【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于污水处理，更具体地，涉及一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理方法和系统。
技术介绍
1、随着信息技术的日新月异，芯片作为电子设备的核心部件，其需求量急剧增加。然而，芯片制造是一个高度复杂和精密的过程，涉及到多个环节，如清洗、刻蚀、电镀等过程会产生含有各种污染物的废水。这类废水的成分复杂且浓度高，水量波动大，含有酸碱性物质、氟化物、过氧化氢、氨氮等，具有毒性，处理难度大。芯片企业大多采用针对某一类废水进行单独处理的方式，但是由于水质水量波动大，难以稳定运行，且大多采用的是物理和化学处理方法，化学药剂使用的成本较高，还可能产生二次污染。
2、针对芯片制造行业，开发出一套处理效果好，抗冲击能力强，经济节能的全流程处理工艺来解决当前处理工艺处理效果不稳定、投资和运行成本高的问题迫在眉睫。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理方法，解决现有的芯片企业大多采用针对某一类废水进行单独处理的方式，但是由于水质水量波动大，难以稳定运行，且大多采用的是物理和化学处理方法，化学药剂使用的成本较高，还可能产生二次污染的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理方法，包括：
3、依次连接的均和水质水量池、物化处理单元、生化处理单元和清水池；
4、所述物化处理单元包括依次连接的第一调节池、除氟单元、第二调节池和除过氧化氢单元，所述第一调节池
5、所述生化处理单元包括依次连接的第三调节池、自养脱氮单元和深度脱氮单元，所述第三调节池ph值为6.7-8.5，所述自养脱氮单元内设置固化载体，所述固化载体填充比例为5-15％，所述深度脱氮单元包括体积比为3:3:1的第一曝气区、非曝气区和第二曝气区，所述自养脱氮单元和所述第二曝气区内分别设置有第一内置沉淀池和第二内置沉淀池；
6、均和水质水量池充入废水，所述废水包括含氟废水、含过氧化氢废水、含氨氮废水、酸废水、碱废水；
7、调整所述自养脱氮单元的絮体状的活性污泥的污泥浓度为2～5g/l，通过调温设备调节进水温度28-30℃，水力停留时间30-100h，溶解氧为0.1～0.8mg/l，ph为7.0-8.5；
8、若所述自养脱氮单元内氨氮浓度高于50mg/l，则曝气调整溶解氧为0.6～0.8mg/l，和/或控制菌种活性调控制剂投加系统投加盐酸羟胺；
9、若所述自养脱氮单元内生成的硝态氮浓度与去除的氨氮浓度比值大于15％，则排放部分活性污泥；
10、调整所述深度脱氮单元絮体状的活性污泥的污泥浓度为2～5g/l，水力停留时间10-30h，第一曝气区溶解氧0.5-1.0mg/l，第二曝气区溶解氧0.1-0.8mg/l；
11、所述第一曝气区根据硝态氮浓度调整碳源投加，使硝态氮的的浓度在5-30mg/l内；
12、所述第二曝气区通过曝气控制氨氮浓度，若出水的氨氮浓度大于5mg/l，则曝气降低氨氮浓度。
13、可选地，所述锰砂催化剂投加系统以1kg锰砂去除100mg/l的过氧化氢配置，锰砂中有效成分二氧化锰含量大于40％；
14、若过氧化氢去除效率低于80％时，进行反冲洗、降低处理水量或更换部分锰砂。
15、本专利技术还提供一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理系统，包括：
16、依次连接的均和水质水量池、物化处理单元、生化处理单元和清水池；
17、所述物化处理单元包括依次连接的第一调节池、除氟单元、第二调节池和除过氧化氢单元，所述除氟单元设置有钙盐投药系统，所述除过氧化氢单元设置有锰砂催化剂投加系统；
18、所述生化处理单元包括依次连接的第三调节池、调温设备、自养脱氮单元和深度脱氮单元，所述自养脱氮单元内设置固化载体，所述深度脱氮单元包括体积比为3:3:1的第一曝气区、非曝气区和第二曝气区，所述自养脱氮单元和所述第二曝气区内分别设置有第一内置沉淀池和第二内置沉淀池；
19、所述第一调节池内设置有第一在线ph监测系统和第一反馈调节药剂投加系统；
20、所述除氟单元设置在线氟离子监测系统和钙盐药剂投加系统；
21、所述第二调节池内设置有第二在线ph监测系统和第二反馈调节药剂投加系统；
22、所述除过氧化氢单元设置有在线过氧化氢监测系统和锰砂催化剂投加系统；
23、所述第三调节池内设置有第三在线ph监测系统和第三反馈调节药剂投加系统；
24、所述自养脱氮单元设置有第四在线ph监测系统、第四反馈调节药剂投加系统、第一在线氨氮监测仪、第一在线硝态氮监测仪、第一在线do监测仪和第一内置沉淀池，所述第一内置沉淀池设置在所述自养脱氮单元的尾端，通过第一污泥回流管与所述自养脱氮单元首端连接；
25、所述第一曝气区设置有第二在线硝态氮监测仪和第二在线do监测仪；
26、所述非曝气区设置有碳源投加系统；
27、所述第二曝气区设置有第二在线氨氮监测仪和第三在线do监测仪。
28、可选地，所述第一在线do监测仪设置在所述自养脱氮单元的首端，所述第一在线氨氮监测仪和第一在线硝态氮监测仪设置在所述自养脱氮单元的尾端，位于所述第一内置沉淀池的出水渠内。
29、本专利技术提供一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理方法，其有益效果在于：
30、该方法将各种废水混合中和，相对于分别处理各废水减少酸碱中和药剂的使用，之后先利用物化单元物理除杂、除氟、除过氧化氢，再利用生化单元生化除氮。同时本申请使用自养脱氮-厌氧氨氧化反应进行脱氮，比氨吹脱、ao、mbr等工艺节约大量能源消耗，减少温室气体排放。整体具有工艺路线简单、处理效果好、投资和运行成本低等优点。
31、本专利技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于厌氧权氨氧化利的芯片废要水全流求程处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理方法，其特征在于，所述锰砂催化剂投加系统以1kg锰砂去除100mg/L的过氧化氢配置，锰砂中有效成分二氧化锰含量大于40％；
3.一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理系统，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理系统，其特征在于，所述第一在线DO监测仪设置在所述自养脱氮单元的首端，所述第一在线氨氮监测仪和第一在线硝态氮监测仪设置在所述自养脱氮单元的尾端，位于所述第一内置沉淀池的出水渠内。
【技术特征摘要】
1.一种基于厌氧权氨氧化利的芯片废要水全流求程处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于厌氧氨氧化的芯片废水全流程处理方法，其特征在于，所述锰砂催化剂投加系统以1kg锰砂去除100mg/l的过氧化氢配置，锰砂中有效成分二氧化锰含量大于40％；
3.一种基于厌氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：张树军，韩晓宇，王聪，孟春霖，郑冰玉，李尚坤，曲之明，焦佳童，谷鹏超，
申请(专利权)人：北京城市排水集团有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。