【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硬掩膜制备领域，特别涉及一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法。
技术介绍
1、目前量产型真空蒸镀设备电子束光斑类型较少，且腔室温度变化不均匀。这种方式效率低，对设备控制要求较高，难以做到用于小尺寸高深宽比刻蚀的较高质量金属掩膜层。
技术实现思路
1、本申请提供了一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
2、本申请实施例提供一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，包括如下步骤：
3、s1、保证膜料质量及腔室洁净度，对于大容量坩埚使用组合式光斑预熔膜料手段，先采用x，y方向带大震荡的光斑搭配小于正常工艺的电子枪功率进行膜料面扫描40s，然后采用x，y方向较小的震荡光斑进行二段预熔，此时电子枪功率要接近正常工艺的电子枪功率进行膜料面扫描30s，最后采用不震荡的点光斑进行稳定沉积；
4、s2、根据不同的膜料，确定合适的电子束功率后，根据设备随沉积过程中的热量变化来确定基片表面的初始温度，以较慢的升温时间，同时温度要稳定一段时间保证受热充分且加热持续到工艺结束，然后调节沉积速率，使用较低的速率来沉积出低粗糙度的薄膜；
5、s3、利用上述方法制备金属薄膜，将制备好的金属薄膜应用于不同超表面结构中进行高深宽比刻蚀。
6、在一可实施方式中，s2中温度稳定至30~100℃，升温时间为10~30min，速率为＜1å/s。
7、在一可实施方式中，s
8、在一可实施方式中，s2中温度稳定至30~60℃，升温时间为10~30min，速率为＜1å/s。
9、在一可实施方式中，s2中温度稳定至60~100℃，升温时间为10~30min，速率为＜1å/s。
10、在一可实施方式中，s2中温度稳定至40℃，温度保持20min，速率为0.6å/s，采用低于5e-4的真空度。
11、在一可实施方式中，s2中温度稳定至80℃，温度保持20min，速率为0.6å/s，采用低于5e-4的真空度。
12、在一可实施方式中，s2中温度稳定至50~60℃，升温时间为10~30min，速率为＜1å/s。
13、在一可实施方式中，s1中，先采用较低电子枪功率x=5，y=5的光斑振荡进行第一段预熔，再采用x=2，y=2的光斑振荡进行接近蒸镀速率的功率进行第二段预熔。
14、在一可实施方式中，s1中，先采用较低电子枪功率x=5，y=5的光斑振荡进行第一段预熔，再采用x=2，y=2的光斑振荡进行接近蒸镀速率的功率进行第二段预熔。
15、与现有技术相比，本申请具有如下优点：
16、本申请通过调节电子束光斑类型及功率控制电子束与膜料的能量稳定交换，实现膜料预熔的稳定；
17、本申请通过控制温度调节因设备局限性带来的金属薄膜应力应变，实现基盘与坩埚处及腔室内的温度稳恒从而有效降低粗糙度增加致密性。
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1.一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S2中温度稳定至30~100℃，升温时间为10~30min，速率为＜1Å/s。
3.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S2中温度稳定至40~80℃，升温时间为10~30min，速率为＜1Å/s。
4.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S2中温度稳定至30~60℃，升温时间为10~30min，速率为＜1Å/s。
5.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S2中温度稳定至60~100℃，升温时间为10~30min，速率为＜1Å/s。
6.根据权利要求1-4中任一所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S2中温度稳定至40℃，温度保持20min，速率为0.6Å/s，采用低于5E-4的真空度。>
7.根据权利要求1-3、5中任一所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S2中温度稳定至80℃，温度保持20min，速率为0.6Å/s，采用低于5E-4的真空度。
8.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S2中温度稳定至50~60℃，升温时间为10~30min，速率为＜1Å/s。
9.根据权利要求6所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S1中，先采用较低电子枪功率X=5，Y=5的光斑振荡进行第一段预熔，再采用X=2，Y=2的光斑振荡进行接近蒸镀速率的功率进行第二段预熔。
10.根据权利要求7所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：S1中，先采用较低电子枪功率X=5，Y=5的光斑振荡进行第一段预熔，再采用X=2，Y=2的光斑振荡进行接近蒸镀速率的功率进行第二段预熔。
...【技术特征摘要】
1.一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：s2中温度稳定至30~100℃，升温时间为10~30min，速率为＜1å/s。
3.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：s2中温度稳定至40~80℃，升温时间为10~30min，速率为＜1å/s。
4.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：s2中温度稳定至30~60℃，升温时间为10~30min，速率为＜1å/s。
5.根据权利要求1所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：s2中温度稳定至60~100℃，升温时间为10~30min，速率为＜1å/s。
6.根据权利要求1-4中任一所述的一种适用于超表面结构高深宽比刻蚀的硬掩膜制备方法，其特征在于：s2中温度稳定至40℃，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵庆，姜焜，
申请(专利权)人：杭州纳境科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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