【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及光电转换元件。
技术介绍
1、使用钙钛矿型材料作为光电转换材料的太阳能电池、光传感器、发光元件、光二极管、光存储器等光电转换元件由于能够在层形成中适用廉价的涂布法，因此可期待作为低成本的光电转换元件。作为光电转换材料使用的钙钛矿型材料中，具有abx3所表示的组成、且具有三维晶体结构的钙钛矿晶体由于光电转换效率优异，因此报道了使用其而提高了转换效率的太阳能电池等。作为那样的太阳能电池的课题之一，可列举出形成于光电转换层上的电极(阴极)的耐蚀性、导电性等。
2、使用了钙钛矿型材料的光电转换元件例如具有在透明基板上层叠有阳极、光电转换层、电子输送层及阴极的结构。这样的光电转换元件中，对于阴极，提出了包含铬(cr)和cr氧化物的层与形成于其上的金(au)、铜(cu)、铝(al)等的层的层叠结构等。然而，由于cr氧化物为p型半导体，因此在配置于电子输送层侧的情况下，会成为电子输送的势垒，因此会导致效率的降低。进而，由于在阴极内仅配置有1层包含氧化物的层，因此无法充分提高来自外部环境的阻挡能力。因此，上层侧的au层等容易因来自外部环境的腐蚀而劣化进展。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的课题在于提供在充分提高来自外部环境的阻挡能力而抑制了特性劣化的基础上提高了电子效率及导电性的光电转换元件。
2、实施方式的光电转换元件具备：基板；配置于上述基板上的第1电极；光电转换膜，其配置于上述第1电极上，包含具有由下述组成式所表示的组成的钙钛矿晶体；配置
3、组成式：abx3
4、(式中，a为胺化合物的1价阳离子，b为金属元素的2价阳离子，x为卤素元素的1价阴离子。)
5、在实施方式的光电转换元件中，上述第2电极具备：第1层，其配置于上述电子输送层上，包含选自由钛、锡、锌、铈、铟及铌构成的组中的至少1种第1金属及上述第1金属的氧化物；和第2层，其配置于上述第1层上，包含第2金属及上述第2金属的氧化物，上述第2层具备：存在于上述第1层侧的第1区域；存在于上述第1区域上且具有比上述第1区域低的氧浓度的第2区域；和存在于上述第2区域上且具有比上述第2区域高的氧浓度的第3区域。
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1.一种光电转换元件，该光电转换元件具备：基板；
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第2金属具有比所述第1金属高的导电性。
3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中，所述第2金属为选自由铝、钼、镍、铜及银构成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的光电转换元件，其中，所述第1区域及所述第3区域具有所述第2金属与氧的键。
5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述第2电极进一步具备配置于所述第2层上且包含第3金属的第3层。
6.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述第3金属包含比所述第2金属难以氧化的金属。
7.根据权利要求6所述的光电转换元件，其中，所述第3金属为选自由铜、银及金构成的组中的至少1种。
8.根据权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述第3金属包含比所述第2金属容易形成钝态的金属。
9.根据权利要求8所述的光电转换元件，其中，所述第3金属为选自由钛、铝及钼构成的组中的至少1种。
【技术特征摘要】
1.一种光电转换元件，该光电转换元件具备：基板；
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第2金属具有比所述第1金属高的导电性。
3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中，所述第2金属为选自由铝、钼、镍、铜及银构成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的光电转换元件，其中，所述第1区域及所述第3区域具有所述第2金属与氧的键。
5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述第2电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：志茂俊辅，森茂彦，和田淳，天野昌朗，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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