【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
1、在专利文献1中，公开了一种半导体器件，其包括p型硅衬底和形成于硅衬底上的n沟道型ldmos。
2、[现有技术文献]
3、[专利文献]
4、专利文献1：日本特开第2023-017388号公报
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种半导体器件，其能够在源极区域与漏极区域之间切换背栅极接触区域的连接地(destination)。
2、根据本公开的实施例，提供了一种半导体器件，包括：半导体芯片，具有第一主面和与第一主面相对的第二主面；第一导电类型的第一漏极区域，形成在第一主面的表层部；第二导电类型的背栅极区域，在第一主面的表层部，与第一漏极区域间隔开地形成；第一导电类型的源极区域，在背栅极区域的表层部，与背栅极区域的周缘向内侧间隔开地形成；第二导电类型的背栅极接触区域，在背栅极区域的表层部，与源极区域电隔离地形成；和面对沟道区域的栅极电极，在背栅极区域中，形成在背栅极区域的周缘与源极区域之间。
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述背栅极区域具有在沿所述第一主面的第一方向上延伸的带状形状，并且
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述源极区域和所述背栅极接触区域具有沿所述第一方向延伸的带状形状。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述背栅极接触区域在所述第二方向上的宽度是0.6μm以上且0.8μm以下。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述源极区域包括以在所述第二方向上夹着所述背栅极接触区域的方式形成的一对源极区域。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极区域和所述背栅极接触区域在所述背栅极区域的表层部通过场绝缘膜彼此电隔离。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一杂质区域以在深度方向上不面对所述沟道区域的方式形成。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一杂质区域的
11.根据权利要求8至10中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一杂质区域与所述背栅极区域接触。
12.根据权利要求8至10中任一项所述的半导体器件，还包括：
13.根据权利要求1至6和8至10中任一项所述的半导体器件，还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述背栅极区域包括：
15.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述背栅极区域具有在沿所述第一主面的第一方向上延伸的带状形状，并且
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述源极区域和所述背栅极接触区域具有沿所述第一方向延伸的带状形状。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述背栅极接触区域在所述第二方向上的宽度是0.6μm以上且0.8μm以下。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述源极区域包括以在所述第二方向上夹着所述背栅极接触区域的方式形成的一对源极区域。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极区域和所述背栅极接触区域在所述背栅极区域的表层部通过场绝缘膜彼此电隔离。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，还...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。