【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固态硬盘，尤其涉及一种提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、ssd，solid-state drive，中文含义为固态硬盘。qlc，quad-level cell，中文含义是四层存储单元。
2、目前ssd的qlc flash通常需要两次编程写入，且同一个位置两次编程的数据必须完全一致，因此raidparity也需要两次计算和写入。
3、现有方案在qlc第二次编程时冗余的raid parity计算会导致qlc写性能下降。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法、装置、设备及介质，旨在解决提升固态硬盘的qlc写性能问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法，其包括：
3、获取dramless qlc ssd的raid parity；
4、将所述raid parity第一次编程写入到所述dramless qlc ssd中；
5、将所述raid parity暂存到预设的缓存区域中；
6、从所述缓存区域中提取所述raid parity，将所述raid parity第二次编程写入到所述dramless qlc ssd中。
7、其进一步的技术方案为，所述获取dramless qlc ssd的raid
8、通过预设的算法计算所述dramless qlc ssd的raid parity。
9、其进一步的技术方案为，所述将所述raid parity第一次编程写入到所述dramless qlc ssd中，包括：
10、将所述raid parity第一次编程写入到所述dramless qlc ssd中的预设的目标存储区域中。
11、其进一步的技术方案为，所述将所述raid parity暂存到预设的缓存区域中，包括：
12、将所述raid parity暂存到hmb中。
13、其进一步的技术方案为，所述从所述缓存区域中提取所述raid parity，包括：
14、从所述hmb中提取所述raid parity。
15、其进一步的技术方案为，所述将所述raid parity第二次编程写入到所述dramless qlc ssd中，包括：
16、将所述raid parity第二次编程写入到所述dramless qlc ssd中的预设的目标存储区域中。
17、其进一步的技术方案为，所述将所述raid parity第二次编程写入到所述dramless qlc ssd中之后，所述方法还包括：
18、将所述raid parity从所述缓存区域中清除。
19、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种提升dramless qlc ssd使能raid写性能的装置，其包括用于执行上述方法的单元。
20、第三方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机设备，其包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法。
21、第四方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序当被处理器执行时可实现上述方法。
22、本专利技术实施例提供了一种提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法、装置、设备及介质。其中，所述方法包括：获取dramless qlc ssd的raid parity；将所述raidparity第一次编程写入到所述dramless qlc ssd中；将所述raid parity暂存到预设的缓存区域中；从所述缓存区域中提取所述raid parity，将所述raid parity第二次编程写入到所述dramless qlc ssd中。通过将所述raid parity暂存到预设的缓存区域中，从而在第二次写入时无需重复计算raid parity，可以直接从缓存区域中提取所述raid parity，降低了计算资源的占用，且极大地提高了效率，从而提升了dramless qlc ssd使能raid的写性能。
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1.一种提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法，其特征在于，所述获取Dramless QLC SSD的RAID parity，包括：
3.根据权利要求1所述的提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法，其特征在于，所述将所述RAID parity第一次编程写入到所述Dramless QLC SSD中，包括：
4.根据权利要求1所述的提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法，其特征在于，所述将所述RAID parity暂存到预设的缓存区域中，包括：
5.根据权利要求4所述的提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法，其特征在于，所述从所述缓存区域中提取所述RAID parity，包括：
6.根据权利要求3所述的提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法，其特征在于，所述将所述RAID parity第二次编程写入到所述Dram
7.根据权利要求1所述的提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法，其特征在于，所述将所述RAID parity第二次编程写入到所述Dramless QLC SSD中之后，所述方法还包括：
8.一种提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的装置，其特征在于，包括用于执行如权利要求1-7任一项所述方法的单元。
9.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序当被处理器执行时可实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法，其特征在于，所述获取dramless qlc ssd的raid parity，包括：
3.根据权利要求1所述的提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法，其特征在于，所述将所述raid parity第一次编程写入到所述dramless qlc ssd中，包括：
4.根据权利要求1所述的提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法，其特征在于，所述将所述raid parity暂存到预设的缓存区域中，包括：
5.根据权利要求4所述的提升dramless qlc ssd使能raid写性能的方法，其特征在于，所述从所述缓存区域中提取所述raid parity，包括：
6.根据权利要求3所述的提升d...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪浩，李建，王孜顺，
申请(专利权)人：苏州忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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