【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体激光器的，尤其涉及一种eml激光器及空气桥的制备方法。
技术介绍
1、光通信作为一种新型技术产业迅速发展起来，在人们不断增长的需求和日益进步的技术的双重推动下，已逐步成为信息技术和现代社会的根本基础。近年来随着ai技术的发展，对数据中心的速率要求越来越高。eml作为数据中心高速光模块的核心器件，eml的带宽提高成为各大光通信芯片厂商的追逐目标，但是eml激光器波导电极与pad电极之间的连接金属寄生电容过大，限制了eml激光器的发展。
2、专利公开号cn 115967012a公开了一种半导体激光器结构的制备方法，包括s1，生长一次外延结构；s2，在一次外延结构上二次外延制作光栅；s3，接着在光栅层上生长第一掩膜层，并制作脊波导，脊波导的中间脊宽大于两端脊宽；s4，再利用光刻保护脊波导的两端，腐蚀中间区域至一次外延结构的衬底，形成两个膨大腔室；s5，去掉第一掩膜层，并重新生长第二掩膜层，第二掩膜层覆盖剩下的脊波导和两个膨大腔室的表面；s6，涂bcb或者聚酰亚胺，进行曝光和显影，使bcb仅填充于两个膨大腔室中；s7，重新生长第三掩膜层，使其包裹bcb和脊波导；s8，得到半导体激光器。该专利通过在波导双沟里面填充pi或者bcb降低器件电容。但是，双沟填充pi或者bcb增加工序难度，且pi或者bcb会影响芯片可靠性。
技术实现思路
1、针对eml激光器波导电极与pad电极之间的连接金属寄生电容过大的技术问题，本专利技术提出一种eml激光器及空气桥的制备方法，与
2、为了达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
3、一种eml激光器空气桥的制备方法，包括以下步骤：
4、(1)在晶圆上制备外延结构，外延结构顶部为欧姆接触层，在欧姆接触层上方制备掩膜层；
5、(2)在掩膜层上方涂覆光刻胶，采用光刻技术在光刻胶上制备脊波导图形，然后干法刻蚀脊波导图形中脊波导两侧双沟上方的掩模层并去胶；
6、(3)采用干法刻蚀欧姆接触层，在脊波导两侧形成浅沟；
7、(4)湿法刻蚀晶圆上剩余的掩膜层；
8、(5)在晶圆表面涂覆光刻胶，采用光刻技术在浅沟中形成桥墩；
9、(6)在晶圆表面制备介质膜，在介质膜上方涂覆光刻胶，采用光刻技术在光刻胶上制备桥梁图形，桥梁图形覆盖桥墩区域，采用干法刻蚀介质膜，形成桥梁，去除桥梁上方及形成桥墩的光刻胶；
10、(7)湿法刻蚀外延层，形成脊波导。
11、所述外延层包括腐蚀停止层和inp层，inp层上方为欧姆接触层；所述腐蚀停止层的材料为ingaasp。
12、所述掩膜层采用气相沉积制备，掩膜层的材料为sio2或sinx。
13、所述掩模层厚度不小于100nm。
14、所述步骤(2)和(6)中干法刻蚀的刻蚀气源为chf3和ar。
15、所述欧姆接触层的材料为ingaas，所述步骤(3)中干法刻蚀的刻蚀气源为cl2、ch4、h2，刻蚀去除未被掩模层覆盖的欧姆接触层。
16、所述步骤(3)中刻蚀欧姆接触层时刻蚀部分inp层，inp层的刻蚀深度不大于200nm；优选的，inp层的刻蚀深度50-150nm。
17、所述步骤(4)中湿法刻蚀所用的刻蚀液为boe溶液。
18、所述介质膜采用气相沉积制备，掩膜层的材料为sio2、sinx或者sinox。
19、所述步骤(7)中湿法腐蚀的刻蚀液为hcl和h3po4的混合液。
20、一种eml激光器，包括衬底、外延层和介质膜桥梁，外延层上设有脊条，脊条为双沟结构，介质膜桥梁覆盖在双沟上。
21、本专利技术的有益效果：本专利技术先浅刻蚀形成双沟结构，然后通过光刻和icpcvd低温生长制备介质膜桥梁，并通过湿法腐蚀到ingaasp腐蚀停止层。本专利技术避免了深沟涂胶平坦化问题，可以先在浅沟中很容易的涂胶平坦化形成桥墩图形，并进一步形成介质膜桥梁。本专利技术方法在波导电极与pad电极之间的连接金属处搭建介质膜桥梁，利用空气的低介电常数特性，并大幅增加金属与量子阱之间的距离，降低eml的寄生电容，提高带宽。
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1.一种EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述外延层包括腐蚀停止层和InP层，InP层上方为欧姆接触层；所述腐蚀停止层的材料为InGaAsP。
3.根据权利要求2所述的EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述掩膜层采用气相沉积制备，掩膜层的材料为SiO2或SiNx。
4.根据权利要求3所述的EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)和(6)中干法刻蚀的刻蚀气源为CHF3和Ar。
5.根据权利要求2所述的EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述欧姆接触层的材料为InGaAs，所述步骤(3)中干法刻蚀的刻蚀气源为Cl2、CH4、H2，刻蚀去除未被掩模层覆盖的欧姆接触层。
6.根据权利要求5所述的EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中刻蚀欧姆接触层时刻蚀部分InP层，InP层的刻蚀深度不大于200nm。
7.根据权利要求6所述的EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述步骤(4
8.根据权利要求7所述的EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述介质膜采用气相沉积制备，掩膜层的材料为SiO2、SiNx或者SiNOx。
9.根据权利要求8所述的EML激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述步骤(7)中湿法腐蚀的刻蚀液为HCl和H3PO4的混合液。
10.一种EML激光器，其特征在于，包括衬底、外延层和介质膜桥梁，外延层上设有脊条，脊条为双沟结构，介质膜桥梁覆盖在双沟上。
...【技术特征摘要】
1.一种eml激光器空气桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的eml激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述外延层包括腐蚀停止层和inp层，inp层上方为欧姆接触层；所述腐蚀停止层的材料为ingaasp。
3.根据权利要求2所述的eml激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述掩膜层采用气相沉积制备，掩膜层的材料为sio2或sinx。
4.根据权利要求3所述的eml激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)和(6)中干法刻蚀的刻蚀气源为chf3和ar。
5.根据权利要求2所述的eml激光器空气桥的制备方法，其特征在于，所述欧姆接触层的材料为ingaas，所述步骤(3)中干法刻蚀的刻蚀气源为cl2、ch4、h2，刻蚀去除未被掩模层覆盖的欧姆接触层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志峰，徐林海，佘朋辉，章力明，
申请(专利权)人：河南仕佳光子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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