【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及放电电路领域，具体的可以是一种准分子激光器的放电电路及激光器。
技术介绍
1、在高端光刻领域，高重频准分子激光因其高重频、窄线宽和大能量的特点，是目前半导体光刻领域应用的占绝对主导地位的光源。
2、对于准分子激光器而言，高重频放电稳定性对输出激光光斑指标性能、放电腔和工作气体寿命等等都有非常重要的影响。有研究报道，准分子激光器在高重频放电条件下阴极表面会出现热点放电，热点放电的出现会使初始时刻的均匀稳定辉光放电演化为不均匀且稳定性较差的丝状放电。因此，如何抑制稳定性较差的丝状放电是需要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于，克服现有的技术的不足，提供一种准分子激光器的放电电路及激光器，能够有效缩短丝状放电阶段的持续时间，提高放电周期的稳定性。
2、为达到上述技术目的，一方面，本专利技术提供的一种准分子激光器的放电电路，包括：峰化电容、与峰化电容并联的放电等离子体区以及与峰化电容并联的开关支路；当峰化电容的充电电压达到预置击穿电压，根据预设延时时间，控制开关支路导通，预设延时时间表征当放电等离子体区的放电阶段进入到丝状放电阶段的时间。
3、具体的，开关支路的数量为一个或多个；当开关支路的数量为多个的情况下，将多个开关支路分别与峰化电容并联。
4、具体的，开关支路包括至少一个关断器件，关断器件在导通的状态下，使得开关支路导通。
5、具体的，关断器件包括自愈式电容和/或igbt组件。
...【技术保护点】
1.一种准分子激光器的放电电路，其特征在于，包括：峰化电容、与所述峰化电容并联的放电等离子体区以及与所述峰化电容并联的开关支路；
2.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述开关支路的数量为一个或多个；当所述开关支路的数量为多个的情况下，将多个开关支路分别与所述峰化电容并联。
3.根据权利要求1或2所述的放电电路，其特征在于，所述开关支路包括至少一个关断器件，所述关断器件在导通的状态下，使得所述开关支路导通。
4.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，所述关断器件包括自愈式电容和/或IGBT组件。
5.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述激光器包括阴极和阳极，所述激光器在所述阴极和所述阳极之间进行放电，所述峰化电容包括多个并联的电容器，所述多个并联的电容器通过阵列结构排布；
6.根据权利要求3-5任一项所述的放电电路，其特征在于，当所述关断器件为自愈式电容，且多个自愈式电容通过其各自所在开关支路进行并联，所述多个自愈式电容根据空间阵列分布，所述多个自愈式电容与所述峰化电容的多个电容器一一对应；
...【技术特征摘要】
1.一种准分子激光器的放电电路，其特征在于，包括：峰化电容、与所述峰化电容并联的放电等离子体区以及与所述峰化电容并联的开关支路；
2.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述开关支路的数量为一个或多个；当所述开关支路的数量为多个的情况下，将多个开关支路分别与所述峰化电容并联。
3.根据权利要求1或2所述的放电电路，其特征在于，所述开关支路包括至少一个关断器件，所述关断器件在导通的状态下，使得所述开关支路导通。
4.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，所述关断器件包括自愈式电容和/或igbt组件。
5.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述激光器包括阴极和阳极，所述激光器在所述阴极和所述阳极之间进行放电，所述峰化电容包括多个并联的电容器，所述多个并联的电容器通过阵列结构排布；
6.根据权利要求3-5任一项所述的放电电路，其特征在于，当所述关断器件为自愈式电容，且多个自愈式电容通过其各自所在开关支路进行并联，所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜鑫先，刘斌，吴劲松，张晓录，牛自彪，
申请(专利权)人：北京科益虹源光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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