【技术实现步骤摘要】
所属的技术人员知道，本申请可以实现为系统、方法或计算机程序产品。因此，本公开可以具体实现为以下形式，即：可以是完全的硬件、也可以是完全的软件(包括固件、驻留软件、微代码等)，还可以是硬件和软件结合的形式，本文一般称为“电路”、“模块”或“系统”。此外，在一些实施例中，本申请还可以实现为在一个或多个计算机可读介质中的计算机程序产品的形式，该计算机可读介质中包含计算机可读的程序代码。可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是一一但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(ram),只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本文件中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。在此基础上，可以对本申请进行多种替换和改进，这些均落入本申请的保护范围内。
技术介绍
1、现存浪涌电压抑制电路，在输入端开启后输出迅速建立
技术实现思路
1、本申请提供了一种电压抑制电路，用以实现浪涌电流抑制的功能。
2、本申请提供了一种电压抑制电路，包括第一mos管q1，boost升压电路以及倍压电路，其中，
3、所述第一mos管q1的d端与电压输入端电连接，所述第一mos管q1的s端与电压输出端电连接；
4、所述倍压电路的第一端与所述电压输入端电连接，所述倍压电路的第二端与所述第一mos管q1的g端电连接；
5、所述boost升压电路的第一端与所述第一mos管q1的s端电连接，所述boost升压电路的第二端与所述电压输入端电连接。
6、在上述技术方案中，通过设置第一mos管q1，boost升压电路以及倍压电路，其中，所述第一mos管q1的d端与电压输入端电连接，所述第一mos管q1的s端与电压输出端电连接；所述倍压电路的第一端与所述电压输入端电连接，所述倍压电路的第二端与所述第一mos管q1的g端电连接；所述boost升压电路的第一端与所述第一mos管q1的s端电连接，所述boost升压电路的第二端与所述电压输入端电连接。所述电压抑制电路在上电后，通过缓慢建立所述第一mos管q1的栅极电路，实现了浪涌电流的抑制功能。
7、在一个具体可实施方案中，所述倍压电路包括第七mos管q7，其中，
8、所述第七mos管q7的d端通过第七电阻r7与所述第一mos管q1的g端电连接；
9、所述第七mos管q7的g端与第九电容c9的第一电容板电连接，所述第九电容c9的第二电容板与电压输入端电连接；
10、所述第七mos管q7的s端接地。
11、在一个具体可实施方案中，所述倍压电路包括整流单元和滤波单元，其中，
12、所述第九电容c9的第一电容板依次通过所述整流单元和所述滤波单元与所述第七mos管q7的g端电连接。
13、在一个具体可实施方案中，所述整流单元包括场效应管q8，其中，
14、所述场效应管q8的第一端与所述第九电容c9的第一电容板电连接；
15、所述场效应管q8的第二端与所述第七mos管q7的g端电连接；
16、所述场效应管q8的第三端接地。
17、在一个具体可实施方案中，所述滤波单元包括并联的第八电容c8和第十六电阻r16，其中，
18、所述第八电容c8的第一电容板与所述第七mos管q7的g端电连接，所述第八电容c8的第二电容板接地；
19、所述第十六电阻r16的第一端与所述第七mos管q7的g端电连接，所述第十六电阻r16的第二端接地。
20、在一个具体可实施方案中，所述倍压电路包括第十五电阻r15，其中，
21、所述第十五电阻r15的第一端与所述第七mos管q7的s端电连接，
22、所述第十五电阻r15的第二端接地。
23、在一个具体可实施方案中，所述第七mos管q7为耗尽型nmos管。
24、在一个具体可实施方案中，还包括稳压电路，所述稳压电路电连接于所述第七电阻r7和所述第一mos管q1的g端之间的公共连接端。
25、在一个具体可实施方案中，还包括线性供电电路和方波产生电路，其中，
26、所述线性供电电路的第一端与所述电压输入端电连接，所述线性供电电路的第二端与所述方波产生电路的第一端电连接；
27、所述方波产生电路的第二端与所述第九电容c9的第二电容板电连接。
28、在一个具体可实施方案中，还包括第一二极管d1，其中，
29、所述第一二极管d1的导通端与所述第一mos管q1的s端电连接，
30、所述第一二极管d1的截止端与所述boost升压电路的第一端电连接。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电压抑制电路，其特征在于，包括第一MOS管Q1，BOOST升压电路以及倍压电路，其中，
2.根据权利要求1所述的电压抑制电路，其特征在于，所述倍压电路包括第七MOS管Q7，其中，
3.根据权利要求2所述的电压抑制电路，其特征在于，所述倍压电路包括整流单元和滤波单元，其中，
4.根据权利要求3所述的电压抑制电路，其特征在于，所述整流单元包括场效应管Q8，其中，
5.根据权利要求4所述的电压抑制电路，其特征在于，所述滤波单元包括并联的第八电容C8和第十六电阻R16，其中，
6.根据权利要求5所述的电压抑制电路，其特征在于，所述倍压电路包括第十五电阻R15，其中，
7.根据权利要求6所述的电压抑制电路，其特征在于，所述第七MOS管Q7为耗尽型NMOS管。
8.根据权利要求2～7任一项所述的电压抑制电路，其特征在于，还包括稳压电路，所述稳压电路电连接于所述第七电阻R7和所述第一MOS管Q1的G端之间的公共连接端。
9.根据权利要求2～7任一项所述的电压抑制电路，其特征在于，还包括线性供
10.根据权利要求1～7任一项所述的电压抑制电路，其特征在于，还包括第一二极管D1，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种电压抑制电路，其特征在于，包括第一mos管q1，boost升压电路以及倍压电路，其中，
2.根据权利要求1所述的电压抑制电路，其特征在于，所述倍压电路包括第七mos管q7，其中，
3.根据权利要求2所述的电压抑制电路，其特征在于，所述倍压电路包括整流单元和滤波单元，其中，
4.根据权利要求3所述的电压抑制电路，其特征在于，所述整流单元包括场效应管q8，其中，
5.根据权利要求4所述的电压抑制电路，其特征在于，所述滤波单元包括并联的第八电容c8和第十六电阻r16，其中，
6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李稳坡，韦美卓，杨宏冀，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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