【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶生产，更具体地说，本技术涉及一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器。
技术介绍
1、单晶硅是现代半导体产业基础材料，在国民经济中占有重要地位。单晶硅生长以石英砂为原料，地壳中含有丰富的硅元素，硅的自然丰度仅次于氧，经焦炭碳还原以及其他化学提纯方法将硅的纯度提高至小数点后8个“9”后，再通过直拉法或区熔法拉制直拉单晶硅棒以生产半导体级单晶硅，再通过切片、淹没、抛光、清洗等工序获得半导体单晶硅片。
2、目前，单晶硅的制备主要采用直拉法。直拉法是将多晶硅料置于单晶炉中，通过高温加热的方式，将温度升至1420℃以上使多晶硅料融化，然后再经引晶、缩颈、放肩、等径、收尾等一系列工序完成硅单晶体的生长。采用直拉法生长出的单晶硅中的杂质分布较为均匀、具有较高的机械强度、以及较强的内吸杂能力，使得其在电子器件及集成电路中能够被广泛应用。
3、单晶炉使用的热场包括主加热器和底加热器，目前单晶炉的底加热器采用等静压石墨工艺，多用串联结构，整体高度相同。
4、然而，由于底加热器分为脚板与发热区两部分，脚板与电极相接处，通过电流较大，底加脚板处横截面积大，底加发热区为保证发热面积，控制目标电阻，发热区为直径较小的发热条，相对底加发热区与底加脚板连接处横截面面积而言，电流通过底加脚板走向底加发热区时横截面积骤缩，局部电阻较大，电压、电流不变，电阻大则发热高，增加了底加热器局部热腐蚀，影响底加热器使用寿命，因此，现提出一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器。
技术实
1、为了克服现有技术的上述缺陷，本技术提供一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器，通过增加底加热器脚板厚度、底加热器脚板与发热器连接处厚度。通过梯形斜口逐步过渡，改善局部电阻局部增大导致的温度升高，降低高温对底加连接处的热腐蚀，增加厚度，提高底加机械强度，缓解气流对底加热器的冲刷，有效提升使用寿命，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器，包括底加发热区、底加脚板以及连接块，所述底加发热区两侧均分别通过连接块连接有底加脚板。
3、优选地，所述底加发热区包括加热环和加热盘，所述加热环两侧以加热环中心呈中心对称焊接有加热盘，所述加热环呈环装，加热盘呈s型结构，所述加热盘与加热环连接形成发热条。
4、优选地，所述底加脚板上开设有连接孔，所述连接孔用于与单晶炉内的电极相接。
5、优选地，所述连接块呈梯形结构，且连接块截面尺寸大的一端与底加脚板连接，连接块截面尺寸小的一端与加热盘一端连接。
6、优选地，所述底加脚板的横截面积大于发热条的横截面积。
7、优选地，所述底加脚板的横截面积大于发热条的横截面积，所述底加脚板的截面通过连接块与发热条的截面平滑相接。
8、本技术的有益效果：
9、本技术通过增加底加热器脚板厚度、底加热器脚板与发热器连接处厚度，通过梯形斜口逐步过渡，改善局部电阻局部增大导致的温度升高，降低高温对底加连接处的热腐蚀；增加厚度，提高底加机械强度，缓解气流对底加热器的冲刷，有效提升使用寿命。
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1.一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器，包括底加发热区（1）、底加脚板（2）以及连接块（3），其特征在于：所述底加发热区（1）两侧均分别通过连接块（3）连接有底加脚板（2）；
2.根据权利要求1所述的一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器，其特征在于：所述底加发热区（1）包括加热环和加热盘，所述加热环两侧以加热环中心呈中心对称焊接有加热盘，所述加热环呈环装，加热盘呈S型结构，所述加热盘与加热环连接形成发热条。
3.根据权利要求1所述的一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器，其特征在于：所述底加脚板（2）上开设有连接孔，所述连接孔用于与单晶炉内的电极相接。
4.根据权利要求1所述的一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器，其特征在于：所述底加脚板（2）的横截面积大于发热条的横截面积，所述底加脚板（2）的截面通过连接块（3）与发热条的截面平滑相接。
【技术特征摘要】
1.一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器，包括底加发热区（1）、底加脚板（2）以及连接块（3），其特征在于：所述底加发热区（1）两侧均分别通过连接块（3）连接有底加脚板（2）；
2.根据权利要求1所述的一种具有减缓腐蚀功能的直拉法单晶生产用底加热器，其特征在于：所述底加发热区（1）包括加热环和加热盘，所述加热环两侧以加热环中心呈中心对称焊接有加热盘，所述加热环呈环装，加热盘呈s型结构，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李亮亮，王建利，郭嘉伟，董智慧，
申请(专利权)人：乌海市京运通新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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