【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种防电极翻边的芯片式ntc热敏电阻结构及其制备方法，属于电子元件。
技术介绍
1、芯片式ntc(negative temperature coefficient，负温度系数)热敏电阻工艺基本是制作好瓷体基板后，在基板的上、下两面印刷烧制或溅射导电层，然后采用刀片(如金刚砂刀片)进行切割形成单体，该单体包括瓷体以及位于瓷体上、下两面的上、下电极。
2、现有的设计中，刀片切割时，划切位置的导电层难以完全磨掉；尤其是基板下表面的导电层与较软的载板接触，导电层延展性较好，导致划切位置处的导电层无法完全磨削掉，以毛刺或翻边的形式与单体的电极连接在一起，使产品呈现电极翻边的现象。这些毛刺或翻边会带来以下问题：①产品外观不规则导致尺寸超差；②翻边碎屑过长会导致短路；③产品电性测试时不能在导轨上顺利的滑行，出现频繁卡料；④在摆盘和装配取料时由于产品高度差异，导致掉料；⑤焊接时产品不能与焊盘平行，导致回流焊时产品偏位。因此，有必要对现有设计进行改进。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的即在于提出一种防电极翻边的芯片式ntc热敏电阻结构，解决上述现有技术存在的问题。
2、为达上述目的，本专利技术提出以下技术方案：
3、一种防电极翻边的芯片式ntc热敏电阻结构，包括：基板，形成于基板第一表面的第一导电层，以及形成于基板第二表面的第二导电层；其中，所述第一表面是贴近于载板使得所述第一导电层与所述载板接触的面，所述第二表面是与所述第一表面相对的面；所述
4、进一步地，所述基板的所述第一表面的边缘一圈被设置为无导电物覆盖而裸露出基板，且与所述第一划切街区连通。
5、进一步地，所述第二导电层被第二划切街区分隔为大小相同的若干区块，所述第二划切街区与所述第一划切街区构造相同且正对设置；所述第二划切街区用于实现：沿所述第二划切街区对准所述第一划切街区切割基板形成若干单体后，每个单体上的所述区块的面积小于该区块所在表面面积并处于该区块所在表面面积的预设百分比范围内。
6、进一步地，所述基板的所述第二表面的边缘一圈被设置为无导电物覆盖而裸露出基板，且与所述第二划切街区连通。
7、进一步地，每个单体上的所述区块的面积小于该区块所在表面面积的99％且大于该区块所在表面面积的60％。
8、进一步地，所述第一导电层是在所述基板的第一表面按第一预设图案电镀或印刷导电层而形成，所述第一表面上的所述若干区块共同构成所述第一预设图案。
9、进一步地，所述第一导电层是在所述基板的第二表面按第二预设图案电镀或印刷导电层而形成，所述第二表面上的所述若干区块共同构成所述第二预设图案。
10、本专利技术技术方案的有益效果体现在：利用无导电物覆盖的第一划切街区将与载板接触的第一导电层分隔为大小相同的若干区块，切割时，从基板的第二表面对准第一划切街区切割，这样每个区块就形成了单体的一个表面电极，并且由于第一划切街区的存在使得刀片切至基板第一表面时，不会切割到第一导电层，因此不会形成以毛刺或翻边形式存在的多余导电物，从而解决因电极翻边导致的尺寸超差问题、测试时在导轨卡料的问题、焊接时容易偏位的问题、摆盘和装配取料时容易掉料的问题，以及在电路中由于翻边碎屑过长易导致短路的问题。
11、在本专利技术的进一步技术方案中，与第一表面相对的第二表面上的第二导电层也被具有相同构造和功能的第二划切街区分隔成若干区块，由于该第二划切街区与第一划切街区正对设置，在切割时，沿第二划切街区正对第一划切街区切割，得到的单体的上下表面各有一个所述的区块，每个区块形成了所在表面的表面电极，由于第二划切街区的存在，可以进一步避免切割第二导电层时形成毛刺或翻边。
12、在本专利技术的进一步技术方案中，切割街区的设置使得切割形成的单体上每个区块的面积小于该区块所在表面面积的99％，这样可以更好地解决翻边的问题；同时，每个区块的面积大于该区块所在表面面积的60％，这样可以避免因表面电极过小而影响焊接能力和电性能。
13、本专利技术还提出了前述防电极翻边的芯片式ntc热敏电阻结构的制备方法，包括：在所述基板的所述第一表面按第一预定图案制作所述第一导电层，在所述基板的所述第二表面按第二预定图案制作所述第二导电层；其中，所述第一预定图案是由若干个大小相同的区块构成的阵列，所述基板的所述第一表面上未被所述第一预定图案覆盖的区域形成所述第一划切街区。
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1.一种防电极翻边的芯片式NTC热敏电阻结构，其特征在于，包括：基板，形成于基板第一表面的第一导电层，以及形成于基板第二表面的第二导电层；其中，所述第一表面是贴近于载板使得所述第一导电层与所述载板接触的面，所述第二表面是与所述第一表面相对的面；
2.根据权利要求1所述的芯片式NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述基板的所述第一表面的边缘一圈被设置为无导电物覆盖而裸露出基板，且与所述第一划切街区连通。
3.根据权利要求1所述的芯片式NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述第二导电层被第二划切街区分隔为大小相同的若干区块，所述第二划切街区与所述第一划切街区构造相同且正对设置；所述第二划切街区用于实现：沿所述第二划切街区对准所述第一划切街区切割基板形成若干单体后，每个单体上的所述区块的面积小于该区块所在表面面积并处于该区块所在表面面积的预设百分比范围内。
4.根据权利要求3所述的芯片式NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述基板的所述第二表面的边缘一圈被设置为无导电物覆盖而裸露出基板，且与所述第二划切街区连通。
5.根据权利要求1或3所述的芯片式N
6.根据权利要求1所述的芯片式NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述第一导电层是在所述基板的第一表面按第一预设图案电镀或印刷导电层而形成，所述第一表面上的所述若干区块共同构成所述第一预设图案。
7.根据权利要求3所述的芯片式NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述第一导电层是在所述基板的第二表面按第二预设图案电镀或印刷导电层而形成，所述第二表面上的所述若干区块共同构成所述第二预设图案。
8.根据权利要求1-7任一项所述的防电极翻边的芯片式NTC热敏电阻结构的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的防电极翻边的芯片式NTC热敏电阻结构的制备方法，其特征在于，所述第二预定图案是由若干个大小相同的区块构成的阵列，所述基板的所述第二表面上未被所述第二预定图案覆盖的区域形成第二划切街区。
10.根据权利要求8所述的防电极翻边的芯片式NTC热敏电阻结构的制备方法，其特征在于，制作所述基板的工艺为叠层工艺或制坯工艺。
...【技术特征摘要】
1.一种防电极翻边的芯片式ntc热敏电阻结构，其特征在于，包括：基板，形成于基板第一表面的第一导电层，以及形成于基板第二表面的第二导电层；其中，所述第一表面是贴近于载板使得所述第一导电层与所述载板接触的面，所述第二表面是与所述第一表面相对的面；
2.根据权利要求1所述的芯片式ntc热敏电阻结构，其特征在于，所述基板的所述第一表面的边缘一圈被设置为无导电物覆盖而裸露出基板，且与所述第一划切街区连通。
3.根据权利要求1所述的芯片式ntc热敏电阻结构，其特征在于，所述第二导电层被第二划切街区分隔为大小相同的若干区块，所述第二划切街区与所述第一划切街区构造相同且正对设置；所述第二划切街区用于实现：沿所述第二划切街区对准所述第一划切街区切割基板形成若干单体后，每个单体上的所述区块的面积小于该区块所在表面面积并处于该区块所在表面面积的预设百分比范围内。
4.根据权利要求3所述的芯片式ntc热敏电阻结构，其特征在于，所述基板的所述第二表面的边缘一圈被设置为无导电物覆盖而裸露出基板，且与所述第二划切街区连通。
5.根据权利要求1或3所述的芯片式ntc热...
【专利技术属性】
技术研发人员：王洪涛，何宝家，易新龙，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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