【技术实现步骤摘要】
本申请总体上涉及电子器件领域，并且更具体的，涉及一种半导体器件及其制备方法、存储系统。
技术介绍
1、半导体结构中的晶体管在集成电路中被广泛用于开关器件或者驱动装置。例如，动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)的存储单元可包括晶体管和电容结构，通过晶体管控制电容结构的数据写入或者读取。
2、然而，在三维集成的dram中，一个晶体管和一个电容结构构成一个存储单元，在制备工艺中，如何改善刻蚀工艺是目前亟待解决的问题。
3、申请内容
4、本申请的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，旨在改善形成半导体柱体的刻蚀均一性。
5、第一方面，本申请提供一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法包括：
6、获取一个包括停止层的基底；
7、在所述停止层上形成半导体层；
8、在所述半导体层内形成半导体柱体，所述半导体柱体在第一方向和第二方向阵列排布且沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此相交；
9、形成沿所述第三方向延伸的栅线结构，所述栅线结构位于在所述第一方向相邻的两行所述半导体柱体之间。
10、在一些实施例中，所述在所述半导体层内形成半导体柱体的步骤，包括：
11、形成沿所述第一方向延伸的第一沟槽，并于所述第一沟槽中形成间隔体，所述第一沟槽沿所述第三方向贯穿所述半导体层且以所述停止层为底；
12、形成沿所述第二方向延伸的第二沟槽，所述第
13、在一些实施例中，所述半导体层包括非晶硅，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤包括：
14、在所述第二沟槽的底部形成底部隔离结构；
15、在所述第二沟槽的侧壁依次形成位于所述底部隔离结构上的沟道层、第一绝缘层、栅极层和填充绝缘层。
16、在一些实施例中，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤，还包括：
17、在所述半导体柱体的侧壁与所述沟道层之间形成第二绝缘层。
18、在一些实施例中，所述半导体层包括多晶硅，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤，包括：
19、在所述第二沟槽的底部形成底部隔离结构；
20、在所述第二沟槽的侧壁中依次形成位于所述底部隔离结构上的第一绝缘层、栅极层和填充绝缘层。
21、在一些实施例中，所述半导体器件的制备方法还包括：
22、对所述半导体柱体背离所述停止层的一端进行离子掺杂而形成源极；
23、在所述半导体柱体背离所述停止层的一侧形成电容。
24、在一些实施例中，所述半导体器件的制备方法还包括：
25、去除所述基底；
26、对所述半导体柱体远离所述电容的一端进行离子掺杂而形成漏极；
27、形成连接所述漏极的位线。
28、在一些实施例中，所述半导体器件的制备方法还包括：
29、形成沿所述第二方向延伸的隔离槽，所述隔离槽沿所述第三方向贯穿所述半导体层和所述间隔体，且位于相邻两个所述第二沟槽之间；
30、在所述隔离槽和所述第二沟槽中形成牺牲层；
31、去除位于所述隔离槽中的所述牺牲层；
32、在所述隔离槽中形成遮蔽结构；
33、去除位于所述第二沟槽中的所述牺牲层。
34、在一些实施例中，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤，还包括：
35、对所述第二沟槽的侧壁进行刻蚀，以扩大所述第二沟槽在所述第一方向的宽度；
36、其中，所述第二沟槽沿所述第一方向的宽度，大于所述隔离槽沿所述第一方向的宽度。
37、在一些实施例中，所述获取一个包括停止层的基底的步骤，包括：
38、获取衬底；
39、在所述衬底上形成氧化层作为所述停止层。
40、第二方面，本申请提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：
41、如上述任一实施例中的半导体器件的制备方法所制成的半导体结构。
42、第三方面，本申请提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：
43、半导体柱体，在第一方向和第二方向阵列排布且沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此相交；
44、栅线结构，沿所述第三方向延伸，且位于在所述第一方向相邻的两行所述半导体柱体之间；
45、其中，所述半导体柱体包括多晶硅或非晶硅。
46、在一些实施例中，所述半导体柱体包括非晶硅，所述半导体器件还包括：
47、沟道层，位于所述半导体柱体和所述栅线结构之间；
48、第一绝缘层，位于所述沟道层和所述栅线结构之间。
49、在一些实施例中，所述半导体器件还包括：
50、第二绝缘层，位于所述沟道层和所述半导体柱体之间。
51、第四方面，本申请提供一种存储系统，包括：
52、上述任一实施例中的半导体器件；
53、控制器，所述控制器与所述半导体器件电连接，用于控制所述半导体器件存储数据。
54、本申请提供一种半导体器件及其制备方法、存储系统，半导体器件的制备方法包括先获取包括停止层的基底，再在停止层上形成半导体层，然后在半导体层内形成半导体柱体。半导体柱体在第一方向和第二方向阵列排布且沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此相交。最后形成沿所述第三方向延伸的栅线结构，所述栅线结构位于在所述第一方向相邻的两行所述半导体柱体之间。由于半导体层形成在停止层上，因此在半导体层内通过刻蚀工艺形成半导体柱体时，刻蚀工艺可以停在停止层上，从而可以改善半导体层的刻蚀均一性。
技术实现思路
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1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体层内形成半导体柱体的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括非晶硅，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤，还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括多晶硅，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括：
8.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述获取一个包括停止层的基底的步骤，包括：
11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
12.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体柱体包括非晶硅，所述半导体器件还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
15.一种存储系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体层内形成半导体柱体的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括非晶硅，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤，还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括多晶硅，所述形成沿所述第三方向延伸的栅线结构的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐兆云，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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