System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光伏电池片及制备方法技术_技高网

光伏电池片及制备方法技术

技术编号:44327792 阅读:2 留言:0更新日期:2025-02-18 20:36
本申请关于一种光伏电池片及制备方法,本申请的制备方法使得所制备的光伏电池片的掺杂导电层中存在高低结,高低结有利于促进电子或空穴迁移,并且有利于减少俄歇复合速率。本申请的制备方法还使得所制备的光伏电池片的掺杂导电层中第一掺杂导电层的厚度尺寸小于第二掺杂导电层的厚度尺寸,以使得被环境反射的光线中大部分可以经第一掺杂导电层进入硅基底内,以使硅基底在吸收较多的光之后产生较多的光生空穴和光生电子。另外,还使得第二掺杂导电层与金属电极之间的接触面的面积较大,第二掺杂导电层与金属电极之间的接触电阻较小。因此,本申请的制备方法使得所制备的光伏电池片的光电转换效率较高。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏,尤其涉及一种光伏电池片及制备方法


技术介绍

1、现有技术的光伏电池片的光电转化效率较低。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供一种光伏电池片及制备方法,可以提高光伏电池片的光电转化效率。

2、第一方面,本申请提供一种光伏电池片的制备方法,该制备方法包括:提供层叠设置的硅基底和隧穿层;在隧穿层的背离硅基底的一侧形成本征层,并且使本征层的晶化率至少大于0%,其中,本征层包括设定的非金属化区和待金属化区;掩膜待金属化区;向非金属化区注入氢,以降低非金属化区的晶化率;氧化处理非金属化区内的部分结构和待金属化区内的部分结构,以在非金属化区内形成第一氧化层和在待金属化区内形成第二氧化层,其中,第一氧化层的厚度尺寸大于第二氧化层的厚度尺寸;向非金属化区中位于第一氧化层和隧穿层之间的部分扩散导电杂质,以形成第一掺杂介质层,并且向待金属化区中位于第二氧化层和隧穿层之间的部分扩散导电杂质,以形成第二掺杂介质层,其中,第一掺杂介质层的掺杂浓度小于第二掺杂介质层的掺杂浓度;去除第一氧化层和第二氧化层;在第一掺杂介质层和第二掺杂介质层的背离隧穿层的一侧形成钝化层;形成与第二掺杂介质层金属化接触的金属电极;退火处理。

3、可选地,使本征层的晶化率至少大于0%的方法包括:利用热退火、电子束、激光或微波热处理本征层。

4、可选地,使本征层的晶化率至少大于0%的方法满足:使本征层的晶化率在40%~70%内。

5、可选地,掩膜待金属化区的方法包括:在待金属化区的背离隧穿层的一侧外部形成氧化硅掩膜、氮化硅掩膜或光刻掩膜;或者,使待金属化区置于氧气氛围内,利用激光照射待金属化区的背离隧穿层的表面,以使待金属化区的背离隧穿层的局部结构成为氧化硅掩膜。

6、可选地,若在待金属化区的背离隧穿层的一侧外部形成氮化硅掩膜或光刻掩膜,在向非金属化区注入氢之后和在氧化处理本征层之前,制备方法还包括:利用激光或酸液去除氮化硅掩膜,或者,利用激光或有机溶液去除光刻掩膜。

7、可选地,向非金属化区注入氢的方法包括:在氢气氛围内利用离子注入、热扩散或激光处理非金属化区。

8、可选地,氧化处理本征层的方法包括:在氧气氛围内利用离子注入、热扩散或激光处理本征层。

9、可选地,扩散导电杂质的方法满足:使导电杂质包括至少一种第五主族元素,或者,使导电杂质包括至少一种第三主族元素。

10、可选地,去除第一氧化层和第二氧化层的方法包括:利用酸液去除第一氧化层和第二氧化层,和/或,利用激光去除第一氧化层和第二氧化层。

11、第二方面,本申请提供一种光伏电池片,该光伏电池片由上述的光伏电池片的制备方法制备出,光伏电池片包括硅基底、隧穿层、掺杂导电层、钝化层和金属电极;硅基底、隧穿层、掺杂导电层和钝化层层叠设置;掺杂导电层包括沿垂直于光伏电池片厚度方向的方向交替分布的第一掺杂导电层和第二掺杂导电层,第一掺杂导电层的厚度尺寸小于第二掺杂导电层的厚度尺寸,第一掺杂导电层的掺杂浓度小于第二掺杂导电层的掺杂浓度;第二掺杂导电层与金属电极金属化接触。

12、本申请的制备方法使得所制备的光伏电池片的掺杂导电层中存在高低结(第一掺杂导电层的掺杂浓度小于第二掺杂导电层的掺杂浓度),高低结有利于促进电子或空穴迁移,并且有利于减少俄歇复合速率。本申请的制备方法还使得所制备的光伏电池片的掺杂导电层中第一掺杂导电层的厚度尺寸小于第二掺杂导电层的厚度尺寸,以使得被环境反射的光线中大部分可以经第一掺杂导电层进入硅基底内,以使硅基底在吸收较多的光之后产生较多的光生空穴和光生电子。另外,还使得第二掺杂导电层与金属电极之间的接触面的面积较大,第二掺杂导电层与金属电极之间的接触电阻较小。因此,本申请的制备方法使得所制备的光伏电池片的光电转换效率较高。

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【技术保护点】

1.一种光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述使所述本征层的晶化率至少大于0%的方法包括:

3.根据权利要求1所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述使所述本征层的晶化率至少大于0%的方法满足:

4.根据权利要求1所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述掩膜所述待金属化区的方法包括:

5.根据权利要求4所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,若在所述待金属化区的背离所述隧穿层的一侧外部形成氮化硅掩膜或光刻掩膜,在所述向所述非金属化区注入氢之后和在所述氧化处理所述本征层之前,所述制备方法还包括:

6.根据权利要求1所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述向所述非金属化区注入氢的方法包括:

7.根据权利要求1所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述氧化处理所述本征层的方法包括:

8.根据权利要求1~7中任一项所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述扩散导电杂质的方法满足:

9.根据权利要求1~7中任一项所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述去除所述第一氧化层和所述第二氧化层的方法包括:

10.一种光伏电池片,其特征在于,所述光伏电池片由上述权利要求1~9中任一项所述的光伏电池片的制备方法制备出,所述光伏电池片包括硅基底、隧穿层、掺杂导电层、钝化层和金属电极;

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【技术特征摘要】

1.一种光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述使所述本征层的晶化率至少大于0%的方法包括:

3.根据权利要求1所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述使所述本征层的晶化率至少大于0%的方法满足:

4.根据权利要求1所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,所述掩膜所述待金属化区的方法包括:

5.根据权利要求4所述的光伏电池片的制备方法,其特征在于,若在所述待金属化区的背离所述隧穿层的一侧外部形成氮化硅掩膜或光刻掩膜,在所述向所述非金属化区注入氢之后和在所述氧化处理所述本征层之前,所述制备方法还包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:戴仁豪李超费志良张宁
申请(专利权)人:晶科能源上饶有限公司
类型:发明
国别省市:

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