【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。
技术介绍
1、显示装置可包括像素电路层，该像素电路层包括像素电路。像素电路可包括半导体层和电极。半导体层和电极可通过穿过像素电路层中包括的绝缘层的接触孔结构彼此电连接。
2、当像素电路层的厚度增加时，用于形成接触孔结构的蚀刻深度可增加。在该情况下，可能难以适当地形成接触孔结构。例如，当用于形成接触孔结构的蚀刻深度增加时，可能难以将蚀刻工艺应用于期望的区域。
3、相应地，正在进行减小用于形成接触孔结构的蚀刻深度的研究。
技术实现思路
1、本公开的特征是提供能够减小用于形成接触孔结构的蚀刻深度的显示装置和制造显示装置的方法。
2、根据本公开的实施方式，显示装置可包括有源层，设置在有源层上的栅电极，设置在栅电极上、完全覆盖栅电极并且包括平坦的表面的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层上并且包括平坦的表面的第二绝缘层。第一绝缘层和第二绝缘层可包括彼此不同的无机材料。
3、根据本公开的实施方式，有源层和栅电极可彼此间隔开。显示装置可进一步包括设置在有源层上的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层。栅电极可包括设置在第一栅绝缘层上的第一栅电极和设置在第二栅绝缘层上的第二栅电极。
4、根据本公开的实施方式，第一绝缘层的平坦的表面可没有台阶差。
5、根据本公开的实施方式，第一绝缘层的平坦的表面可面向第二绝缘层。
6、根据本公开的实施方式，第一绝缘层可直接设置在第二栅电极上。
7、
8、根据本公开的实施方式，第一绝缘层可包括硅氧化物，并且第二绝缘层可包括硅氮化物。
9、根据本公开的实施方式，显示装置可进一步包括设置在第二绝缘层上的夹层导电层，并且夹层导电层的一个表面和另一表面可为平坦的。
10、根据本公开的实施方式，夹层导电层可包括第一层、设置在第一层上的第二层以及设置在第二层上的第三层，并且第一层可接触第二绝缘层。
11、根据本公开的实施方式，第一层和第三层可包括相同的材料，第二层可包括与第一层和第三层的材料不同的材料，并且第二层可包括铝。
12、根据本公开的实施方式，制造显示装置的方法可包括在基底层上图案化有源层、在有源层上图案化栅电极、在栅电极上沉积预抛光绝缘层、抛光预抛光绝缘层以形成第一绝缘部分以及在第一绝缘部分上形成第二绝缘部分。第一绝缘部分和第二绝缘部分可形成第一绝缘层。在有源层上图案化栅电极可包括形成第一栅电极以及在第一栅电极上形成第二栅电极。第一栅电极和第二栅电极可与有源层间隔开。在栅电极上沉积预抛光绝缘层时，预抛光绝缘层可接触第二栅电极。
13、根据本公开的实施方式，在抛光预抛光绝缘层以形成第一绝缘部分时，可使用抛光装置和料浆抛光预抛光绝缘层，并且第一绝缘部分可形成平坦的抛光表面。
14、根据本公开的实施方式，方法可进一步包括在第二绝缘部分上形成第二绝缘层以及在第二绝缘层上形成夹层导电层。在第二绝缘层上形成夹层导电层时，可通过包括氯自由基的蚀刻溶液蚀刻夹层导电层。
15、根据本公开的实施方式，在栅电极上沉积预抛光绝缘层时，预抛光绝缘层可沉积为具有至的厚度。
16、根据本公开的实施方式，在抛光预抛光绝缘层以形成第一绝缘部分时，可抛光预抛光绝缘层以形成平坦的抛光表面，并且平坦的抛光表面可设置在与第二栅电极的一个表面不同的平面上。
17、根据本公开的实施方式，料浆可包括二氧化硅，并且可在预定的抛光时间段内抛光预抛光绝缘层。
18、根据本公开的实施方式，在抛光预抛光绝缘层以形成第一绝缘部分时，在与第一栅电极和第二栅电极重叠的区域中，可抛光第一绝缘部分以具有至的厚度。
19、根据本公开的实施方式，在抛光预抛光绝缘层以形成第一绝缘部分时，可抛光预抛光绝缘层以形成平坦的抛光表面，并且平坦的抛光表面可设置在与第二栅电极的一个表面相同的平面上。
20、料浆可包括二氧化铈。
21、第一绝缘层可包括硅氧化物，并且料浆对第二栅电极的选择性与料浆对硅氧化物的选择性的比例可为1:30至1:50。
22、根据本公开的实施方式，可提供能够减小用于形成接触孔结构的蚀刻深度的显示装置和制造显示装置的方法。
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1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述有源层和所述栅电极彼此间隔开，
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第一绝缘层的所述平坦的表面没有台阶差。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一绝缘层的所述平坦的表面面向所述第二绝缘层。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一绝缘层直接设置在所述第二栅电极上。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一绝缘层的所述平坦的表面不接触所述第二栅电极。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一绝缘层包括硅氧化物，并且
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述夹层导电层包括：
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第一层和所述第三层包括相同的材料，
11.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述抛光所述预抛光绝缘层以形成所述第一绝缘部分时，使用抛光装置和料浆抛
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述栅电极上所述沉积所述预抛光绝缘层时，所述预抛光绝缘层沉积为具有至的厚度。
15.根据权利要求12所述的方法，其中在所述抛光所述预抛光绝缘层以形成所述第一绝缘部分时，抛光所述预抛光绝缘层以形成所述平坦的抛光表面，并且
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述料浆包括二氧化硅，并且
17.根据权利要求16所述的方法，其中在所述抛光所述预抛光绝缘层以形成所述第一绝缘部分时，在与所述第一栅电极和所述第二栅电极重叠的区域中，抛光所述第一绝缘部分以具有至的厚度。
18.根据权利要求12所述的方法，其中在所述抛光所述预抛光绝缘层以形成所述第一绝缘部分时，抛光所述预抛光绝缘层以形成所述平坦的抛光表面，并且
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述料浆包括二氧化铈。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一绝缘层包括硅氧化物，并且
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述有源层和所述栅电极彼此间隔开，
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第一绝缘层的所述平坦的表面没有台阶差。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一绝缘层的所述平坦的表面面向所述第二绝缘层。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一绝缘层直接设置在所述第二栅电极上。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一绝缘层的所述平坦的表面不接触所述第二栅电极。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一绝缘层包括硅氧化物，并且
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述夹层导电层包括：
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第一层和所述第三层包括相同的材料，
11.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述抛光所述预抛光绝缘层以形成所述第一绝缘部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：金成准，秋秉权，姜胜培，文晟薰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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