System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 液晶介质制造技术_技高网

液晶介质制造技术

技术编号:44317423 阅读:7 留言:0更新日期:2025-02-18 20:29
本发明专利技术涉及具有正介电各向异性的液晶(LC)介质和包含这些介质的液晶显示器(LCD),尤其涉及由有源矩阵寻址的显示器,特别是涉及TN、PS‑TN、STN、TN‑TFT、OCB、IPS、PS‑IPS、FFS、HB‑FFS、XB‑FFS、PS‑FFS、SA‑HB‑FFS、SA‑XB‑FFS、聚合物稳定的SA‑HB‑FFS、聚合物稳定的SA‑XB‑FFS、正VA或正PS‑VA型的LC显示器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有正介电各向异性的液晶(lc)介质和涉及含有这些介质的液晶显示器(lcd),尤其涉及由有源矩阵寻址的显示器,并且尤其涉及tn,ps-tn,stn,tn-tft,ocb,ips,ps-ips,ffs,hb-ffs,ps-hb-ffs,sa-hb-ffs,聚合物稳定的sa-hb-ffs,正va或正ps-va型的lc显示器。


技术介绍

1、液晶显示器(lcd)在许多领域中用于信息显示。lcd用于直视型显示器和投射型显示器二者。使用的电光模式例如是扭曲向列(tn)、超扭曲向列(stn)、光学补偿弯曲(ocb)和电控双折射(ecb)模式以及它们的各种变型,以及其它模式。所有这些模式采用基本上垂直于基板和液晶层所产生的电场。

2、除了这些模式之外还有电光模式,其采用基本上平行于基板或液晶层的电场。例如,wo 91/10936公开了一种液晶显示器,其中电信号以使得电场具有平行于液晶层的显著分量的方式产生,并且因此被称为面内切换(ips)显示器。例如,操作这种显示器的原理通过r.a soref在journal of applied physics,第45卷,no.12,pp.5466-5468(1974)所描述。

3、ips显示器在两个具有平面取向的基板之间含有lc层,其中两个电极仅设置在两个基板中的一个上,并且优选地具有叉指型的梳形结构。在将电压施加到电极时,在它们之间产生具有平行于lc层的显著分量的电场。这导致层平面中lc分子的重新配向。

4、例如,ep 0 588 568公开了用于设计电极和用于寻址ips显示器的各种可能性。de198 24 137同样描述了这种ips显示器的各种实施方案。

5、用于这种类型的ips显示器的液晶材料例如在de 195 28 104中所描述。

6、此外,已经报告了所谓的“边缘场切换”(ffs)显示器(尤其见s.h.jung等人,jpn.j.appl.phys.,第43卷,no.3,2004,1028),其在同一基板上包含两个电极,其中一个以梳形方式结构化,另一个是非结构化的。由此产生强的所谓的“边缘场”,即接近于电极边缘的强电场,和遍布液晶盒的具有强垂直分量和强水平分量二者的电场。ffs显示器具有对比度的低视角依赖性。ffs显示器通常包含具有正介电各向异性的lc介质,以及通常是聚酰亚胺的配向层,其为lc介质的分子提供平面配向。

7、ips和ffs电光模式的液晶显示器特别适用于现代桌面监视器,电视机和多媒体应用,但也用于手机和平板pc等。根据本专利技术的液晶介质优选用于这种类型的显示器中。通常,在ffs显示器中使用具有相当较低的介电各向异性值的介电正性液晶介质,但在一些情况下,在ips显示器中也使用具有仅约3或甚至更低的介电各向异性的液晶介质。

8、通过所谓的hb-ffs模式实现了进一步的改善。与传统的ffs技术相比,hb-ffs模式的独特特征之一是它能够允许更高的透射率,其允许面板操作具有较少的能量消耗。

9、适用于lcd和尤其适用于ffs和ips显示器的液晶组合物是从现有技术中已知的,例如是从jp 07-181 439(a)、ep 0 667 555、ep 0 673 986、de 195 09 410、de 195 28106、de 195 28 107、wo 96/23 851和wo 96/28 521中已知的。然而,这些组合物具有某些缺点。除其它缺点外,它们中的大部分导致不利地长的寻址时间、具有不足的电阻率值和/或需要过高的工作电压。在操作性能以及在贮藏寿命两方面的改进在此处都是必要的。

10、ffs和ips显示器可作为有源矩阵显示器(amd)或无源矩阵显示器(pmd)操作。在有源矩阵显示器的情况下,各个像素通常通过集成的非线性有源元件(例如,薄膜晶体管(tft))来寻址,而在无源矩阵显示器的情况下,各个像素通常由现有技术中已知的多路传输方法来寻址。

11、根据本专利技术的显示器优选地通过有源矩阵寻址,优选地通过tft的矩阵寻址。然而,根据本专利技术的液晶也可以有利地用于具有其他已知寻址装置的显示器中。

12、ips和ffs技术均具有相对于其他lcd技术(例如垂直配向(va)技术)的某些优点,例如对比度的宽视角依赖性。


技术实现思路

1、提供进一步的液晶介质及其在具有高透射率、良好的黑色状态和高对比度的显示器中的用途是现代ffs和ips应用的核心挑战。此外,现代应用还要求良好的低温稳定性和快速的寻址时间。对比度可以通过在亮状态下更高的透射率和更好的暗状态来改善。改善暗状态的一种解决方案是通过开发具有更高kavg.的混合物来降低lc混合物的散射参数,但这通常具有缩短响应时间的缺点。

2、观察到,通过使用具有正介电各向异性和具有与液晶分子的纵轴垂直的增加的介电常数ε⊥的液晶介质,可以实现显示器(如hb-ffs模式的那些)的高亮度。这可以通过如下来实现:向液晶介质中添加有限量的具有负介电各向异性的液晶化合物(所述化合物具有高ε⊥性质),同时保持整个介质的正介电各向异性。然而,添加具有高ε⊥的化合物有一些缺点。例如,这可能会导致旋转粘度γ1的值更高,并且导致旋转粘度γ1和扭曲变形的弹性常数k22的比值γ1/k22更高,这会导致更高的响应时间。由于k22与展曲变形的弹性常数k11近似成正比(k22的值通常约为k11值的一半),因此可以通过测量γ1和k11容易地确定。

3、另一个缺点是,与常规的ffs混合物相比,hb-ffs混合物的可靠性(vhr)可能更差。

4、本专利技术具有提供液晶介质的目的,所述液晶介质优选用于ffs和ips显示器,特别是用于hb-ffs显示器,但也用于tn、正va或stn显示器,特别是用于有源矩阵显示器(如通过tft寻址的那些),所述显示器没有呈现上述缺点或仅在较小程度上呈现上述缺点,特别是提供介质,所述介质能够使显示器具有改善的对比度,优选地不会劣化其他显示器参数。

5、为了解决所述问题,本专利技术提供了根据权利要求1所述的液晶介质。

6、本专利技术的有利实施方案是从属权利要求的主题,或者也可以从说明书中获得。

7、本专利技术涉及具有正介电各向异性的液晶介质,包括

8、a)一种或多种式i的化合物

9、

10、其中

11、r11、r12相同或不同地表示具有1至12个c原子的直链烷基,或具有3至12个c原子的支链烷基,其中这些基团中的一个或多个ch2基团可以各自彼此独立地被-cf2o-、-ocf2-、-ch=ch-、-o-、-co-o-或-o-co-以使得o原子彼此不直接连接的方式替代,并且其中此外,一个或多个h原子可以被卤素替代,优选具有1至7个c原子的烷基或具有2至7个c原子的烯基,

12、表示

13、

14、优选

15、y1表示h或ch3,优选h,

16、n为0或1,优选1,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.液晶介质,其包含

2.根据权利要求1所述的液晶介质,其中n1是1。

3.根据权利要求1或2所述的液晶介质,其中所述介质包含选自式II-1、II-2和II-3的化合物的一种或多种式II的化合物

4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种选自式III-1和III-2的化合物的式III的化合物

5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的液晶介质,其中所述质包含一种或多种选自式Y和B的化合物的化合物

6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种式VII的化合物,

7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种式IV的化合物

8.根据权利要求1至7中一项或多项的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种式IVa和/或IVb的化合物,

9.根据权利要求1至8中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种式V的化合物

10.根据权利要求1至9中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种式VIII的化合物

11.根据权利要求1至10中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质额外包含一种或多种稳定剂。

12.液晶显示器,其特征在于,其包含根据权利要求1至11中一项或多项所述的液晶介质。

13.根据权利要求12所述的液晶显示器,其中所述显示器被配置为在IPS或FFS模式下操作。

14.根据权利要求1至11中一项或多项所述的液晶介质在液晶显示器中的用途。

15.制备根据权利要求1至11中一项或多项所述的液晶介质的方法,其特征在于,将一种或多种式I的化合物与一种或多种式II和/或III的化合物和任选地与一种或多种式B和/或Y的化合物混合。

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【技术特征摘要】

1.液晶介质,其包含

2.根据权利要求1所述的液晶介质,其中n1是1。

3.根据权利要求1或2所述的液晶介质,其中所述介质包含选自式ii-1、ii-2和ii-3的化合物的一种或多种式ii的化合物

4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种选自式iii-1和iii-2的化合物的式iii的化合物

5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的液晶介质,其中所述质包含一种或多种选自式y和b的化合物的化合物

6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种式vii的化合物,

7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种式iv的化合物

8.根据权利要求1至7中一项或多项的液晶介质,其中所述介质包含一种或多种式iva和/或ivb的化合物,...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·C·洛特李熙规王晶
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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