【技术实现步骤摘要】
本申请关于半导体装置领域，特别是关于使用埋层来提升静电放电(electrostatic discharge,esd)效率的半导体装置。
技术介绍
1、集成电路可因各种不同的静电放电事件而导致严重的损毁。一种主要的静电放电机制来自于人体，称为人体放电模式(human-body model,hbm)。人体可在100毫微秒(nano-second)左右的时间内产生数安培的尖端电流至集成电路而将其烧毁。第二种静电放电机制来自于金属物体，称为机器放电模式(machine model,mm)，其相较人体放电模式产生更高的上升时间和电流位准。第三种静电放电机制来自于集成电路本身，称为器件充电模式(charged-device model,cdm)，其累积电荷在上升时间不到0.5毫微秒的时间内放电至接地端。因此，需要有效的静电保护装置来保护集成电路免于静电放电的危害。
技术实现思路
1、一种半导体装置，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，设置于衬底上，其中外延层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；埋层，设置于衬底内；第一阱区，设置于外延层中且具有第二导电类型；以及第二阱区，设置于外延层中且具有第一导电类型。第一阱区直接接触埋层。第二阱区在水平方向上直接接触第一阱区，而在垂直方向上直接接触埋层。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，配置所述埋层、所述第一阱区、以及所述第二阱区以同时构成静电放电的一第一路径和一第二路径。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径经过所述第一阱区和所述第二阱区，而所述第二路径经过所述第一阱区、所述埋层、以及所述第二阱区。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径和所述第二路径更经过一射极区，所述射极区设置于所述第一阱区中且具有所述第一导电类型。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包括一基极区，设置于所述第一阱区中且具有所述第二导电类型。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述基极区与所述射极区横向地彼此隔开。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述基极区与所述射极区横向地彼此邻接。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括一集极区，设置于所述第二阱区中且具有所述第一导电类型。
9.根据权利要求8所述的
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属层通过一引线孔与所述集极区电性耦合。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二金属层通过一第一引线孔和一第二引线孔分别与所述基极区和所述射极区电性耦合。
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，还包括一导电结构，设置于所述外延层上，并横向地位于所述射极区与所述集极区之间。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述第二金属层通过一第三引线孔与所述导电结构电性耦合。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一阱区和所述第二阱区由所述外延层的上表面往下延伸，而所述埋层由所述衬底与所述外延层之间的界面往上延伸。
15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述埋层具有所述第一导电类型。
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述埋层具有所述第二导电类型。
17.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一第三阱区，设置于所述外延层中且具有所述第二导电类型，其中所述第三阱区邻接所述第二阱区。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，还包括一基极区，设置于所述第三阱区中且具有所述第二导电类型。
19.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一掺杂区，设置于所述外延层中且具有所述第二导电类型，其中所述掺杂区在水平方向上直接接触所述第二阱区，而在垂直方向上直接接触所述埋层，其中所述掺杂区的掺杂浓度高于所述第二阱区或所述第一阱区的掺杂浓度。
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，配置所述埋层、所述第一阱区、以及所述掺杂区以构成静电放电的一第三路径。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，配置所述埋层、所述第一阱区、以及所述第二阱区以同时构成静电放电的一第一路径和一第二路径。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径经过所述第一阱区和所述第二阱区，而所述第二路径经过所述第一阱区、所述埋层、以及所述第二阱区。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一路径和所述第二路径更经过一射极区，所述射极区设置于所述第一阱区中且具有所述第一导电类型。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包括一基极区，设置于所述第一阱区中且具有所述第二导电类型。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述基极区与所述射极区横向地彼此隔开。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述基极区与所述射极区横向地彼此邻接。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括一集极区，设置于所述第二阱区中且具有所述第一导电类型。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属层通过一引线孔与所述集极区电性耦合。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二金属层通过一第一引线孔和一第二引线孔分别与所述基极区和所述射极区电性耦合。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊宁，吕智勋，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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