【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体地涉及一种电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法、一种电路设计版图和扫描电镜图像的配准装置、一种机器可读存储介质及一种电子设备。
技术介绍
1、在半导体光刻工艺中，为了监控光刻工艺的质量，通常需要对光刻胶形成的图形的关键尺寸(critical dimension，cd)进行量测。量测人员利用设计版图建立量测菜单，量测关键尺寸的扫描电镜(critical dimension scanning electron microscope，cd-sem)根据量测菜单执行自动量测。在量测过程中，需要将设计版图与扫描电镜图像进行配准，以定位到预先设定的区域进行量测。
2、现有的设计版图与扫描电镜图像进行配准效率较慢、出错概率较高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例的目的是提供一种电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法、一种电路设计版图和扫描电镜图像的配准装置、一种机器可读存储介质及一种电子设备，该电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法能够高效、快速、准确地对扫描电镜图像与第一电路设计版图进行匹配，提升匹配效率和准确度。
2、为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，包括：
3、获取第一电路设计版图和扫描电镜图像，所述第一电路设计版图包括多个第一图形；
4、对所述第一电路设计版图中的各个第一图形进行图像处理，生成各个第一图形对应的扫描电镜模拟图形，以得到模拟电镜图像；
5、基于所述
6、在所述实际匹配范围内，将所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行配准，得到匹配结果。
7、在本申请实施例中，所述对所述第一电路设计版图中的各个第一图形进行图像处理，生成各个第一图形对应的扫描电镜模拟图形，以得到模拟电镜图像，包括：
8、对所述第一电路设计版图中的各个第一图形的线端进行切角处理，形成多个第二图形，以得到第二电路设计版图；
9、提取所述第二电路设计版图中各个第二图形的边缘，并对所述各个第二图形的边缘进行膨胀处理，形成多个轮廓图形，以得到第三电路设计版图；
10、分别将所述第二电路设计版图中的各个第二图形与所述第三电路设计版图中对应的轮廓图形进行合并，得到多个初始模拟图形，以得到第四电路设计版图；
11、对所述第四电路设计版图中的各个初始模拟图形进行图像模糊化处理和像素均匀化处理，生成各个第一图形对应的扫描电镜模拟图形，以得到模拟电镜图像。
12、在本申请实施例中，所述分别将所述第二电路设计版图中的各个第二图形与所述第三电路设计版图中对应的轮廓图形进行合并，得到多个初始模拟图形，以得到第四电路设计版图，包括：
13、基于预置的第一系数，调整所述第二电路设计版图中各个第二图形的像素值，得到新的第二电路设计版图；
14、基于预置的第二系数，调整所述第三电路设计版图中各个轮廓图的像素值，得到新的第三电路设计版图；其中，所述预置的第一系数和所述预置的第二系数之和为1；
15、分别将所述新的第二电路设计版图中的各个第二图形与所述新的第三电路设计版图中对应的轮廓图形进行合并，得到多个初始模拟图形，以得到第四电路设计版图。
16、在本申请实施例中，所述基于所述模拟电镜图像中各个扫描电镜模拟图像的分布，在所述模拟电镜图像中确定出实际匹配范围，包括：
17、在所述模拟电镜图像中确定第一方向和第二方向，所述第一方向和所述第二方向垂直；
18、基于所述模拟电镜图像中各个扫描电镜模拟图像的分布，判断所述各个扫描电镜模拟图像在所述第一方向和/或所述第二方向上是否周期排布；
19、在确定所述各个扫描电镜模拟图像在所述第一方向和/或所述第二方向上周期排布的情况下，基于扫描电镜模拟图像的排布周期，确定出实际匹配范围。
20、在本申请实施例中，所述将所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行配准，得到匹配结果，包括：
21、将所述模拟电镜图像按照预置的不同偏移量进行多次偏移，得到多个模拟电镜偏移图像；
22、分别计算各个模拟电镜偏移图像与所述扫描电镜图像的相似度，得到多个相关度值；
23、基于所述多个相关度值，得到匹配结果。
24、在本申请实施例中，所述模拟电镜图像具有若干阵列分布的像素点；
25、所述将所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行配准，得到匹配结果，包括：
26、分别对所述模拟电镜图像中每一行的像素点和每一列的像素点进行像素值累加，得到多个像素累加值；
27、判断所述多个像素累加值中是否有且仅有一个极大值；
28、在确定所述多个像素累加值中有且仅有一个极大值的情况下，对所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行列方向和行方向上的一维匹配，得到匹配结果；
29、在确定所述多个像素累加值中不止有一个极大值的情况下，对所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行列方向和行方向上的二维匹配，得到匹配结果。
30、在本申请实施例中，所述对所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行列方向和行方向上的一维匹配，得到匹配结果，包括：
31、将所述模拟电镜图像按照预置的不同偏移量进行多次偏移，得到多个模拟电镜偏移图像；
32、采用第一相似度计算方法分别计算各个模拟电镜偏移图像与所述扫描电镜图像的相似度，得到多个一维匹配相关度值；
33、基于所述多个一维匹配相关度值，得到匹配结果。
34、在本申请实施例中，所述采用第一相似度计算方法分别计算各个模拟电镜偏移图像与所述扫描电镜图像的相似度，得到多个一维匹配相关度值，包括：
35、对于每一个模拟电镜偏移图像，执行以下步骤：
36、分别对模拟电镜偏移图像中的每一行和每一列的像素点进行像素值累加，得到多个第一行像素累加值以及多个第一列像素累加值；
37、分别对所述扫描电镜图像的每一行和每一列的像素点进行像素值累加，得到多个第二行像素累加值以及多个第二列像素累加值；
38、分别计算各个第一行像素累加值与对应的第二行像素累加值的乘积，得到多个第一乘积；
39、分别计算各个第一列像素累加值与对应的第二列像素累加值的乘积，得到多个第二乘积；
40、计算所述多个第一乘积和所述多个第二乘积之和，得到各个模拟电镜偏移图像的相关度值，以得到多个一维匹配相关度值。
41、在本申请实施例中，所述对所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行列方向和行方向上的二维匹配，得到匹配结果，包括：
42、对所述模拟电镜图像进行多次偏移，得到多个模拟电镜偏移图像；
43、采用第二相似度计算方法分别计算各个模拟电镜偏移图像与所述扫描电镜图像的相似度，得到多本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述对所述第一电路设计版图中的各个第一图形进行图像处理，生成各个第一图形对应的扫描电镜模拟图形，以得到模拟电镜图像，包括：
3.根据权利要求2所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述分别将所述第二电路设计版图中的各个第二图形与所述第三电路设计版图中对应的轮廓图形进行合并，得到多个初始模拟图形，以得到第四电路设计版图，包括：
4.根据权利要求1所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述基于所述模拟电镜图像中各个扫描电镜模拟图像的分布，在所述模拟电镜图像中确定出实际匹配范围，包括：
5.根据权利要求1所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述将所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行配准，得到匹配结果，包括：
6.根据权利要求1所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述模拟电镜图像具有若干阵列分布的像素点；
<...【技术特征摘要】
1.一种电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述对所述第一电路设计版图中的各个第一图形进行图像处理，生成各个第一图形对应的扫描电镜模拟图形，以得到模拟电镜图像，包括：
3.根据权利要求2所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述分别将所述第二电路设计版图中的各个第二图形与所述第三电路设计版图中对应的轮廓图形进行合并，得到多个初始模拟图形，以得到第四电路设计版图，包括：
4.根据权利要求1所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述基于所述模拟电镜图像中各个扫描电镜模拟图像的分布，在所述模拟电镜图像中确定出实际匹配范围，包括：
5.根据权利要求1所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述将所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行配准，得到匹配结果，包括：
6.根据权利要求1所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述模拟电镜图像具有若干阵列分布的像素点；
7.根据权利要求6所述的电路设计版图和扫描电镜图像的配准方法，其特征在于，所述对所述模拟电镜图像与所述扫描电镜图像进行列...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈燕宁，刘芳，吴波，林泽邦，任堃，高大为，吴永玉，邓永峰，章明瑞，罗宗兰，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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