【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及制造半导体结构的方法。
技术介绍
1、穿硅通孔(tsv)用作器件管芯中的电路径，因此器件管芯的相对侧上的导电部件可以互连。tsv的形成工艺可以包括蚀刻半导体衬底以形成开口，用导电材料填充开口以形成tsv，执行背侧研磨工艺以从背侧去除半导体衬底的一部分并露出tsv，以及在半导体衬底的背侧上形成电连接器以连接到tsv。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：从晶圆的第一布局中找出第一多个穿硅通孔；从第一多个穿硅通孔中找出第二多个穿硅通孔，其中第二多个穿硅通孔并联连接；以及将第二多个穿硅通孔合并为大穿硅通孔以产生晶圆的第二布局。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供第一布局，第一布局包括第一多个穿通孔、第二多个穿通孔，其中，第一多个穿通孔和第二多个穿通孔具有相同的俯视尺寸；生成第二布局，其中，生成第二布局包括将第一多个穿通孔合并以生成第二布局中的大穿通孔，并且其中，第二多个穿通孔保持为第二布局中的离散的穿通孔；以及制造实施第二布局的晶圆。
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：从集成电路的第一布局中找出第一多个穿通孔，其中，在第一布局中，第一多个穿通孔与金属焊盘接触；合并第一多个穿通孔以形成大穿通孔并生成第二布局；从第一布局中找出第二多个穿通孔，其中，在第一布局中，第二多个穿通孔与多个金属焊盘接触，并且其中，在第二布局中，
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1.一种制造半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一布局中，所述第二多个穿硅通孔中的每个由保护环围绕，并且其中，所述方法还包括将围绕所述第二多个穿硅通孔的保护环合并成围绕所述大穿硅通孔的大保护环。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述大保护环占据的芯片面积与围绕所述第二多个穿硅通孔的所述保护环的轮廓面积相同。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一多个穿硅通孔具有相同的形状和相同的尺寸，并且所述大穿硅通孔的形状与所述第一多个穿硅通孔中的一个相同并且比所述第一多个穿硅通孔中的一个大。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一布局中，所述第二多个穿硅通孔接合到相同的金属焊盘。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.一种制造半导体结构的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述晶圆中，所述第一多个穿通孔接合到相同的金属焊盘，并且其中，所述相同的金属焊盘在所述第一布局和所述第二布局中具有
10.一种制造半导体结构的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一布局中，所述第二多个穿硅通孔中的每个由保护环围绕，并且其中，所述方法还包括将围绕所述第二多个穿硅通孔的保护环合并成围绕所述大穿硅通孔的大保护环。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述大保护环占据的芯片面积与围绕所述第二多个穿硅通孔的所述保护环的轮廓面积相同。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一多个穿硅通孔具有相同的形状和相同的尺寸，并且所述大穿硅通孔的形状与所述第一多个穿硅通孔中的一个相同并且比...
【专利技术属性】
技术研发人员：林昭仪，刘国俨，姚志翔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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