【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、量子点是一种尺寸在1～10nm的半导体团簇，由于量子尺寸效应，具有带隙可调的光电子性质，通过调控量子点的大小可实现所需的特定波长的发光，可应用于发光二极管、太阳能电池、生物荧光标记等领域，其中，量子点可分为ⅱ-ⅵ族量子点(如cdse，cds，cdte，znse，zns等)，ⅲ-ⅴ族量子点(如gaas、inas、inp等)，碳量子点或硅量子点，目前研究较多的是cdse qds，其发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。
2、在传统的无机电致发光器件中，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光，宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击qds使其发光，半导体量子点材料作为一种新型的无机半导体荧光材料，具有重要的商业应用价值。
3、然而，以多个功能层材料堆叠形成的量子点发光二极管(qled)，由于不同功能层之间的折射率具有较大差异，容易产生光能损耗，虽然已有多种方法可用于降低qled器件的光能损耗，如在qled器件的外部添加透镜，或是利用光刻、纳米压印等技术形成光栅结构等，但这些方法均需增加较为复杂的工序，从而导致制备成本上升，而制备效率与良率下降。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置。
2、本申请的技术方案如下：
3、第一方面，本申请提出一种发光器件，包括相对设置的阳极和阴极、设置于所述阳极和所
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子传输层的材料包括所述n型半导体材料和分散于所述n型半导体材料之间的所述高折射率材料。
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述高折射率材料设置于所述电子传输层内靠近所述发光层的一侧。
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述n型半导体材料和所述高折射率材料的摩尔比为1：0.001～1：0.05。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述高折射率材料的平均粒径为15-25nm；和/或
8、所述n型半导体材料的平均粒径为5-12nm。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述高折射率材料选自高分子化合物或第一化合物中的一种，其中，所述高分子化合物选自聚(甲基丙烯酸五溴苯酯)、聚(五溴苄基丙烯酸酯)、聚(五溴苄基甲基丙烯酸酯)、聚(2,4,6-三溴苯基甲基丙烯酸酯)、聚(乙烯基苯基硫酸酯)、聚(2-乙烯基噻吩)、聚(2-氯苯乙烯)中的至少一种或以上聚合物单体的嵌段共聚物；所述第一化合物包括钛化合物、锆化合物、铌化合物、钽化合物、铪化合物中的一种或多种，所述钛化合物包括二氧化钛，所述锆化合物包括氧化锆，所述铌化合物包括氧化铌，所述钽化合物包括氧化钽，所述铪化合物包括氧化铪；和/或
10、所述n型半导体材料选自金属氧化物、掺杂金属氧化物、ⅱ-ⅵ族半导体材料、ⅲ-ⅴ族半导体材料及ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料中的至少一种，所述金属氧化物选自zno、bao、tio2、sno2中的至少一种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物选自zno、tio2、sno2中的至少一种，掺杂元素选自al、mg、li、in、ga中的至少一种，掺杂比例为0-50％；所述ⅱ-ⅵ族半导体材料选自zns、znse、cds中的至少一种；所述ⅲ-ⅴ族半导体材料选自inp、gap中的至少一种；所述ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料选自cuins、cugas中的至少一种。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阴极和所述阳极选自掺杂金属氧化物颗粒电极、金属与金属氧化物的复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物颗粒电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的一种或几种，所述金属与金属氧化物的复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns，所述金属电极的材料选自ag、al、cu、mo、au、pt、si、ca、mg及ba中的一种或几种；和/或
12、所述发光层的材料为有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料、dbp荧光材料、延迟荧光材料、tta材料、热活化延迟材料、含有b-n共价键合的聚合物、杂化局域电荷转移激发态材料、激基复合物发光材料中的一种或几种，所述量子点发光材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的一种或几种，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，包括相对设置的阳极和阴极、设置于所述阳极和所述阴极之间的发光层、设置于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的材料包括N型半导体材料和高折射率材料，其中，所述高折射率材料的折射率大于1.5。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括所述N型半导体材料和分散于所述N型半导体材料之间的所述高折射率材料。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述高折射率材料设置于所述电子传输层内靠近所述发光层的一侧。
4.根据权利要求1-3中任一所述的发光器件，其特征在于，所述N型半导体材料和所述高折射率材料的摩尔比为1：0.001～1：0.05。
5.根据权利要求1-3中任一所述的发光器件，其特征在于，所述高折射率材料的平均粒径为15-25nm；和/或
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述高折射率材料选自高分子化合物或第一化合物中的一种，其中，所述高分子化合物选自聚(甲基丙烯酸五溴苯酯)、聚(五溴苄基丙烯酸酯)、聚(五溴苄基甲基丙烯酸酯)、聚(
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述阴极和所述阳极选自掺杂金属氧化物颗粒电极、金属与金属氧化物的复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物颗粒电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的一种或几种，所述金属与金属氧化物的复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS，所述金属电极的材料选自Ag、Al、Cu、Mo、Au、Pt、Si、Ca、Mg及Ba中的一种或几种；和/或
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括设置于所述阳极极和所述发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层；
9.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述在所述发光层上形成电子传输层的步骤，包括：
11.根据权利要求9所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述在所述阴极上形成电子传输层的步骤，包括：
12.根据权利要求9-11中任一所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层内的所述N型半导体材料和所述高折射率材料的摩尔比为1：0.001～1：0.05；和/或
13.根据权利要求9-11中任一所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述高折射率材料选自高分子化合物或锆化合物中的一种，其中，所述高分子化合物选自聚(甲基丙烯酸五溴苯酯)、聚(五溴苄基丙烯酸酯)、聚(五溴苄基甲基丙烯酸酯)、聚(2,4,6-三溴苯基甲基丙烯酸酯)、聚(乙烯基苯基硫酸酯)、聚(2-乙烯基噻吩)、聚(2-氯苯乙烯)中的至少一种；所述锆化合物选自氧化锆；和/或
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的发光器件，或包括权利要求9-13任一项所述的发光器件的制备方法所制备得到的发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括相对设置的阳极和阴极、设置于所述阳极和所述阴极之间的发光层、设置于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的材料包括n型半导体材料和高折射率材料，其中，所述高折射率材料的折射率大于1.5。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括所述n型半导体材料和分散于所述n型半导体材料之间的所述高折射率材料。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述高折射率材料设置于所述电子传输层内靠近所述发光层的一侧。
4.根据权利要求1-3中任一所述的发光器件，其特征在于，所述n型半导体材料和所述高折射率材料的摩尔比为1：0.001～1：0.05。
5.根据权利要求1-3中任一所述的发光器件，其特征在于，所述高折射率材料的平均粒径为15-25nm；和/或
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述高折射率材料选自高分子化合物或第一化合物中的一种，其中，所述高分子化合物选自聚(甲基丙烯酸五溴苯酯)、聚(五溴苄基丙烯酸酯)、聚(五溴苄基甲基丙烯酸酯)、聚(2,4,6-三溴苯基甲基丙烯酸酯)、聚(乙烯基苯基硫酸酯)、聚(2-乙烯基噻吩)、聚(2-氯苯乙烯)中的至少一种或以上聚合物单体的嵌段共聚物；所述第一化合物包括钛化合物、锆化合物、铌化合物、钽化合物、铪化合物中的一种或多种，所述钛化合物包括二氧化钛，所述锆化合物包括氧化锆，所述铌化合物包括氧化铌，所述钽化合物包括氧化钽，所述铪化合物包括氧化铪；和/或
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述阴极和所述阳极选自掺杂金属氧化物颗粒电极、金属与金属氧化物的复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物颗粒电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。