【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种电性结构及其制备方法。特别是有关于一种包括一电性接触点的电性结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体结构使用在各种电子应用中，并且半导体结构的尺寸不断缩小以满足当前的应用要求。然而，在尺寸缩小期间会出现各种问题，并影响最终的电子特性、品质、成本以及良率。典型的存储器元件(例如动态随机存取存储器(dram)元件)包括用于将不同元件进行电性互连的电性接触点。电性接触点的轮廓是个关键问题，因为其影响接触电阻以及电子电流传输速度。
2、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种电性结构，包括一基底、一第一绝缘层、一第二绝缘层以及一电性接触点。该第一绝缘层设置在该基底的一第一表面上并界定一第一穿孔以延伸经过该第一绝缘层。该第一穿孔具有一第一宽度。该第二绝缘层设置在该第一绝缘层上并界定一第二穿孔以延伸经过该第二绝缘层。该第二穿孔具有一第二宽度。该第一宽度与该第二宽度之间的一差值小于该第一宽度的十分之一。该电性接触点设置在该第一穿孔与该第二穿孔中，并电性连接到该基底的该第一表面。
2、本公开的另一实施例提供一种电性结构的制备方法。该制备方法包括提供一堆叠结构，该堆叠结构包括相互堆叠一基底、一第一绝缘层以及一第二绝缘层。该制备方法亦包括形成一第一孔洞结构以延伸经过该第一绝缘层与该第二绝缘层并暴露
3、本公开借由使用超稀氢氟酸(hf)形成具有一改善轮廓的一电性接触点。
4、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种电性结构，包括：
2.如权利要求1所述的电性结构，其中该第一穿孔与该第二穿孔连通。
3.如权利要求1所述的电性结构，其中该电性接触点是一整体结构。
4.如权利要求1所述的电性结构，还包括设置在该基底上的一第一金属氧化物半导体晶体管以及一第二金属氧化物半导体晶体管，其中该电性接触点设置在该第一金属氧化物半导体晶体管与该第二金属氧化物半导体晶体管之间。
5.如权利要求4所述的电性结构，其中该电性接触点电性连接该第一金属氧化物半导体晶体管及/或该第二金属氧化物半导体晶体管的一电极。
6.如权利要求1所述的电性结构，其中该第二绝缘层的一材料不同于该第一绝缘层的一材料。
7.如权利要求1所述的电性结构，其中该凹陷部与该第一穿孔连通，且该电性接触点还设置在该凹陷部中。
8.如权利要求7所述的电性结构，其中该基底包括一低电阻层，且该低电阻层设置于该凹陷部的一底壁上。
9.如权利要求8所述的电性结构，其中该基底包括硅，以及该低电阻层包括二硅化钴(CoSi2)。
10.一种电性结构的
11.如权利要求10所述的制备方法，其中该堆叠结构更包括设置在该基底上的一第一金属氧化物半导体晶体管以及一第二金属氧化物半导体晶体管，其中该第一孔洞结构设置在该第一金属氧化物半导体晶体管与该第二金属氧化物半导体晶体管之间。
12.如权利要求10所述的制备方法，其中该第一孔洞结构延伸进入该基底。
13.如权利要求10所述的制备方法，其中该重量比为1800∶1到2200∶1。
14.如权利要求10所述的制备方法，其中该第二孔洞结构包括延伸经过该第一绝缘层的一第一穿孔与延伸经过该第二绝缘层的一第二穿孔，其中该第一穿孔具有一第一宽度，该第二穿孔具有一第二宽度，且该第一宽度与该第二宽度之间的一差值小于该第一宽度的十分之一。
15.如权利要求10所述的制备方法，其中在清洗该基底暴露的该部分之后，该制备方法还包括：
16.如权利要求15所述的制备方法，其中该低电阻层以溅镀钴来形成。
...【技术特征摘要】
1.一种电性结构，包括：
2.如权利要求1所述的电性结构，其中该第一穿孔与该第二穿孔连通。
3.如权利要求1所述的电性结构，其中该电性接触点是一整体结构。
4.如权利要求1所述的电性结构，还包括设置在该基底上的一第一金属氧化物半导体晶体管以及一第二金属氧化物半导体晶体管，其中该电性接触点设置在该第一金属氧化物半导体晶体管与该第二金属氧化物半导体晶体管之间。
5.如权利要求4所述的电性结构，其中该电性接触点电性连接该第一金属氧化物半导体晶体管及/或该第二金属氧化物半导体晶体管的一电极。
6.如权利要求1所述的电性结构，其中该第二绝缘层的一材料不同于该第一绝缘层的一材料。
7.如权利要求1所述的电性结构，其中该凹陷部与该第一穿孔连通，且该电性接触点还设置在该凹陷部中。
8.如权利要求7所述的电性结构，其中该基底包括一低电阻层，且该低电阻层设置于该凹陷部的一底壁上。
9.如权利要求8所述的电性结构，其中该基底包括硅，以及该低电阻层...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖振益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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