光功率为32w±5w，激光光斑为85μm～100μm，激光照射频率为300khz～400khz，激光扫描速度为20000mm/s～40000m/s，扫描时间为0.4s～0.6s。
24、进一步地，所述硅片包括沿第一方向排布的若干所述金属化区域，所述金属化区域沿与第一方向垂直的第二方向延伸；边缘区域的金属化区域包括在第一方向上靠近所述硅片边缘的2～4条金属化区域、其他金属化区域在第二方向上的端部。
25、进一步地，所述边缘掺杂区的方阻为70ω/sq±10ω/sq，所述中部掺杂区的方阻为90ω/sq±10ω/sq；和/或，所述边缘掺杂区的结深为0.26μm～0.30μm，所述中部掺杂区的结深为0.20μm～0.24μm。
26、进一步地，所述太阳能电池片的制备方法还包括如下步骤：在硅片正面进行扩散；
27、对硅片边缘区域的至少部分位置进行激光掺杂。
28、进一步地，激光掺杂的参数为所述第一激光的波长为530nm，激光功率为45w±5w，激光光斑为85μm～100μm，激光照射频率为400khz～500khz，激光扫描速度为40000mm。
29、进一步地，所述太阳能电池片的制备方法还包括如下步骤：对硅片的中部区域的至少一部分进行激光掺杂，边缘区域的激光掺杂的功率大于中部区域的激光掺杂的功率。
30、本专利技术的有益效果：本专利技术太阳能电池片及其制备方法，通过提高边缘区域的掺杂程度，降低了硅片边缘的方阻，且边缘区域更容易与栅线浆料中的玻璃粉反应，相对可以降低或弥补背面沉积氧化铝时在正面绕镀形成的氧化铝对栅线浆料与硅片接触的影响，降低太阳能电池片的边缘el不良率。
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1.一种太阳能电池片，其正面形成有发射极，其特征在于，所述发射极在正面边缘区域的掺杂程度大于所述发射极在正面中部区域的掺杂程度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述掺杂程度包括掺杂浓度、掺杂深度、对硅片方阻的改变量中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述边缘区域的部分发射极与所述中部区域的至少部分发射极的掺杂程度相同，所述边缘区域的另部分发射极的掺杂程度大于所述中部区域的发射极的掺杂程度。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的太阳能电池片，其特征在于，所述发射极为选择性发射极，所述选择性发射极包括：
5.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于，所述边缘掺杂区的方阻为70Ω/sq±10Ω/sq，所述中部掺杂区的方阻为90Ω/sq±10Ω/sq。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于，所述边缘掺杂区的结深为0.26μm～0.30μm，所述中部掺杂区的结深为0.20μm～0.24μm。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电
8.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述边缘区域的宽度为1cm～2.5cm；
9.一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括：在硅片的正面进行掺杂，其中边缘区域的掺杂程度大于中部区域的掺杂程度。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述掺杂程度包括掺杂浓度、掺杂深度、对硅片方阻的改变量中的至少一个。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述边缘区域的宽度为1cm～2.5cm。
12.根据权利要求9～11中任意一项所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
13.根据权利要求12所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述第一激光的功率大于所述第二激光的功率；
14.根据权利要求12所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述第一激光的波长为530nm，激光功率为45W±5W，激光光斑为85μm～100μm，激光照射频率为400KHZ～500KHZ，激光扫描速度为40000mm/s～60000mm/s，扫描时间为0.8s～1.0s；
15.根据权利要求12所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述硅片包括沿第一方向排布的若干所述金属化区域，所述金属化区域沿与第一方向垂直的第二方向延伸；边缘区域的金属化区域包括在第一方向上靠近所述硅片边缘的2～4条金属化区域、其他金属化区域在第二方向上的端部。
16.根据权利要求12所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述边缘掺杂区的方阻为70Ω/sq±10Ω/sq，所述中部掺杂区的方阻为90Ω/sq±10Ω/sq；
17.根据权利要求9～11任意一项所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
18.根据权利要求17所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，激光掺杂的参数为所述第一激光的波长为530nm，激光功率为45W±5W，激光光斑为85μm～100μm，激光照射频率为400KHZ～500KHZ，激光扫描速度为40000mm。
19.根据权利要求17所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对硅片的中部区域的至少一部分进行激光掺杂，边缘区域的激光掺杂的功率大于中部区域的激光掺杂的功率。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片，其正面形成有发射极，其特征在于，所述发射极在正面边缘区域的掺杂程度大于所述发射极在正面中部区域的掺杂程度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述掺杂程度包括掺杂浓度、掺杂深度、对硅片方阻的改变量中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述边缘区域的部分发射极与所述中部区域的至少部分发射极的掺杂程度相同，所述边缘区域的另部分发射极的掺杂程度大于所述中部区域的发射极的掺杂程度。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的太阳能电池片，其特征在于，所述发射极为选择性发射极，所述选择性发射极包括：
5.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于，所述边缘掺杂区的方阻为70ω/sq±10ω/sq，所述中部掺杂区的方阻为90ω/sq±10ω/sq。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于，所述边缘掺杂区的结深为0.26μm～0.30μm，所述中部掺杂区的结深为0.20μm～0.24μm。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包括沿第一方向排布的若干重掺杂区，所述重掺杂区沿与第一方向垂直的第二方向延伸；其中，所述边缘掺杂区包括在第一方向上靠近所述太阳能电池片边缘的2～4条重掺杂区、其他重掺杂区在第二方向上的端部。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述边缘区域的宽度为1cm～2.5cm；
9.一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括：在硅片的正面进行掺杂，其中边缘区域的掺杂程度大于中部区域的掺杂程度。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述掺杂程度包括掺杂浓度、掺杂深度、对硅片方阻的改变量中的至少一个。
11.根据权利要求9所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘恩华，冯帅臣，刘昌杰，郑仁响，
申请(专利权)人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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