【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种硅片表面的去蜡清洗工艺方法、设备及硅片。
技术介绍
1、近年来，随着互联网技术的快速发展，半导体制造领域得到了快速的发展。半导体硅片是现代电子信息产业链中的重要原材料。硅片制造过程中，硅片制造的最后一道工序硅片清洗，是保证硅片品质的关键工序。经过化学机械抛光(cmp)的硅片表面的三大污染主要有：有机物、颗粒和金属污染。而硅片清洗则是通过清洗设备和药液去除以上三大污染，得到表面颗粒和金属水平良好的洁净硅片，以满足后端客户需求。硅片清洗工艺分为去蜡洗净和最终洗净两个步骤，去蜡洗净需要去除cmp后硅片表面的抛光蜡残留(有机物残留)、大部分颗粒和金属沾污，才能保证最终洗净的清洗质量。因此去蜡洗净的清洗能力越强，才能更有助于得到洁净硅片。传统的去蜡清洗工艺通常是标准的rca湿法清洗，主要利用sc-1药液(nh4oh+h2o2)和dhf(低浓度氢氟酸)去除硅片表面的三大残留，具有一定的去除效果，但不够有针对性。但在此洗净过程中仍会存在sc-1药液原液和药液槽体累积的部分金属(比如：铝，al)会带入硅片表面导致金属al偏高、有机物残留过多(蜡残留)无法充分洗净导致硅片表面有群集模式颗粒等问题。因此，需要开发出一种能同时改善硅片表面蜡残留和金属水平的去蜡洗净工艺解决上述难点。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种硅片表面的去蜡清洗工艺方法、设备及硅片，至少用以解决硅片清洗后表面仍存在金属al偏高、有机物残留过多等无法充分洗净的问题。本申请，在去蜡洗净工艺中
2、为实现上述目的，本申请的一些实施例提供了以下几个方面：
3、第一方面，本申请的一些实施例还提供了一种硅片表面的去蜡清洗工艺方法，包括：
4、在去蜡洗净工艺中，引入称装去蜡剂的槽位；
5、调整各槽位的称装的洗净药液，调整各槽位的排列顺序，以得到新洗净顺序；
6、按照新洗净顺序对硅片进行清洗。
7、第二方面，本申请的一些实施例还提供了一种设备，所述设备用于执行如上所述的硅片表面的去蜡清洗工艺方法。
8、第三方面，本申请的一些实施例还提供了一种硅片，所述硅片通过使用如上所述的硅片表面的去蜡清洗工艺方法获得。
9、第四方面，本申请的一些实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：一个或多个处理器；以及存储有计算机程序指令的存储器，所述计算机程序指令在被执行时使所述处理器执行如上所述方法的步骤。
10、第五方面，本申请的一些实施例还提供了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令可被处理器执行以实现如上所述的方法。
11、第六方面，本申请的一些实施例还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，该计算机程序/指令被处理器执行时实现如上所述方法的步骤。
12、与相关技术相比，本申请实施例提供的方案，通过在去蜡洗净工艺中，引入称装去蜡剂的槽位；调整各槽位的称装的洗净药液，调整各槽位的排列顺序，以得到新洗净顺序；按照新洗净顺序对硅片进行清洗。通过采用本方案，可以在原有去蜡洗净工艺上引入去蜡剂，达到既减少药液用量又能针对性改善蜡残留问题，以改善硅片表面颗粒水平，同时，通过调整原有洗净工艺的洗净药液顺序，提高硅片表面的金属去除能力，改善原工艺去蜡洗净后al偏高问题，以综合提高硅片的清洗效果。
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1.一种硅片表面的去蜡清洗工艺方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，引入称装去蜡剂的槽位为两个，分别位于4槽和5槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述4槽中的去蜡剂浓度为去蜡剂：水＝1：30；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述4槽和所述5槽的去蜡剂温度为40℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整各槽位的称装的洗净药液，调整各槽位的排列顺序，以得到新洗净顺序，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将称装有HF洗净药液的槽位向后移动，以得到新洗净顺序，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，新洗净顺序中将1槽、2槽、3槽以及14槽的洗净药液均确定为DIW。
8.一种设备，其特征在于，所述设备用于执行如权利要求1-7中任意一项所述的硅片表面的去蜡清洗工艺方法。
9.一种硅片，其特征在于，所述硅片通过使用如权利要求1-7中任意一项所述的硅片表面的去蜡清洗工艺方法获得。
【技术特征摘要】
1.一种硅片表面的去蜡清洗工艺方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，引入称装去蜡剂的槽位为两个，分别位于4槽和5槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述4槽中的去蜡剂浓度为去蜡剂：水＝1：30；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述4槽和所述5槽的去蜡剂温度为40℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整各槽位的称装的洗净药液，调整各槽位的排列顺序，以得到新洗净顺...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳惠，吴礼文，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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