【技术实现步骤摘要】
本技术属于led制造，尤其涉及一种led封装结构。
技术介绍
1、紫外发光二极管(uv-led)是一种半导体光源，但在led封装行业中，由于led，特别是峰值波长在350nm以下的uv-led出光有限，如何提升led产品的出光效率一直是行业重点研究的问题。
2、现有led封装结构通常包括基板、led芯片、透光件与围坝。led芯片设于基板的正面，围坝沿垂直于基板厚度的方向设于基板的正面，所述透光件设于围坝从而与基板及围坝形成收容芯片的收容空间。但是，这样设置存在以下问题：一是led芯片往往横向tm模式(是指在波导中，磁场的纵向分量为零，而电场的纵向分量不为零的传播模式)的光输出较强，垂直方向的te模式(电磁波的传播方向上电场的纵分向为零，磁场的纵向分量不为零的传播模式)光输出较弱，而以铜材料制得的围坝垂直于芯片，led芯片发出的横向光将在围坝表面上来回反射，光线最后经透光件发射至外部时光损失较大；二是为提高围坝抗氧化等性能，在生产过程中围坝表面往往还镀有镍金，金对uv光的反射率较低，进一步增大了光损失，产品的出光率较低。
技术实现思路
1、本技术的目的在于至少克服上述现有技术的不足之一，提供了一种led封装结构，能够提高led封装结构的出光率。
2、本技术的技术方案是：一种led封装结构，包括：基板；led芯片，固定于所述基板的正面；围坝，所述围坝呈环形且设于所述基板的正面，所述围坝围于所述led芯片外围，所述围坝由聚四氟乙烯制得，所述围坝面向所述led芯片设
3、作为本技术方案的进一步改进，所述led芯片为uv芯片。
4、作为本技术方案的进一步改进，所述围坝的截面呈梯形。
5、作为本技术方案的进一步改进，所述斜面与所述围坝的底面的夹角为45°
6、作为本技术方案的进一步改进，所述围坝的高度为0.2至1.5毫米。
7、作为本技术方案的进一步改进，所述围坝具有相对的底面与顶面，所述围坝的底面与顶面分别设有第一活性层与第二活性层，所述围坝的底面连接于所述基板的正面，所述透光件的底面连接于所述围坝的顶面。
8、作为本技术方案的进一步改进，所述基板的正面设有焊接层，所述围坝通过所述焊接层连接于所述基板。
9、作为本技术方案的进一步改进，所述透光件的底面通过粘结胶粘结于所述围坝的顶面。
10、作为本技术方案的进一步改进，所述透光件的底面通过焊接材料焊接于所述围坝的顶面。
11、作为本技术方案的进一步改进，所述围坝的底面还设有覆盖于所述第一活性层的第一金属层，所述围坝的顶面还设有覆盖于所述第二活性层的第二金属层。
12、本技术所提供的一种led封装结构包括：基板、led芯片、围坝与透光件。其中，所述led芯片固定于所述基板的正面，所述围坝呈环形且设于所述基板的正面，所述围坝围于所述led芯片外围，所述围坝由聚四氟乙烯制得，所述围坝面向所述led芯片设有斜面，所述斜面与所述围坝的底面的夹角为30°至60°。所述透光件连接于所述围坝，并且所述透光件、基板的正面及围坝围合形成用于收容所述led芯片的收容腔。根据菲涅尔反射特点(光线垂直于表面时，反射较弱，而当光线非垂直表面时，夹角越小，反射越明显)可知，当光线在透光件上反射时的夹角越小，光线经透光件的透光率就越高，由于光线从led芯片发出后经斜面反射至透光件，所以通过限制所述斜面与所述围坝的底面的夹角为30°至60°，则能够限制所述光线在透光件上反射时的夹角以提高光线经透光件的透光率。现有技术中通常由铜材料制得垂直结构的围坝，并且在围坝表面设置有低反射率的镍金层，从而导致芯片发射的横向光在围坝表面反射而造成了较大的光损耗，而本技术通过于围坝设置斜面，改变了光线的反射路径，减少了光线于围坝反射的次数，避免了现有技术中垂直的围坝结构中光线在围坝表面多次反射而产生的光损耗问题，并且本技术中的围坝由高反射率的聚四氟乙烯材料制得，不仅制造简单，还提高了围坝的光反射率，进一步减小了现有技术中的光损耗的问题，以及本技术通过限制所述斜面与所述基板的正面的夹角为30°至60°，限制了芯片发射的横向光与斜面的夹角角度，从而限制了光线在所述透光件上反射时的夹角的角度，进而能够提升光线经透光件的透光率，增大产品的出光率。
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1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述LED芯片为UV芯片。
3.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述围坝的截面呈梯形。
4.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述斜面与所述围坝的底面的夹角为45°。
5.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述围坝的高度为0.2至1.5毫米。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的LED封装结构，其特征在于，所述围坝具有相对的底面与顶面，所述围坝的底面与顶面分别设有第一活性层与第二活性层，所述围坝的底面连接于所述基板的正面，所述透光件的底面连接于所述围坝的顶面。
7.根据权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于，所述基板的正面设有焊接层，所述围坝通过所述焊接层连接于所述基板。
8.根据权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于，所述透光件的底面通过粘结胶粘结于所述围坝的顶面。
9.根据权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于，所述透光件的底面通
10.根据权利要求9所述的LED封装结构，其特征在于，所述围坝的底面还设有覆盖于所述第一活性层的第一金属层，所述围坝的顶面还设有覆盖于所述第二活性层的第二金属层。
...【技术特征摘要】
1.一种led封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的led封装结构，其特征在于，所述led芯片为uv芯片。
3.根据权利要求1所述的led封装结构，其特征在于，所述围坝的截面呈梯形。
4.根据权利要求1所述的led封装结构，其特征在于，所述斜面与所述围坝的底面的夹角为45°。
5.根据权利要求1所述的led封装结构，其特征在于，所述围坝的高度为0.2至1.5毫米。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的led封装结构，其特征在于，所述围坝具有相对的底面与顶面，所述围坝的底面与顶面分别设有第一活性层与第二活性层，所述围坝的...
【专利技术属性】
技术研发人员：成鹏，黄明，
申请(专利权)人：惠州市聚飞光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
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