氮化物晶体基板的制造方法和剥离中间体技术

技术编号：44338201 阅读：1 留言：0更新日期：2025-02-18 20:49

一种氮化物晶体基板的制造方法和剥离中间体。所述制造方法具备如下的工序：(a)准备基底基板；(b)在基底基板的上方形成包含n型的III族氮化物晶体的中间层；(c)在中间层上形成覆盖层；(d)通过电化学处理，维持覆盖层的表面状态并且穿过覆盖层中的位错而使中间层成为多孔状；(e)使由III族氮化物晶体形成的再生长层在覆盖层上外延生长；(f)以成为多孔状的中间层的至少一部分为边界，使再生长层自基底基板剥离，(e)具有如下工序：(e1)在第一生长温度下使第一再生长层在覆盖层上生长；(e2)在第二生长温度下使第二再生长层在第一再生长层上生长，在(e1)中，使第一生长温度低于第二生长温度。

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【技术实现步骤摘要】

本申请涉及氮化物晶体基板的制造方法和剥离中间体。

技术介绍

1、作为获得由iii族氮化物晶体形成的氮化物晶体基板的制造方法，公开了各种方法(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2003-178984号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本申请的目的在于使再生长层稳定生长。

3、用于解决问题的方案

4、根据本申请的方式，提供一种氮化物晶体基板的制造方法，其具备如下的工序：

5、(a)准备基底基板的工序；

6、(b)在前述基底基板的上方形成中间层的工序，所述中间层包含n型的iii族氮化物晶体；

7、(c)在前述中间层上形成覆盖层的工序，所述覆盖层包含具有比前述中间层的载流子浓度更低的载流子浓度的iii族氮化物晶体；

8、(d)通过电化学处理，维持前述覆盖层的表面状态并且穿过前述覆盖层中的位错而使前述中间层成为多孔状的工序；

9、(e)使由iii族氮化物晶体形成的再生长层在前述覆盖层上外延生长的工序；以及

10、(f)以成为多孔状的前述中间层的至少一部分作为边界，使前述再生长层自前述基底基板剥离的工序，

11、(e)具有如下的工序：

12、(e1)在第一生长温度下使第一再生长层在前述覆盖层上生长的工序；以及

13、(e2)在第二生长温度下使第二再生长层在前述第一再生长层上生长的工序，

14、在(e1)中，使前述第一生长温度低于前述第二生长温度。

15、根据本申请的其它方式，提供一种剥离中间体，

16、其是通过上述氮化物晶体基板的制造方法而得到的，

17、所述剥离中间体至少具备前述覆盖层和前述再生长层。

18、专利技术的效果

19、根据本申请，能够使再生长层稳定生长。

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【技术保护点】

1.一种氮化物晶体基板的制造方法，其具备如下的工序：

2.根据权利要求1所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(b)中，使所述中间层的厚度超过100nm。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(c)中，使所述覆盖层的厚度为10nm以上。

4.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(e1)中，使所述第一生长温度为970℃以下。

5.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(e1)中，使所述第一再生长层的厚度为1μm以上。

6.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(e2)中，使所述第二生长温度为980℃以上。

7.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，

8.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，

9.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，

10.一种剥离中间体，其是通过权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法而得到的，

【技术特征摘要】

1.一种氮化物晶体基板的制造方法，其具备如下的工序：

2.根据权利要求1所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(b)中，使所述中间层的厚度超过100nm。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(c)中，使所述覆盖层的厚度为10nm以上。

4.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(e1)中，使所述第一生长温度为970℃以下。

5.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，在(e...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山正史，藤仓序章，今野泰一郎，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：

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