【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种硅片的制绒方法和制绒后的硅片、晶硅电池及其制备方法。
技术介绍
1、制绒是在硅片表面形成金字塔结构，从而达到降低硅片反射率的目的。目前常规制绒生长出的绒面往往具有比较锐利的金字塔尖，在当前绒面状态下，塔尖和塔底这些区域的钝化膜沉积效果会与其他部位的钝化膜沉积效果存在差别，其沉积效果较差，从而该区域复合速率和缺陷态密度会较大，影响太阳能电池质量。因此，需要对绒面进行优化，提高钝化膜沉积质量从而提高钝化效果。
2、现有的绒面优化技术主要是通过强氧化性的酸性溶液对金字塔绒面进行处理以达到圆化的效果，其中，圆化程度越大，钝化膜的沉积效果越好，进而钝化效果也越好，进而制备得到的电池的开路电压会上升。但是，绒面圆化相应的会增加硅片的反射率，从而降低电池的短路电流。因此，如何在提高钝化效果的同时还能保持硅片低的反射率，成为限制太阳能电池高性能的关键因素。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种硅片的制绒方法和制绒后的硅片、晶硅电池及其制备方法，所述制绒方法能够有效提高晶硅电池的转化效率。
2、一种硅片的制绒方法，包括以下步骤：
3、在硅片上形成金字塔绒面；
4、将所述金字塔绒面进行圆化处理形成圆化绒面，包括：将带有金字塔绒面的硅片置于第一混合溶液中进行第一次处理，然后置于第二混合溶液中进行第二次处理，所述第一次处理与所述第二次处理为一个循环，进行至少两次所述的循环，其中，所述第一混合溶液和所述
5、在所述圆化绒面上形成凹坑，完成制绒，其中，所述凹坑的数量为10个/cm2～100个/cm2，所述凹坑的宽度为0.01μm～0.08μm，深度为5nm～50nm。
6、在其中一个实施例中，所述循环次数为5次～20次。
7、在其中一个实施例中，所述第一次处理的步骤中，时间为15s～20s；
8、及/或，所述第二次处理的步骤中，时间为5s～10s。
9、在其中一个实施例中，所述第一混合溶液中所述hno3的浓度为40wt％～80wt％，所述hf的浓度为10wt％～20wt％；
10、及/或，所述第二混合溶液中所述hno3的浓度为10wt％～20wt％，所述hf的浓度为40wt％～80wt％。
11、在其中一个实施例中，采用金属刻蚀的方式在所述圆化绒面上形成凹坑。
12、在其中一个实施例中，依次采用第三混合溶液和第四混合溶液对所述圆化绒面进行第三次处理和第四次处理，其中，所述第三混合溶液包括铜离子和hf，且所述铜离子的浓度为1wt％～5wt％，所述hf的浓度为40wt％～60wt％，所述第三次处理的时间为100s～200s，所述第四混合溶液包括hcl和h2o2，且所述hcl的浓度为2wt％～10wt％，所述h2o2的浓度为5wt％～20wt％，所述第四次处理的时间为50s～200s。
13、在其中一个实施例中，单个金字塔绒面底边的尺寸为1μm-2.5μm。
14、一种采用所述的硅片的制绒方法得到的制绒后的硅片。
15、一种晶硅电池的制备方法，包括采用所述的硅片的制绒方法。
16、一种采用所述的晶硅电池的制备方法得到的晶硅电池。
17、本专利技术提供的硅片的制绒方法中，以特定比例的第一混合溶液和第二混合溶液对金字塔绒面进行循环处理，并控制每一循环过程中采用两种混合溶液进行处理时的时间分配关系，可以达到对金字塔绒面全面积均匀圆化和快速圆化的目的。进而，在该圆化绒面上形成数量为10个/cm2～100个/cm2、宽度为0.01μm～0.08μm、深度为5nm～50nm的凹坑，既不会影响钝化膜的沉积效果，还可以增加绒面的比表面积，使反射率保持在5％以下。因此，在晶硅电池的制备方法中，采用本专利技术的制绒方法，能够有效提高晶硅电池的转化效率。
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1.一种硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述循环次数为5次～20次。
3.根据权利要求1所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述第一次处理的步骤中，时间为15s～20s；
4.根据权利要求1所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述第一混合溶液中所述HNO3的浓度为40wt％～80wt％，所述HF的浓度为10wt％～20wt％；
5.根据权利要求1～4任一项所述的硅片的制绒方法，其特征在于，采用金属刻蚀的方式在所述圆化绒面上形成凹坑。
6.根据权利要求5所述的硅片的制绒方法，其特征在于，采用金属刻蚀的方式在所述圆化绒面上形成凹坑的步骤包括：依次采用第三混合溶液和第四混合溶液对所述圆化绒面进行第三次处理和第四次处理，其中，所述第三混合溶液包括铜离子和HF，且所述铜离子的浓度为1wt％～5wt％，所述HF的浓度为40wt％～60wt％，所述第三次处理的时间为100s～200s，所述第四混合溶液包括HCl和H2O2，且所述HCl的浓度为2wt％～10wt％，所述H2O2
7.根据权利要求1～4任一项所述的硅片的制绒方法，其特征在于，单个金字塔绒面底边的尺寸为1μm-2.5μm。
8.一种采用如权利要求1～7任一项所述的硅片的制绒方法得到的制绒后的硅片。
9.一种晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括采用如权利要求1～7任一项所述的硅片的制绒方法。
10.一种采用权利要求9所述的晶硅电池的制备方法得到的晶硅电池。
...【技术特征摘要】
1.一种硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述循环次数为5次～20次。
3.根据权利要求1所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述第一次处理的步骤中，时间为15s～20s；
4.根据权利要求1所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述第一混合溶液中所述hno3的浓度为40wt％～80wt％，所述hf的浓度为10wt％～20wt％；
5.根据权利要求1～4任一项所述的硅片的制绒方法，其特征在于，采用金属刻蚀的方式在所述圆化绒面上形成凹坑。
6.根据权利要求5所述的硅片的制绒方法，其特征在于，采用金属刻蚀的方式在所述圆化绒面上形成凹坑的步骤包括：依次采用第三混合溶液和第四混合溶液对所述圆化绒面进行第三次处理和第...
【专利技术属性】
技术研发人员：方超炎，杜清闪，彭宏杰，王文睿，任勇，何悦，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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