【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波信号处理，具体地讲，涉及一种全光微波存储器。
技术介绍
1、实现高保真的微波存储器是一个长期存在的难题。雷达等领域的许多应用都需要对接收到的雷达脉冲进行可重新配置的高保真存储。微波存储器是电子对抗应用的重要组成部分。在此类应用中，射频存储器用于存储和重传一个或多个威胁雷达射频脉冲的副本。通过记忆雷达入射微波脉冲并在精心控制的时间重发，产生的干扰信号能够欺骗威胁雷达。
2、然而，由于微波频率下模数转换分辨率的限制，使用电子方法存储所需的高保真复杂波形微波雷达脉冲尤为困难。电子数字射频存储器是目前相干射频信号存储的唯一有效解决方案。然而，这种方法存在一个重要的局限性，即无法同时实现宽瞬时带宽和高动态范围性能。全光信号处理所特有的的高时间-带宽积为克服传统电子信号处理器有限的采样速度所造成的固有瓶颈提供了可能。基于光学移频环的全光微波存储器通过消除结构中电子元件的使用，克服了混合电子循环存储器回路中存储时间和瞬时带宽的限制，可高保真地存储复杂波形微波雷达脉冲。
3、然而，现有的基于光学移频环结构的全光微波存储器会受到光学移频环内光放大器的瞬态效应的影响，较长的增益恢复时间会使光学移频环内光脉冲的脉冲前沿与后沿得到不同程度的放大效果，从而严重限制了微波脉冲信号在全光存储器内的最大可存储次数。
技术实现思路
1、为了解决上述现有技术存在的问题，根据本专利技术的实施例提供了一种能够同时实现大瞬时带宽和高动态范围性能的全光微波存储器。
2、根
3、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述移频环还包括：波分复用器，设置在所述频率偏移器和所述延时光纤之间，所述波分复用器包括第一通道和第二通道，所述第一通道用于通过经所述频率偏移器移频后的存储光信号，所述第二通道用于将所述拉曼光纤放大器剩余的泵浦光导出所述移频环的光环路。
4、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述移频环还包括：色散补偿光纤，设置在所述延时光纤和所述拉曼光纤放大器之间，用于消除所述移频环的光环路中由光纤色散导致的信号畸变，且用作所述拉曼光纤放大器的增益介质。
5、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述移频环还包括：可调光滤波器，设置在所述拉曼光纤放大器和所述光耦合器之间，用于过滤掉所述拉曼光纤放大器所需增益带宽之外的自发辐射噪声。
6、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述频率偏移器为第一声光调制器或者双平行马赫曾德尔调制器。
7、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述全光微波存储器还包括：光源、偏振控制器、强度调制器、直流源、直流偏置器以及任意波形发生器；所述直流源用于产生直流信号，所述直流偏置器用于利用所述直流信号产生直流偏置信号，并将所述直流偏置信号输出至所述强度调制器，所述强度调制器用于在所述直流偏置信号的作用下工作于线性工作区；所述光源用于产生连续光信号，所述偏振控制器用于使所述连续光信号的偏振态与所述强度调制器内的起偏器方向相同，并将光信号输出至所述强度调制器，使所述强度调制器其输出的光信号的功率达到最大；所述任意波形发生器用于产生微波信号，所述直流偏置器还用于使所述微波信号通过并输出至所述强度调制器，所述强度调制器还用于利用所述微波信号对所述光信号进行强度调制，以将所述微波信号加载到所述光信号上。
8、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述全光微波存储器还包括：第二声光调制器以及光电探测器；所述第二声光调制器的驱动频率与输入至光耦合器的调制光信号频率一致，所述第二声光调制器用于接收所述光耦合器输出的读取光信号，所述光电探测器用于从所述第二声光调制器探测到所述读取光信号。
9、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述光耦合器为2×2光耦合器，所述光耦合器的第一输入端连接到所述拉曼光纤放大器，所述光耦合器的第二输入端连接到所述强度调制器，所述光耦合器的第一输出端连接到所述频率偏移器，所述光耦合器的第二输出端连接到所述第二声光调制器。
10、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述光耦合器的功率比为9:1。
11、在上述一方面提供的全光微波存储器的一个示例中，所述全光微波存储器还包括：第三声光调制器，用于使所述调制光信号实现频移，从而抑制环路的激射。
12、有益效果：根据本专利技术的实施例的全光微波存储器使用拉曼光纤放大器作为移频环中的光放大器对信号进行分布式放大，实现了超长持续时间的线性调频微波信号的多次且长时间的高保真存储。
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1.一种全光微波存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的全光微波存储器，其特征在于，所述移频环还包括：波分复用器，设置在所述频率偏移器和所述延时光纤之间，所述波分复用器包括第一通道和第二通道，所述第一通道用于通过经所述频率偏移器移频后的存储光信号，所述第二通道用于将所述拉曼光纤放大器剩余的泵浦光导出所述移频环的光环路。
3.根据权利要求1所述的全光微波存储器，其特征在于，所述移频环还包括：色散补偿光纤，设置在所述延时光纤和所述拉曼光纤放大器之间，用于消除所述移频环的光环路中由光纤色散导致的信号畸变，且用作所述拉曼光纤放大器的增益介质。
4.根据权利要求1所述的全光微波存储器，其特征在于，所述移频环还包括：可调光滤波器，设置在所述拉曼光纤放大器和所述光耦合器之间，用于过滤掉所述拉曼光纤放大器所需增益带宽之外的自发辐射噪声。
5.根据权利要求1至4任一项所述的全光微波存储器，其特征在于，所述频率偏移器为第一声光调制器或者双平行马赫曾德尔调制器。
6.根据权利要求1至4任一项所述的全光微波存储器，其特征在于，所述全
7.根据权利要求6所述的全光微波存储器，其特征在于，所述全光微波存储器还包括：第二声光调制器以及光电探测器；
8.根据权利要求7所述的全光微波存储器，其特征在于，所述光耦合器为2×2光耦合器，所述光耦合器的第一输入端连接到所述拉曼光纤放大器，所述光耦合器的第二输入端连接到所述强度调制器，所述光耦合器的第一输出端连接到所述频率偏移器，所述光耦合器的第二输出端连接到所述第二声光调制器。
9.根据权利要求8所述的全光微波存储器，其特征在于，所述光耦合器的功率比为9:1。
10.根据权利要求1所述的全光微波存储器，其特征在于，所述全光微波存储器还包括：第三声光调制器，用于使所述调制光信号实现频移，从而抑制环路的激射。
...【技术特征摘要】
1.一种全光微波存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的全光微波存储器，其特征在于，所述移频环还包括：波分复用器，设置在所述频率偏移器和所述延时光纤之间，所述波分复用器包括第一通道和第二通道，所述第一通道用于通过经所述频率偏移器移频后的存储光信号，所述第二通道用于将所述拉曼光纤放大器剩余的泵浦光导出所述移频环的光环路。
3.根据权利要求1所述的全光微波存储器，其特征在于，所述移频环还包括：色散补偿光纤，设置在所述延时光纤和所述拉曼光纤放大器之间，用于消除所述移频环的光环路中由光纤色散导致的信号畸变，且用作所述拉曼光纤放大器的增益介质。
4.根据权利要求1所述的全光微波存储器，其特征在于，所述移频环还包括：可调光滤波器，设置在所述拉曼光纤放大器和所述光耦合器之间，用于过滤掉所述拉曼光纤放大器所需增益带宽之外的自发辐射噪声。
5.根据权利要求1至4任一项所述的全光微波存储器，其特征在于，所述频率偏移器为第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王光英，宋超，张杰君，张俊逸，曹元，沃江海，冯新焕，姚建平，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：发明
国别省市：
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