【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及像素显示，特别是一种栈入式场序像素电路及控制方法。
技术介绍
1、场序(field sequential)或者色序法(color sequential)显示驱动技术通过人类的视觉暂停残留效应，直接利用rgb三色光源混色，达到全彩显示效果。无需彩色滤光片，一方面提高了光源利用率，另一方面也降低了光源的功耗。在所有画面数据写入完成，并在液晶偏转到稳定状态后才可开启背光，否则会有画面混乱的现象发生，所以需要预留大量时间让液晶偏转后再点亮背光。这使得难以实现平均时间内的高亮度，高频率显示，同时对背光亮度规格和寿命要求增加，提高了成本。
2、以常规1t2c显示模式为例，分辨率1920*1080产品，每行栅极信号开启周期为2us，1080行全部开启为一帧画面，需要约2ms时间。60hz产品，rgb子帧数需要180hz刷新才能实现同等流畅度。每个子帧大约需要1/180≈5.6ms，留给背光点灯显示r,g,b的时间约3.6ms。不考虑液晶延迟情况下，或使用us级别超快响应的铁电或者蓝相液晶，时间利用率=3.6/5.6≈64.3%，考虑液晶延迟，提供1ms时间给予其反转，时间利用率=2.6/5.6≈46.4%。由于场序显示时间利用率影响整体亮度，因此如何提高背光显示的时间利用率，有利于降低成本，提升显示画面亮度。
3、因此，本专利技术提出一种栈入式场序像素电路及控制方法，以提高背光显示的时间，从而提高时间利用率，达到提升亮度的目的。
技术实现思路
1、本专利技术
2、本专利技术的目的通过以下技术方案来实现一种栈入式场序像素电路，包括多个子电路和像素电极，所述多个子电路的电路结构相同；所述每个子电路，用于写入对应帧的数据信号电压；所述多个子电路均耦接至像素电极的同一端，所述像素电极的另一端耦接至公共信号线；
3、所述多个子电路均设置有预存储电容，用于数据信号电压的预存储。
4、所述多个子电路包括第一子电路、第二子电路和第三子电路；所述第一子电路、第二子电路和第三子电路分别用于接收并预存储第一数据信号电压、第二数据信号电压和第三数据信号电压。
5、所述第一子电路包括第一晶体管、第一预存储电容和第二晶体管；所述第一子电路的第一晶体管的第一源漏极与第一数据信号线耦接，所述第一子电路的第一晶体管的栅极耦接至第一行栅信号线，所述第一子电路的第一晶体管的第二源漏极与第一预存储电容的一端耦接；所述第一预存储电容的另一端耦接至公共信号线；
6、所述第一子电路的第二晶体管的第一源漏极与第一子电路的第一晶体管的第二源漏极耦接，所述第一子电路的第二晶体管的栅极耦接至第一转移信号线，所述第一子电路的第二晶体管的第二源漏极与像素电极的一端耦接；所述像素电极的另一端耦接至公共信号线。
7、所述第二子电路包括第一晶体管、第二预存储电容和第二晶体管；所述第二子电路的第一晶体管的第一源漏极与第二数据信号线耦接，所述第二子电路的第一晶体管的栅极耦接至第二行栅信号线，所述第二子电路的第一晶体管的第二源漏极与第二预存储电容的一端耦接；所述第二预存储电容的另一端耦接至公共信号线；
8、所述第二子电路的第二晶体管的第一源漏极与第二子电路的第一晶体管的第二源漏极耦接，所述第二子电路的第二晶体管的栅极耦接至第二转移信号线，所述第二子电路的第二晶体管的第二源漏极与像素电极的一端耦接。
9、进一步地，所述第三子电路包括第一晶体管、第三预存储电容和第二晶体管；所述第三子电路的第一晶体管的第一源漏极与第三数据信号线耦接，所述第三子电路的第一晶体管的栅极耦接至第三行栅信号线，所述第三子电路的第一晶体管的第二源漏极与第三预存储电容的一端耦接；所述第三预存储电容的另一端耦接至公共信号线；
10、所述第三子电路的第二晶体管的第一源漏极与第三子电路的第一晶体管的第二源漏极耦接，所述第三子电路的第二晶体管的栅极耦接至第三转移信号线，所述第三子电路的第二晶体管的第二源漏极与像素电极的一端耦接。
11、本专利技术还提供一种栈入式场序像素电路控制方法，包括：
12、在第n帧的背光关闭阶段，所述多个子电路的行栅信号线的电平跳变为高电平，
13、所述第一子电路的第一晶体管导通，使得第一数据信号线通过第一晶体管向第一预存储电容写入第一数据信号电压；
14、所述第二子电路的第一晶体管导通，使得第二数据信号线通过第一晶体管向第二预存储电容写入第二数据信号电压；
15、所述第三子电路的第一晶体管导通，使得第三数据信号线通过第一晶体管向第三预存储电容写入第三数据信号电压；
16、写入完成后，行栅信号线的电平跳变为低电平，第一子电路的第一晶体管、第二子电路的第一晶体管和第三子电路的第一晶体管关断后，进入第n帧的背光开启阶段前的间隙，第一转移信号线跳变为高电平并在第n帧的背光开启阶段保持高电平，第一子电路的第二晶体管持续导通，第一预存储电容通过第二晶体管向像素电极进行电荷转移，使得像素电极达到第一像素电压，进行第n帧的像素显示；
17、第n帧的像素显示完成后，第一转移信号线跳变为低电平，第一子电路的第二晶体管关断后，进入第n+1帧的背光开启阶段前的间隙，第二转移信号线跳变为高电平并在第n+1帧的背光开启阶段保持高电平，第二子电路的第二晶体管持续导通，第二子电路的第二预存储电容通过第二晶体管向像素电极进行电荷转移，使得像素电极的电压达到第二像素电压，进行第n+1帧的像素显示；
18、第n+1帧的像素显示完成后，第二转移信号线跳变为低电平，第二子电路的第二晶体管关断后，进入第n+2帧的背光开启阶段前的间隙，第三转移信号线跳变为高电平并且在第n+2帧的背光开启阶段保持高电平，第三子电路的第二晶体管持续导通，第三子电路的第三预存储电容通过第二晶体管向像素电极进行电荷转移，使得像素电极的电压达到第三像素电压，进行第n+2帧的像素显示。
19、本专利技术具有以下优点：
20、传统的预存储电路中，因像素电极的电容随两端的电压会发生变化，并且第二晶体管开启的时间（电荷转移阶）只存在一定时间，之后都采用保持电容维持像素电极的电压达到像素电压，因此传统方案中需要一个较大的保持电容对其进行维持。
21、进一步地，现有技术中需要设置复位单元对像素电极进行复位，由于预存储电容和保持电容的比例接近，如1：1或者2:1，因此在分享过程前后像素电压的总电压变化范围较大，为1倍变成2或者3倍的保持电容加像素电极的电压之和，到下一帧时像素电压的电压衰减会过大；为了弥补衰减，需要写入数据信号电压超出最大灰阶对应电压，或者正帧数写入负极性数据信号电压来实现最终写入电位达到预期。致使其存在数据信号线输入的数据信号电压过大或者现有驱动芯片不支持的情况；为了避免这种情况，需要对像素电极进行复位，使得预存储电容中的电荷可以使得像素电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种栈入式场序像素电路，其特征在于：包括多个子电路和像素电极（Clc），所述多个子电路的电路结构相同；所述多个子电路均耦接至像素电极（Clc）的同一端，所述像素电极（Clc）的另一端耦接至公共信号线（Com）；
2.根据权利要求1所述的一种栈入式场序像素电路，其特征在于，所述多个子电路包括第一子电路、第二子电路和第三子电路；所述第一子电路、第二子电路和第三子电路分别用于接收并预存储第一数据信号电压、第二数据信号电压和第三数据信号电压。
3.根据权利要求2所述的一种栈入式场序像素电路，其特征在于，所述第一子电路包括第一晶体管（T1-1）、第一预存储电容（Cs1）、第二晶体管（T2-1）和像素电极（Clc）；所述第一子电路的第一晶体管（T1-1）的第一源漏极与第一数据信号线（Data1）耦接，所述第一子电路的第一晶体管（T1-1）的栅极耦接至第一行栅信号线（Scan1），所述第一子电路的第一晶体管（T1-1）的第二源漏极与第一预存储电容（Cs1）的一端耦接；所述第一预存储电容（Cs1）的另一端耦接至公共信号线（Com）；
4.根据权利要求2所述
5.根据权利要求2所述的一种栈入式场序像素电路，其特征在于，所述第三子电路包括第一晶体管（T1-3）、第三预存储电容（Cs3）和第二晶体管（T2-3）；所述第三子电路的第一晶体管（T1-3）的第一源漏极与第三数据信号线（Data3）耦接，所述第三子电路的第一晶体管（T1-3）的栅极耦接至第三行栅信号线（Scan3），所述第三子电路的第一晶体管（T1-3）的第二源漏极与第三预存储电容（Cs3）的一端耦接；所述第三预存储电容（Cs3）的另一端耦接至公共信号线（Com）；
6.一种栈入式场序像素电路控制方法，应用于权利要求1~5所述的任一像素电路中，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种栈入式场序像素电路，其特征在于：包括多个子电路和像素电极（clc），所述多个子电路的电路结构相同；所述多个子电路均耦接至像素电极（clc）的同一端，所述像素电极（clc）的另一端耦接至公共信号线（com）；
2.根据权利要求1所述的一种栈入式场序像素电路，其特征在于，所述多个子电路包括第一子电路、第二子电路和第三子电路；所述第一子电路、第二子电路和第三子电路分别用于接收并预存储第一数据信号电压、第二数据信号电压和第三数据信号电压。
3.根据权利要求2所述的一种栈入式场序像素电路，其特征在于，所述第一子电路包括第一晶体管（t1-1）、第一预存储电容（cs1）、第二晶体管（t2-1）和像素电极（clc）；所述第一子电路的第一晶体管（t1-1）的第一源漏极与第一数据信号线（data1）耦接，所述第一子电路的第一晶体管（t1-1）的栅极耦接至第一行栅信号线（scan1），所述第一子电路的第一晶体管（t1-1）的第二源漏极与第一预存储电容（cs1）的一端耦接；所述第一预存储电容（cs1）的另一端耦接至公共信号线（com）；
4.根据权利要求2所述的一种栈入式场序像素电路，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张锦，任浩，张伟伟，
申请(专利权)人：成都九天画芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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