【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆、半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、以晶圆为基底的半导体器件中，通常mosfet器件会选择(100)晶向衬底，是因为工作电流为表面多子漂移电流，受载流子的表面迁移率影响，(100)晶向的界面态密度最低，其表面迁移率最高，使得mosfet可以有高的工作电流；而双极型器件如frd(fast recoverydiode，快恢复二极管)等通常选用(111)晶向衬底，主要原因如下：1.晶体结构：在(111)晶向上，硅晶圆的晶体结构具有特殊的对称性，这种对称性使得在制造双极性器件时可以更好地控制电子和空穴的移动，从而实现更好的电流控制和性能，且可以制作非常浅的掺杂；2.表面特性：(111)晶向原子面密度最大，溶解速率最慢，在制作pn结时，比较容易控制得到平整而稳定的结面，这对于制造双极性器件非常重要，平整的表面有助于制造精确的电极和结构，减少电流的漏失和电子隧穿效应，提高器件的性能和可靠性，另外(111)晶向氧化速率更高，可以减少氧化时间；3.共面器件集成：由于(111)晶向的硅晶圆具有良好的表面特性和对称性，可以方便地实现共面器件的集成，共面器件指的是电子和空穴在同一晶片上进行操作的器件，这种设计可以减少器件之间的电阻和电容，提高器件的速度和功耗效率。但是，(111)晶向衬底加工时造成片边磨损偏离衬底片晶向，在外延后会形成取向平面，即外延片边缘部分比中间部分低形成一圈或一部分斜平面，即“塌边”，该现象暂无法避免。
2、在晶圆器件制造过程中，减薄工艺对已完成功能的晶圆(主要是硅晶片
3、因此，如何缩小基于(111)晶向衬底外延后的塌边宽度，从而降低衬底减薄过程中的裂片率，实现对半导体产品良率和产率的改善，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种晶圆、半导体结构及其形成方法，用于缩小基于(111)晶向衬底外延后的塌边宽度，从而降低晶圆减薄过程中的裂片率，实现对半导体产品良率和产率的改善。
2、根据一些实施例，本专利技术提供了一种晶圆，包括：
3、本体结构，包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面；
4、边缘结构，沿第二方向连接于所述本体结构的端部，所述边缘结构至少包括与所述第一表面连接的第一倒角部和与所述第二表面连接的第二倒角部，第一倒角部与所述第二倒角部连接，所述第一倒角部具有第一幅长，且所述第一幅长小于600μm，其中，所述第二方向与所述第一方向垂直相交。
5、在一些实施例中，所述边缘结构为r型倒角结构或者t型倒角结构。
6、在一些实施例中，所述第一幅长为200μm～400μm。
7、在一些实施例中，所述第一幅长为300μm。
8、根据另一些实施例，本专利技术还提供了一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：
9、形成晶圆，所述晶圆包括本体结构和沿第二方向连接于所述本体结构的端部的边缘结构，所述本体结构包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面，所述边缘结构至少包括与所述第一表面连接的第一倒角部和与所述第二表面连接的第二倒角部，第一倒角部与所述第二倒角部连接，所述第一倒角部具有第一幅长，且所述第一幅长小于600μm，其中，所述第二方向与所述第一方向垂直相交；
10、于所述晶圆的所述第一表面、第一倒角部与第二倒角部上形成外延层；
11、自所述晶圆的所述第二表面开始对所述晶圆进行减薄处理。
12、在一些实施例中，形成晶圆的具体步骤包括：
13、提供(111)晶向的晶圆；
14、对所述晶圆的边缘进行倒角处理，形成包括所述第一倒角部和所述第二倒角部的所述边缘结构。
15、在一些实施例中，所述第一幅长为200μm～400μm。
16、在一些实施例中，自所述晶圆的所述第二表面开始对所述晶圆进行减薄处理的具体步骤包括：
17、自所述晶圆的所述第二表面开始对所述晶圆进行减薄处理直至至少完全去除所述第二倒角部。
18、根据又一些实施例，本专利技术还提供了一种半导体结构，包括：
19、晶圆，包括本体结构和沿第二方向连接于所述本体结构的端部的边缘结构，所述本体结构包括沿第一方向相对分布的正面和背面，所述边缘结构至少包括与所述正面连接的第一倒角部，所述第一倒角部具有第一幅长，且所述第一幅长小于600μm，其中，所述第二方向与所述第一方向垂直相交；
20、外延层，覆盖于所述晶圆的所述正面上，所述外延层包括覆盖于所述本体结构上的第一部分和覆盖于所述第一倒角部上的第二部分，且所述第二部分低于所述第一部分。
21、在一些实施例中，所述第一幅长为300μm，所述第二部分沿所述第二方向的宽度小于1.5μm。
22、本专利技术提供的晶圆、半导体结构及其形成方法，通过在晶圆的边缘设置边缘结构，且所述边缘结构至少包括与所述第一表面连接的第一倒角部和与所述第二表面连接的第二倒角部，第一倒角部与所述第二倒角部连接，所述第一倒角部具有第一幅长，且所述第一幅长小于600μm，通过缩短第一幅长长度，一方面，能够缩短在所述晶圆的所述第一表面上形成的外延层的塌边宽度，从而改善半导体结构的良率；另一方面，改善了所述晶圆的所述第一表面上形成的所述外延层的边缘形貌，改善尖刀状的外延层边缘，并降低了所述晶圆减薄过程中的裂片率。
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1.一种晶圆，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述边缘结构为R型倒角结构或者T型倒角结构。
3.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第一幅长为200μm～400μm。
4.根据权利要求3所述的晶圆，其特征在于，所述第一幅长为300μm。
5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成晶圆的具体步骤包括：
7.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一幅长为200μm～400μm。
8.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，自所述晶圆的所述第二表面开始对所述晶圆进行减薄处理的具体步骤包括：
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一幅长为300μm，所述第二部分沿所述第二方向的宽度小于1.5μm。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述边缘结构为r型倒角结构或者t型倒角结构。
3.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第一幅长为200μm～400μm。
4.根据权利要求3所述的晶圆，其特征在于，所述第一幅长为300μm。
5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：张丁丹，曹亮，李炜，张昱，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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