【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适合于在磁记录介质的磁记录层等中使用的磁性体薄膜、特别是颗粒膜的成膜的溅射靶，特别是涉及能够提高溅射时的放电稳定性的co-cr-pt-氧化物系溅射靶。
技术介绍
1、在含有co-cr-pt-氧化物的溅射靶中使用各种组成。例如，在wo2013/136962a1(专利文献1)中记载了：以co-cr-pt-氧化物作为主要构成，含有选自b、si、cr、ti、ta、w、al、mg、mn、ca、zr、y中的一种以上成分的氧化物作为氧化物，并且含有选自b、ti、v、mn、zr、nb、ru、mo、ta、w、ag、au、cu、c中的一种以上元素作为添加元素。
2、在包含这些作为绝缘体的氧化物的溅射靶中存在引起异常放电、产生粒子的问题。针对该问题，一般通过使氧化物微细且均匀地存在于组织中来抑制异常放电的发生概率。例如同样在专利文献1中记载了：在co-cr-pt-氧化物系溅射靶中，通过将氧化物的平均粒径微细化为400nm以下而能够抑制异常放电。
3、在wo2013/125469a1(专利文献2)中记载了：除了使氧化物粒子微细化以外还使氧化物粒子以真球形或接近真球形的形状存在，由此，在靶表面的一定面积上的存在氧化物的部位与不存在氧化物的部位的分布不产生差异，偏析变少，能够有效地抑制异常放电和粒子产生。
4、另一方面，这些组成的溅射靶大多具有强磁性，漏磁通密度(ptf)小，在溅射时需要施加高电压。如果溅射时的电压高，则产生电压变得不稳定、容易产生电弧的问题。针对该问题，通过提高ptf来降低溅射时的必要电压
5、在wo2011/089760a1(专利文献4)中记载了：通过具有包含无机物材料的金属基体和含有90重量%以上的co的球形(特别是直径为30～150μm)的相，使漏磁通提高。
6、在日本特开2016-176087号公报(专利文献5)中记载了：在co-cr-pt-氧化物系强磁性溅射靶中，通过具有包含无机物材料的金属基体和最短直径为10～150μm的由pt构成的相，使漏磁通提高。另外，在wo2012/081669a1(专利文献6)中记载了：在co-cr-pt-氧化物系强磁性溅射靶中，通过在分散有氧化物的金属基体(a)中具有直径为10～150μm的co-pt合金相(b)和直径为30～150μm且含有90摩尔%以上的co的co合金相(c)，使漏磁通密度提高，使溅射时的电压稳定。
7、在wo2010/110033a1(专利文献7)中记载了：通过在co-cr-pt-氧化物系中具有在合金中均匀地微细分散有非磁性粒子的相(a)以及中心部的cr为25摩尔%以上并且从中心部朝向外周部cr的含量比中心部变低的组成的球形的合金相(b)，将合金相(b)在靶中所占的体积设定为4%以上且40%以下，使漏磁通提高。
8、现有技术文献
9、专利文献
10、专利文献1：wo2013/136962a1
11、专利文献2：wo2013/125469a1
12、专利文献3：日本特开2013-108110号公报
13、专利文献4：wo2011/089760a1
14、专利文献5：日本特开2016-176087号公报
15、专利文献6：wo2012/081669a1
16、专利文献7：wo2010/110033a1
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、对于co-cr-pt-氧化物系的溅射靶，提出了各种组成。
3、wo2013/125469a1(专利文献2)公开了通过使氧化物粒子成为规定形状来抑制异常放电和粒子，日本特开2013-108110号公报(专利文献3)公开了通过使磁性相、非磁性相的co含有比例不同来控制各相的磁性、使ptf提高，但电压的稳定性很难说是充分的。
4、wo2011/089760a1(专利文献4)公开了通过使含有90重量%以上的co的球形的相存在，使漏磁通密度提高，使溅射时的电压变得稳定；日本特开2016-176087号公报(专利文献5)公开了通过使由pt构成的相存在，使漏磁通密度提高，使溅射时的电压变得稳定；wo2012/081669a1(专利文献6)公开了通过使co-pt合金相(b)和含有90摩尔%以上的co的co合金相(c)以规定尺寸、形状存在，使漏磁通密度提高，使溅射时的电压变得稳定；另外，wo2010/110033a1(专利文献7)公开了通过使中心部的cr为25摩尔%以上并且从中心部朝向外周部cr的含量比中心部变低的组成的球形的合金相(b)存在，使漏磁通密度提高，使溅射时的电压变得稳定。但是存在如下问题：在磁记录介质的制造中使用的溅射靶的组成和漏磁通密度被限定为发挥该磁记录介质所需要的磁特性且适合于量产体制的组成和漏磁通密度，不能容易地变更。
5、本专利技术的目的在于提供在不依赖于改变组成和漏磁通密度的方案的情况下能够使溅射时的电压稳定的溅射靶及其制造方法。
6、用于解决问题的方法
7、本专利技术人为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过使用在溅射靶截面中具有包含10个/mm2以上等效圆直径大于10μm且为100μm以下的金属cr相的组织的溅射靶，能够在保持组成和漏磁通密度的状态下降低溅射时的电压，使放电稳定，从而完成了本专利技术。
8、根据本专利技术，可提供具有下述特征的co-cr-pt-氧化物系溅射靶。
9、[1]一种溅射靶，其是含有50原子%以上的co、大于0原子%且20原子%以下的cr和大于0原子%且25原子%以下的pt并且余量由一种以上氧化物和不可避免的杂质构成的co-cr-pt-氧化物系溅射靶，其特征在于，包含(a)co、pt和氧化物相互分散的复合相以及(b)金属cr相，在利用观察倍率为50倍的sem的1mm×1mm的观察视野内包含10个以上等效圆直径大于10μm且为100μm以下的金属cr相。
10、[2]一种溅射靶，其是含有50原子%以上的co、大于0原子%且20原子%以下的cr和大于0原子%且25原子%以下的pt并且余量由一种以上氧化物和不可避免的杂质构成的co-cr-pt-氧化物系溅射靶，其特征在于，包含(a)co、pt和氧化物相互分散的复合相、(b)金属cr相以及(c)含有co或pt的合金相，在利用观察倍率为50倍的sem的1mm×1mm的观察本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种溅射靶，其是含有50原子%以上的Co、大于0原子%且20原子%以下的Cr和大于0原子%且25原子%以下的Pt并且余量由一种以上氧化物和不可避免的杂质构成的Co-Cr-Pt-氧化物系溅射靶，其特征在于，
2.一种溅射靶，其是含有50原子%以上的Co、大于0原子%且20原子%以下的Cr和大于0原子%且25原子%以下的Pt并且余量由一种以上氧化物和不可避免的杂质构成的Co-Cr-Pt-氧化物系溅射靶，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述复合相还含有选自B、Al、Si、Ti、V、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Ge、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re、Ir和Au中的一种以上。
4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，在所述溅射靶中含有20体积%以上且50体积%以下的所述氧化物。
5.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物为从选自B、Mg、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ta、W、La、Ce、Nd、Sm、Gd
6.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述氧化物至少包含硼氧化物。
7.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，
8.一种溅射靶的制造方法，其是权利要求1或2所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，
9.一种溅射靶的制造方法，其是权利要求1或2所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种溅射靶，其是含有50原子%以上的co、大于0原子%且20原子%以下的cr和大于0原子%且25原子%以下的pt并且余量由一种以上氧化物和不可避免的杂质构成的co-cr-pt-氧化物系溅射靶，其特征在于，
2.一种溅射靶，其是含有50原子%以上的co、大于0原子%且20原子%以下的cr和大于0原子%且25原子%以下的pt并且余量由一种以上氧化物和不可避免的杂质构成的co-cr-pt-氧化物系溅射靶，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述复合相还含有选自b、al、si、ti、v、mn、fe、ni、cu、zn、ge、nb、mo、ru、rh、pd、ag、ta、w、re、ir和au中的一种以上。
4.根据权利要求1或2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：后藤康之，江口丰和，渡边恭伸，田所准，
申请(专利权)人：田中贵金属工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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