【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，包括但不限于一种半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、通过改进半导体的制造工艺，可以将平面存储单元缩小到更小的尺寸。然而，随着平面存储单元的关键尺寸接近下限，平面存储架构的存储密度接近上限。三维存储结构可以解决平面存储架构中的密度限制。
2、相变存储器(phase change memory，pcm)已经成为目前最具发展潜力存储技术之一。相变存储器利用相变层在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据。相变存储器可以包括堆叠设置的底部存储单元阵列(bottom stack)和顶部存储单元阵列(top stack)，以形成三维存储架构。底部存储单元和顶部存储单元之间可以通过底部字线和顶部字线进行连接。
3、因此，如何控制底部字线和顶部字线之间的对准则成为关键问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法。
2、为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：
3、本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，所述方法包括：提供初始半导体结构，包括第一区域和设于所述第一区域至少一侧的第二区域，设于所述第一区域中的存储堆叠条，设于所述第一区域中的相邻所述存储堆叠条之间且还设于所述第二区域中的第一材料层，所述第二区域中的所述第一材料层表面低于所述第一区域中的所述第一材料层表面；在所述第一区域和所述第二区域中形成第二材料层、第三材料层和第四材料层；对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处
4、在一些实施例中，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之后，所述方法还包括：在所述第一区域和所述第二区域中形成第一导电层；刻蚀所述第一导电层和所述存储堆叠条，所述第一区域和所述第二区域中刻蚀后的所述第一导电层形成沿第一方向延伸的第一导电线，所述第一区域中刻蚀后的所述存储堆叠条形成虚设存储单元；其中，设于所述第二区域中的所述第一导电线用作对准标记。
5、在一些实施例中，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之前，所述方法还包括：在所述第二区域中形成覆盖所述第四材料层的光刻胶层；去除所述第一区域中的所述第四材料层和所述第三材料层，以暴露出所述第一区域中的所述第二材料层表面；去除所述光刻胶层，以暴露出所述第二区域中的所述第四材料层表面。
6、在一些实施例中，所述第二区域中的所述第四材料层表面低于所述第一区域中的所述第二材料层表面；所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之前，所述方法还包括：在所述第一区域和所述第二区域中形成第五材料层；其中，所述第二区域中的所述第五材料层表面高于或者等于所述第一区域中的所述第二材料层表面。
7、在一些实施例中，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理，包括：对所述第一区域和所述第二区域进行第一平坦化处理，以暴露出所述第一区域中的所述第二材料层表面，且还暴露出所述第二区域中的所述第五材料层表面；其中，所述第二区域中的所述第五材料层表面低于所述第一区域中的所述第二材料层表面。
8、在一些实施例中，去除所述第一区域中的所述第三材料层的过程中使用双研磨剂；其中，所述双研磨剂包括氧化助剂，所述氧化助剂包括k2feo4、kmno4和h2o2中的至少一种。
9、在一些实施例中，所述存储堆叠条依次包括第一电极层、选通层、第二电极层、相变层和第三电极层；所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理，还包括：对所述第一区域和所述第二区域进行第二平坦化处理，以暴露出所述第一区域中的所述第三电极层表面，且还暴露出所述第二区域中的所述第三材料层表面；其中，在所述第二平坦化处理中，对所述第一区域中的所述第二材料层的去除速率和对所述第二区域中的所述第三材料层的去除速率之间的比值＞200。
10、在一些实施例中，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之后，所述第二区域中的所述第三材料层的表面平整度＜50埃。
11、在一些实施例中，所述提供初始半导体结构，包括：提供第二导电层和设于所述第二导电层一侧的存储堆叠层；刻蚀所述存储堆叠层和所述第二导电层，以在所述第一区域中形成沿第二方向延伸的凹槽，且去除所述第二区域中的所述存储堆叠层和所述第二导电层；其中，所述第一区域中刻蚀后的所述第二导电层形成第二导电线，所述第一区域中刻蚀后的所述存储堆叠层形成所述存储堆叠条；在所述第一区域的凹槽中和所述第二区域中形成第一材料层；对所述第一区域和所述第二区域进行第三平坦化处理，以暴露出所述第一区域中的所述存储堆叠条表面；其中，所述第一方向和所述第二方向相交。
12、在一些实施例中，所述第一区域和所述第二区域均设于切割道区域中。
13、本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法。本公开实施例中，初始半导体结构包括第一区域和第二区域，且第二区域中的第一材料层表面低于第一区域中的第一材料层表面；在第一区域和第二区域中形成第二材料层、第三材料层和第四材料层；对第一区域和第二区域进行平坦化处理，由于对第三材料层的去除速率小于对第二材料层的去除速率，进行平坦化处理之后，可以暴露出第一区域中的存储堆叠条表面和第二区域中的第三材料层表面。如此，可以增大对第二材料层进行平坦化处理的窗口，以及提高第二区域中的第三材料层的表面平整度，有利于后续在第二区域中的第三材料层之上形成对准标记，以提高底部字线和顶部字线之间的对准质量，进而提高制造半导体器件的良率。
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1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1或3所述的制造方法，其特征在于，所述第二区域中的所述第四材料层表面低于所述第一区域中的所述第二材料层表面；所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理，包括：
6.根据根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，去除所述第一区域中的所述第三材料层的过程中使用双研磨剂；其中，所述双研磨剂包括氧化助剂，所述氧化助剂包括K2FeO4、KMnO4和H2O2中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述存储堆叠条依次包括第一电极层、选通层、第二电极层、相变层和第三电极层；所述对所述第
8.根据根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之后，所述第二区域中的所述第三材料层的表面平整度＜50埃。
9.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述提供初始半导体结构，包括：
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域均设于切割道区域中。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1或3所述的制造方法，其特征在于，所述第二区域中的所述第四材料层表面低于所述第一区域中的所述第二材料层表面；所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域和所述第二区域进行平坦化处理，包括：
6.根据根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，去除所...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺祖茂，刘峻，王恩博，陈彬，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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