【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率器件，具体涉及一种功率器件pcm(process controlmonitor，工艺控制监控)监控结构及监控方法。
技术介绍
1、多次外延注入工艺的sj mos(超级结mosfet)在多次外延工艺中为了形成与之匹配的p型结构，必须进行多次的外延层生长和p型离子注入，其生长次数与成本的高低直接成正比。虽然多次外延注入工艺成本较高，但可以在每次外延后控制不同的注入能量与注入剂量等参数，根据要求在不同深度形成不相同的p型区分布。
2、sj mos量产需要精确控制n型、p型的电荷平衡问题，如何精确控制电荷平衡对sjmos量产具有重大的意义，其显著影响bvdss(漏源击穿电压)的高低。
3、在目前sj mos多层外延量产的情况下，需要监控一层或多层pillar掺杂的稳定性，来同步监控sj mos的bvdss的稳定性。当前量产中主要是通过监控离子注入rs(方阻)的稳定性，来确保掺杂的稳定性。现有监控方式中，硼离子注入每差异0.1e13，rs有交叠性，导致监控的精确度较低。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种功率器件pcm监控结构及监控方法本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
2、本专利技术提供了一种功率器件pcm监控结构，包括：位于晶圆的划片道中的多个层叠设置的电阻条，所述电阻条与sj mos中相邻的两个p柱相接，所述电阻条的数量与所述p柱的p型离子注入次数相同。
3、在本专利技
4、在本专利技术的一个实施例中，所述电阻条的宽长比为10/1000。
5、在本专利技术的一个实施例中，所述p柱包括自下而上堆叠的多个pillar，所述pillar是通过外延层生长和p型离子注入形成的。
6、在本专利技术的一个实施例中，所述电阻条的p型离子注入剂量与所述p柱中对应pillar的p型离子注入剂量相同。
7、在本专利技术的一个实施例中，还包括设置在ild层中的两个接触孔，所述两个接触孔与相邻的两个p柱的位置一一对应。
8、在本专利技术的一个实施例中，所述接触孔中设置有金属引线，所述金属引线的一端与所述p柱连接，另一端与pad连接。
9、本专利技术提供了一种如上述任一项实施例所述的功率器件pcm监控结构的监控方法，包括：
10、将sj mos的中待监控pillar对应的电阻条进行曝光；
11、在pad上加载电压测试曝光的电阻条的电阻值，得到所述待监控pillar的电阻检测值；
12、将不同lot的晶圆中sj mos的所述待监控pillar的电阻检测值进行对比，根据对比结果判断sj mos的bvdss是否稳定。
13、在本专利技术的一个实施例中，当不同lot的晶圆中sj mos的所述待监控pillar的电阻检测值的差异大于预设阈值，则所述sj mos的bvdss不稳定。
14、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
15、本专利技术的功率器件pcm监控结构，通过在晶圆的划片道设计及布局多个层叠设置的电阻条，该电阻条与sj mos中相邻的两个p柱相接，电阻条的数量与p柱的p型离子注入次数相同，通过测试划片道内电阻条的电阻值，实现对不同lot的晶圆中sj mos的p柱的任意一层或任意多层pillar电阻的检测，通过对比不同lot的晶圆中sj mos的p柱的任意一层或任意多层pillar电阻值的差异，确认pillar掺杂与bvdss稳定性的对应关系。通过对比结果可以精准、快速地找到bvdss波动的因素，更好的实现量产工艺的稳定，减少bvdss波动，从而减少由于bvdss波动造成的经济损失。
16、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
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1.一种功率器件PCM监控结构，其特征在于，包括：位于晶圆的划片道中的多个层叠设置的电阻条，所述电阻条与SJ MOS中相邻的两个p柱相接，所述电阻条的数量与所述p柱的p型离子注入次数相同。
2.根据权利要求1所述的功率器件PCM监控结构，其特征在于，所述电阻条是通过外延层生长和p型离子注入形成的长方体结构。
3.根据权利要求2所述的功率器件PCM监控结构，其特征在于，所述电阻条的宽长比为10/1000。
4.根据权利要求1所述的功率器件PCM监控结构，其特征在于，所述p柱包括自下而上堆叠的多个pillar，所述pillar是通过外延层生长和p型离子注入形成的。
5.根据权利要求4所述的功率器件PCM监控结构，其特征在于，所述电阻条的p型离子注入剂量与所述p柱中对应pillar的p型离子注入剂量相同。
6.根据权利要求1所述的功率器件PCM监控结构，其特征在于，还包括设置在ILD层中的两个接触孔，所述两个接触孔与相邻的两个p柱的位置一一对应。
7.根据权利要求6所述的功率器件PCM监控结构，其特征在于，所述接触
8.一种如权利要求1-7任一项所述的功率器件PCM监控结构的监控方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的功率器件PCM监控结构的监控方法，其特征在于，当不同Lot的晶圆中SJ MOS的所述待监控pillar的电阻检测值的差异大于预设阈值，则所述SJ MOS的BVDSS不稳定。
...【技术特征摘要】
1.一种功率器件pcm监控结构，其特征在于，包括：位于晶圆的划片道中的多个层叠设置的电阻条，所述电阻条与sj mos中相邻的两个p柱相接，所述电阻条的数量与所述p柱的p型离子注入次数相同。
2.根据权利要求1所述的功率器件pcm监控结构，其特征在于，所述电阻条是通过外延层生长和p型离子注入形成的长方体结构。
3.根据权利要求2所述的功率器件pcm监控结构，其特征在于，所述电阻条的宽长比为10/1000。
4.根据权利要求1所述的功率器件pcm监控结构，其特征在于，所述p柱包括自下而上堆叠的多个pillar，所述pillar是通过外延层生长和p型离子注入形成的。
5.根据权利要求4所述的功率器件pcm监控结构，其特征在于，所述电阻条的p...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯巍，季伟，江桂钦，王鑫，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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