【技术实现步骤摘要】
本技术涉及二极管芯片生产，具体涉及用于瞬态电压抑制二极管生产的一种二极管芯片多层叠加焊接定位治具。
技术介绍
1、瞬态电压抑制二极管tvs（transient voltage suppressor），是一种具有双向稳压特性和双向负阻特性的过压保护器件，类似于压敏电阻器。它应用于各种交流及直流电源电路中，用来抑制瞬间过电压。当被保护电路瞬间出现浪涌脉冲电压时，双向击穿二极管能迅速齐纳击穿，由高阻状态变为低阻状态，对浪涌电压进行分流和箝位，从而保护电路中各元件不被瞬间浪涌脉冲电压损坏。
2、瞬态电压抑制二极管tvs类产品的设计，主要应用于大功率电流的保护。为了适用电路中大功率的电流，产品设计时会采用多芯片的叠加方法。而采用多层芯片堆叠的时候，芯片之间的位置精度尤为重要，如果焊接发生芯片偏移，产品的电性能会下降，在实现本技术的过程中，申请人发现了现有瞬态电压抑制二极管tvs类产品在进行多层芯片堆叠生产时，至少存在有以下问题：
3、1、瞬态电压抑制二极管tvs类产品在进行多层芯片堆叠生产时，由于多层芯片的堆叠包含多个铜片、多个锡片、多个芯片以及一个连接片，由于各个部件之间没有固定，在焊接过炉的时候很容易发生各焊接部件之间偏移，从而导致良率不高。
4、2、一些用于辅助多层芯片堆叠生产的工具，无法兼顾多层芯片堆叠生产在焊接过炉时的电导率、热传导、稳定性及耐腐蚀性，会导致芯片的某些部分过热、热膨胀不一致等，而产生应力位移或损坏。
5、有鉴于此，如何解决现有瞬态电压抑制二极管tvs类产品在进行多层
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种二极管芯片多层叠加焊接定位治具，用于解决现有瞬态电压抑制二极管tvs类产品在进行多层芯片堆叠生产时中存在的容易发生各焊接部件之间偏移、损坏等问题。
2、为达到上述目的，本技术的提出了一种二极管芯片多层叠加焊接定位治具，所述焊接定位治具包括主体和盖体；所述主体和盖体为采用石墨材质制得的板状结构。
3、所述主体和盖体两者之间，在其中一者上设置定位销，另一者上对应设置定位孔。
4、所述主体上设置多个治具单元；所述治具单元上开设有芯片放置槽、连接尾部限位槽，所述芯片放置槽、连接尾部限位槽上均具有朝上的表面，所述芯片放置槽、连接尾部限位槽之间具有一至少向上敞开的用于联通两者的开口，所述芯片放置槽的各角处开设有避让空间，所述芯片放置槽的中间位置开设有贯通至所述主体底部的通孔。
5、本技术的有关内容解释如下：
6、1.本技术的上述技术方案中，所设计的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，能够用于瞬态电压抑制二极管tvs类产品的多层芯片堆叠生产，其中在焊接定位治具的主体上设置多个治具单元，以此来用于一次性生产多个瞬态电压抑制二极管tvs类产品，治具单元上的芯片放置槽用于固定铜粒、晶粒、以及焊锡片的位置，防止在产品炉子里面固化焊接时造成的各部件偏移，治具单元上的连接尾部限位槽用于固定住连接片的尾部位置，使其在炉子里面固化焊接时不会有翘起或偏移问题，并且在芯片放置槽的中间位置开设有贯通至所述主体底部的通孔，能有效的散热，达到上下温度均衡，不容易造成各部件因热量不均衡而造成铜粒或晶粒在焊接不良，所述芯片放置槽的各角处开设有避让空间，能减少晶粒各角碰触到治具的边角而造成晶粒的破损，并且主体和盖体为采用石墨材质制得的板状结构，使得该二极管芯片多层叠加焊接定位治具具有高导电性、可导热性、高强度、高热稳定性及良好的化学性质，从而为瞬态电压抑制二极管tvs类产品的多层芯片堆叠生产时进行焊接过炉时确保芯片产品的稳定性，从而提高产品良率、生产效率。
7、2.在上述技术方案中，所述芯片放置槽为方形镂空结构，所述芯片放置槽的四角处开设圆弧形的避让空间，此种结构更加合理，正面四角圆弧型设计，晶粒放入放置槽中，能进一步减少晶粒四个角碰触到治具的边角而造成晶粒的破损。
8、3.在上述技术方案中，所述芯片放置槽的朝上表面的高度高于所述连接尾部限位槽的朝上表面的高度，从而让多层芯片上的连接片更好地放置。
9、4.在上述技术方案中，所述盖体上对应各所述治具单元开设有散热孔，以此来进一步提高散热效果，使得上下温度均衡做得更好。
10、5.在上述技术方案中，所述主体和盖体为矩形的板状结构，各所述治具单元按照矩形阵列排布在所述主体上，为瞬态电压抑制二极管tvs类产品的自动化生产提供基础条件，且可在主体按照治具单元的排布设置各个区域，由此来有序生产。
11、6.在上述技术方案中，在所述主体的四角设置定位销，对应的在所述盖体的四角设置定位孔，以此来让主体的治具单元上排布好芯片的各部件、连接片后来与盖体进行良好定位。
12、7.在上述技术方案中，所述定位销上设置有45°圆弧倒角，来使得主体与盖体的定位更加顺畅、精确。
13、8.在上述技术方案中，所述芯片放置槽、连接尾部限位槽上均设置有30°斜倒角，以此来便于在焊接过炉前各部件的放入以及焊接过炉后成品的取出。
14、9.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
15、10.在本技术中，术语“上”、“下”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置装配关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
16、11.另外，在本技术的描述中，需要说明的是，如果本文中使用了“第一”、“第二”等词语来限定零部件的话，本领域技术人员应该知晓：“第一”、“第二”等词语的使用仅仅是为了便于描述本技术和简化描述，如没有另外声明，上述词语并没有特殊的含义。
17、由于上述方案的运用，本技术与现有技术相比具有以下优点和效果：
18、1、本技术中，具备高导电性和可导热性，石墨由六角形的碳原子构成，具有良好的电导率和热传导性能。
19、2、本技术中，具备高强度，石墨的分子间距离大，具有很高的抗拉强度、刚度和硬度，特别适用于耐磨耐腐蚀的材料。
20、3、本技术中，具备高热稳定性，石墨可以耐受高温和低温，其热膨胀系数小，不易变形。
21、4、本技术中，具备良好的化学性质，石墨化学稳定，能耐受酸碱、有机溶剂等化学作用，不易腐蚀。
22、5、本技术中，石墨比本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：所述芯片放置槽(111)为方形镂空结构，所述芯片放置槽(111)的四角处开设圆弧形的避让空间(1111)。
3.根据权利要求1所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：所述芯片放置槽(111)的朝上表面的高度高于所述连接尾部限位槽(112)的朝上表面的高度。
4.根据权利要求3所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：所述盖体(2)上对应各所述治具单元(11)开设有散热孔(22)。
5.根据权利要求1所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：所述主体(1)和盖体(2)为矩形的板状结构，各所述治具单元(11)按照矩形阵列排布在所述主体(1)上。
6.根据权利要求1所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：在所述主体(1)的四角设置定位销(12)，对应的在所述盖体(2)的四角设置定位孔(21)。
7.根据权利要求6所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于
8.根据权利要求1至7任一项所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：所述芯片放置槽(111)、连接尾部限位槽(112)上均设置有斜倒角。
...【技术特征摘要】
1.一种二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：所述芯片放置槽(111)为方形镂空结构，所述芯片放置槽(111)的四角处开设圆弧形的避让空间(1111)。
3.根据权利要求1所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：所述芯片放置槽(111)的朝上表面的高度高于所述连接尾部限位槽(112)的朝上表面的高度。
4.根据权利要求3所述的二极管芯片多层叠加焊接定位治具，其特征在于：所述盖体(2)上对应各所述治具单元(11)开设有散热孔(22)。
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱磊，郝艳霞，朱建平，沈加勇，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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