【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于导电胶，尤其涉及一种超低硬度银铜导电胶及其制备方法。
技术介绍
1、点胶工艺(formin place，fip)导电胶通过在板材点胶施工，室温或高温硫化后形成导电密封衬垫以达到电磁干扰(emi)屏蔽及环境密封效果。这类产品点胶前要具有适当的粘度和触变性以满足点胶速度和工艺要求，点胶后要具有一定的力学和电性能。随着技术的发展，电子元器件性能不断提升，同时电子器件不断小型化、轻量化，电子产品上的不同器件单元对接触应力越来越敏感，较大的接触应力使电子器件内部出现微变形，慢慢影响产品使用性能，终端产品的使用寿命与效率也大打折扣。
2、为了降低产品内部应力对电子产品的性能影响，继续开发更低硬度的银铜导电胶势在必行。
技术实现思路
1、根据以上现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种超低硬度银铜导电胶及其制备方法。
2、为实现以上目的，所采用的技术方案是：
3、本专利技术的目的之一在于提供一种超低硬度银铜导电胶，包括以下重量份的组分：
4、液体硅橡胶50-100份，稀释剂30-80份，扩链剂1-10份，耐热剂0.1-5份，偶联剂0.1-5份，抑制剂0.1-5份，导电填料100-400份；
5、进一步地，所述导电填料为银铜粉；所述银铜粉是通过化学镀的方法在铜粉表面镀银获得，所述铜粉为片状铜粉。
6、进一步地，所述银铜粉的粒径为20-50um。
7、进一步地，所述液体硅橡胶为硬度0-5a的双组分加
8、采取上述进一步技术方案的有益效果在于：选用低硬度高强度液体硅橡胶进一步保证产品对力学强度与硬度的要求。
9、进一步地，所述稀释剂为闪点35-85℃的煤油。
10、进一步地，所述扩链剂为50-500cp的双端乙烯基硅油，乙烯基含量为0.01％～0.03％。
11、进一步地，所述耐热剂为六苯氧基环三磷腈(hpctp)。
12、采取上述进一步技术方案的有益效果在于：耐热剂选为hpctp，具有独特的磷、氮杂化结构，表现出优异的热稳定性与耐热性的特点，可提高产品阻燃与热稳定性。
13、进一步地，所述偶联剂为3-缩水甘油基丙基三甲氧基硅烷。
14、进一步地，所述抑制剂为甲基丁炔醇。
15、本专利技术的第二个目的在于提供上述超低硬度银铜导电胶的制备方法，包括如下步骤：
16、将液体硅橡胶、稀释剂、扩链剂、耐热剂、偶联剂、抑制剂依次加入到搅拌釜中搅拌1h，转速为20-40r/min；然后通冷却循环水，控制料温低于30℃，然后加入导电填料搅拌1h，转速为20-40rpm；然后进行脱泡、灌装，即得所述超低硬度银铜导电胶。
17、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
18、本专利技术提供了一种超低硬度银铜导电胶，选用液体硅橡胶，流动性好、硫化快，更安全环保，保证产品对力学强度与硬度的要求；添加偶联剂提高粉体与胶体的结合性，同时提升产品固化时对无机材料与金属材料的粘附性；添加耐热剂提高产品热稳定性；导电填料选为银铜粉，通过化学镀的方法在铜粉表面镀银，提高银与铜粉的结合度；选用比表面积大的片状铜粉使银铜粉拥有更大比表面积，降低粉体体积电阻率，提高镀银速率，使铜粉表面的银层更均匀，银层更平整光滑，降低粉体自身电阻率，可以在保证满足电阻与屏蔽效能的前提下降低银含量，从而降低粉体填充量，可以显著降低产品硬度与成本，降低产品电阻和提高产品屏蔽效能，屏蔽效能可达到100db(0.3hz-10ghz)，拉伸强度大于1mpa，体积电阻率＜0.005ohm.cm，硬度＜30shorea，在满足产品对力学强度与屏蔽效能要求的前提下拥有更低的产品硬度，极大地降低胶体对电子元器件的内部应力，满足市场需求。
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1.一种超低硬度银铜导电胶，其特征在于，包括以下重量份的组分：液体硅橡胶50-100份，稀释剂30-80份，扩链剂1-10份，耐热剂0.1-5份，偶联剂0.1-5份，抑制剂0.1-5份，导电填料100-400份。
2.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述导电填料为银铜粉。
3.根据权利要求2所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述银铜粉的粒径为20-50um。
4.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述扩链剂为50-500cp的双端乙烯基硅油，乙烯基含量为0.01％～0.03％。
5.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述液体硅橡胶为硬度0-5A的双组分加成型硅橡胶，拉伸强度＞1.5mpa。
6.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述耐热剂为六苯氧基环三磷腈。
7.根据权利要求6所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述稀释剂为闪点35-85℃的煤油。
8.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述偶联剂为3-缩水甘油基丙
9.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述抑制剂为甲基丁炔醇。
10.一种如权利要求1～9任一项所述超低硬度银铜导电胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将液体硅橡胶、稀释剂、扩链剂、耐热剂、偶联剂、抑制剂依次加入到搅拌釜中搅拌1h，转速为20-40r/min；然后通冷却循环水，控制料温低于30℃，然后加入导电填料搅拌1h，转速为20-40rpm；然后进行脱泡、灌装，即得所述超低硬度银铜导电胶。
...【技术特征摘要】
1.一种超低硬度银铜导电胶，其特征在于，包括以下重量份的组分：液体硅橡胶50-100份，稀释剂30-80份，扩链剂1-10份，耐热剂0.1-5份，偶联剂0.1-5份，抑制剂0.1-5份，导电填料100-400份。
2.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述导电填料为银铜粉。
3.根据权利要求2所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述银铜粉的粒径为20-50um。
4.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述扩链剂为50-500cp的双端乙烯基硅油，乙烯基含量为0.01％～0.03％。
5.根据权利要求1所述超低硬度银铜导电胶，其特征在于，所述液体硅橡胶为硬度0-5a的双组分加成型硅橡胶，拉伸强度＞1.5mpa。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：万炜涛，齐东东，孙明娟，王红玉，
申请(专利权)人：深圳德邦界面材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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