System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 单晶硅循环料的回收方法技术_技高网

单晶硅循环料的回收方法技术

技术编号:44338835 阅读:1 留言:0更新日期:2025-02-18 20:50
本公开实施例涉及光伏技术领域,提供一种单晶硅循环料的回收方法,包括:收集循环料,将待制备单晶的电阻率作为目标电阻率,将目标电阻率的可变化范围作为目标控制精度;对循环料进行元素分析以获取循环料中不同长度处的掺杂元素的种类和掺杂浓度和不同长度处的电阻率;若目标电阻率大于预设电阻率或目标控制精度小于等于第一预设精度,基于对循环料的元素分析将循环料分为M个级别;若目标电阻率小于或等于预设电阻率或目标控制精度小于等于第二预设精度,基于对循环料的元素分析将循环料分为S个级别,至少有利于提高待制备单晶的质量和对循环料的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及光伏,特别涉及一种单晶硅循环料的回收方法


技术介绍

1、目前,在制备单晶硅棒的过程中,会收集边皮料和锅底料等作为循环料以循环利用,但在使用循环料之前,需要去除或减小循环料表面的各种污渍,例如,金属杂质、颗粒、有机物污染等。

2、然而,不同生产环节中产生的循环料的成分或者性能参数不同,在后续掺入循环料以制备单晶硅的过程中,容易导致借助循环料而制备的单晶硅的电阻率发生较大的波动,从而影响制备的单晶硅的电阻率的均匀性。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种单晶硅循环料的回收方法,至少有利于在提高待制备单晶的质量的同时,提高对循环料的利用率。

2、根据本公开一些实施例,本公开实施例提供一种单晶硅循环料的回收方法,包括:收集所述循环料,并将所述循环料作为后续制备单晶的原材料,将待制备单晶的电阻率作为目标电阻率,将所述目标电阻率的可变化范围作为目标控制精度;对所述循环料进行元素分析,以获取并记录所述循环料中不同长度处的掺杂元素的种类和掺杂浓度以及所述循环料中不同长度处的电阻率;若所述目标电阻率大于预设电阻率,或者,所述目标控制精度小于或等于第一预设精度,基于所述循环料中不同长度处的掺杂元素的种类和掺杂浓度以及所述循环料中不同长度处的电阻率的不同,将所述循环料分为m个级别;若所述目标电阻率小于或等于所述预设电阻率,或者,所述目标控制精度小于等于第二预设精度,基于所述循环料中不同长度处的掺杂元素的种类和掺杂浓度以及所述循环料中不同长度处的电阻率的不同,将所述循环料分为s个级别;其中,m大于s,且m和s均为正整数;任一级别的所述循环料的电阻率小于所述预设电阻率。

3、在一些实施例中,制备单晶的过程中至少包括拉晶环节和机加工环节;收集所述循环料的步骤包括:收集所述拉晶环节产生的所述循环料,以及收集所述机加工环节产生的所述循环料。

4、在一些实施例中,收集所述机加工环节产生的所述循环料的步骤包括:将制备完成的晶体切割成t段晶坯,每一段所述晶坯经由机加工均会产生一份子循环料,t为小于或等于m的正整数;对所述循环料进行元素分析的步骤包括:对每份所述子循环料进行元素分析。

5、在一些实施例中,所述循环料中的掺杂元素的种类包括锑元素和磷元素;对所述循环料进行元素分析的步骤中还包括:获取锑元素在所述循环料中的掺杂浓度为第一掺杂浓度、以及锑元素在所述循环料中的掺杂浓度与磷元素在所述循环料中的掺杂浓度之和为第二掺杂浓度,以记录循环料系数;其中,所述循环料系数为所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度的比值。

6、在一些实施例中,不同级别的所述循环料的所述电阻率的差值小于0.2ω·cm。

7、在一些实施例中,所述回收方法还包括:对分为不同级别的所述循环料分别进行清洗处理;所述清洗处理的步骤包括:采用第一清洗液对分为m个级别的所述循环料进行第一清洗处理,所述第一清洗处理的清洗温度为第一温度,所述第一清洗处理的清洗时长为第一时长;先采用第二清洗液对分为s个级别的所述循环料进行第二清洗处理,再采用所述第一清洗液对分为s个级别的所述循环料进行第三清洗处理,所述第二清洗处理的清洗温度为第二温度,所述第二清洗处理的清洗时长为第二时长,所述第三清洗处理的清洗温度为第三温度,所述第三清洗处理的清洗时长为第三时长;其中,所述第二温度大于所述第一温度,所述第二时长大于或等于所述第一时长,且所述第三时长大于或等于所述第一时长;所述第一清洗液的酸性低于所述第二清洗液的酸性。

8、在一些实施例中,在对所述循环料进行所述清洗处理之后,所述回收方法还包括:对分为不同级别的所述循环料分别进行热处理;所述热处理的步骤包括:对分为m个级别的所述循环料进行第一热处理,所述第一热处理的处理温度为第四温度,所述第一热处理的处理时长为第四时长;对分为s个级别的所述循环料进行第二热处理,所述第二热处理的处理温度为第五温度,所述第二热处理的处理时长为第五时长;其中,所述第四温度小于所述第五温度,且所述第四时长小于所述第五时长。

9、在一些实施例中,在对所述循环料进行热处理之后,所述回收方法还包括:对所述循环料进行杂质分析,以获取并记录所述循环料的实际纯度;若所述实际纯度低于所述预设纯度,标记所述循环料为不合格循环料,对所述不合格循环料再次进行所述清洗处理和所述热处理,直至所述不合格循环料的所述实际纯度大于或等于所述预设纯度。

10、在一些实施例中,收集的所述循环料包括多个批次;对所述循环料进行所述杂质分析的步骤中,还包括:获取并记录任一批次的所述循环料中铁元素、铜元素和镍元素三者的杂质总含量;所述回收方法还包括:基于每一批次的所述循环料的所述杂质总含量,分配至少两个批次的所述循环料为一组用于同一轮单晶的制备,且控制每组所述循环料的所述杂质总含量的平均值小于或等于80ppb。

11、在一些实施例中,所述回收方法还包括:提供硅料;基于对所述循环料的分级,挑选与所述目标电阻率和所述目标控制精度更匹配的对应级别的所述循环料;将挑选出的所述循环料与所述硅料按预设比例混合,以准备新的一轮单晶的制备;其中,所述预设比例为挑选出的所述循环料的重量与所述硅料的重量的比值为45%~55%:55%~45%。

12、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点:

13、在对循环料进行元素分析以对不同循环料的性能参数进行区分的基础上,基于待制备单晶的目标电阻率或目标控制精度的不同,设定预设电阻率、第一预设精度和第二预设精度,依据性能参数的不同将所需制备的单晶分为至少两档,并且基于所需制备的单晶的性能参数的不同,依据循环料的性能参数的不同对收集的循环料执行不同的分级逻辑,从而有利于在有效避免待制备单晶内部的电阻率的波动幅度较大,以提高待制备单晶的质量的同时,充分利用性能参数不同的循环料以提高对循环料的利用率,以及一定程度上简化对收集的循环料的分级工序。

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【技术保护点】

1.一种单晶硅循环料的回收方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,制备单晶的过程中至少包括拉晶环节和机加工环节;收集所述循环料的步骤包括:

3.根据权利要求2所述的回收方法,其特征在于,收集所述机加工环节产生的所述循环料的步骤包括:

4.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,所述循环料中的掺杂元素的种类包括锑元素和磷元素;对所述循环料进行元素分析的步骤中还包括:

5.根据权利要求1或4所述的回收方法,其特征在于,不同级别的所述循环料的所述电阻率的差值小于0.2Ω·cm。

6.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,还包括:

7.根据权利要求6所述的回收方法,其特征在于,在对所述循环料进行所述清洗处理之后,所述回收方法还包括:

8.根据权利要求7所述的回收方法,其特征在于,在对所述循环料进行热处理之后,所述回收方法还包括:

9.根据权利要求8所述的回收方法,其特征在于,收集的所述循环料包括多个批次;对所述循环料进行所述杂质分析的步骤中,还包括:获取并记录任一批次的所述循环料中铁元素、铜元素和镍元素三者的杂质总含量;

10.根据权利要求7或9所述的回收方法,其特征在于,还包括:

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【技术特征摘要】

1.一种单晶硅循环料的回收方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,制备单晶的过程中至少包括拉晶环节和机加工环节;收集所述循环料的步骤包括:

3.根据权利要求2所述的回收方法,其特征在于,收集所述机加工环节产生的所述循环料的步骤包括:

4.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,所述循环料中的掺杂元素的种类包括锑元素和磷元素;对所述循环料进行元素分析的步骤中还包括:

5.根据权利要求1或4所述的回收方法,其特征在于,不同级别的所述循环料的所述电阻率的差值小于0.2ω·cm。

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【专利技术属性】
技术研发人员:苏春声刘磊尚伟泽陈养俊
申请(专利权)人:晶科能源股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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