System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种全致密高性能磁体的制备方法技术_技高网

一种全致密高性能磁体的制备方法技术

技术编号:44277844 阅读:7 留言:0更新日期:2025-02-14 22:16
本发明专利技术公开了一种全致密高性能磁体的制备方法,属于磁性材料技术领域。该制备方法包括:采用熔体快淬法分别制备SmCo5和Al‑Ni‑Co‑Cu‑Fe‑Ce的非晶或纳米晶薄带合金,并将其按一定质量比例混合后通过在取向磁场中进行预压制成型,随后磁体进行原位高压扭转热处理,得到最终高致密磁体。本发明专利技术工艺过程简单,易操作,有利于高性能复合磁体在更多永磁器件中的应用,以满足市场需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁性材料,尤其涉及一种全致密高性能磁体的制备方法


技术介绍

1、随着稀土磁性材料研究的不断深入和应用领域的不断拓展,高效平衡节约利用稀土资源,开发资源节约型高性能稀土永磁材料,以满足低碳经济、高新技术产业和国防尖端应用的需求。smco5合金具有最高的磁晶各向异性常熟(k1≈15~19×103kj/m3),饱和磁化强度ms:0.59t,居里温度tc:740℃,其理论磁能积达到224.9kj/m3。alnico合金正是由al、ni、co、cu、fe等元素组成的,其中fe、co、ni是具有最高磁矩的元素,由其组成的fe-co相具有最高的磁矩。同时,在alnico合金中加入微量的稀土元素有助于硬磁相单轴形状各向异性有所提高。

2、为此,本专利技术创造性的通过熔体快淬法分别制备smco5和al-ni-co-cu-fe-ce的非晶或纳米晶薄带合金,并将其按一定质量比例混合后通过在取向磁场中进行预压制成型,随后磁体进行原位高压扭转热处理,得到最终高致密磁体。


技术实现思路

1、针对现有技术中存在的问题,本专利技术目的在于提供一种全致密高性能磁体的制备方法。

2、本专利技术的全致密高性能磁体的制备方法,包括如下步骤:

3、(1)采用熔体快淬法分别制备按名义成分为smco5和按质量百分比的al8.5ni15.5co26cu4fe44ce2的非晶或纳米晶薄带合金,铜辊转速为10~50m/s;

4、(2)将步骤(1)获得的smco5和al-ni-co-cu-fe-ce合金薄带按一定质量比例混合后在取向磁场中进行预压制成型,获得直径为5cm且高度为4cm的圆柱磁体;

5、(3)将步骤(3)获得的圆柱磁体进行原位高压扭转热处理,得到最终高致密磁体。

6、进一步的,步骤(2)中所述的smco5和al-ni-co-cu-fe-ce合金薄带的质量比为1:0.1~1,所述的取向磁场的磁场强度为0.1~1t,压力为50~150mpa。

7、进一步的,步骤(3)中所述的原位高压扭转热处理的压力为400~900mpa,扭转圈数为2~4圈,扭转速率为10°/min,原位的热处理温度为700~1050℃,热处理时间为70~150min。

8、与现有的技术相比,本专利技术具有如下优点和有益效果:本专利技术创造性的通过熔体快淬法分别制备smco5和al-ni-co-cu-fe-ce的非晶或纳米晶薄带合金,并将其按一定质量比例混合后通过在取向磁场中进行预压制成型,随后磁体进行原位高压扭转热处理,可以有效提升合金中的有序结构晶态相的含量;同时,在smco5合金中加入al-ni-co-cu-fe-ce合金,进而形成的共晶组织的组成相可成为smco5的晶界相,提高晶界能,增强磁畴的钉扎效应,从而有望提高矫顽力和磁化强度,最终获得全致密高性能磁体。本专利技术工艺过程简单,易操作,有利于高性能复合磁体在更多永磁器件中的应用,以满足市场需求。

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【技术保护点】

1.一种全致密高性能磁体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种全致密高性能磁体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所述的SmCo5和Al-Ni-Co-Cu-Fe-Ce合金薄带的质量比为1:0.1~1,所述的取向磁场的磁场强度为0.1~1T,压力为50~150MPa。

3.根据权利要求1所述的一种全致密高性能磁体的制备方法,其特征在于:步骤(3)中所述的原位高压扭转热处理的压力为400~900MPa,扭转圈数为2~4圈,扭转速率为10°/min,原位的热处理温度为700~1050℃,热处理时间为70~150min。

【技术特征摘要】

1.一种全致密高性能磁体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种全致密高性能磁体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所述的smco5和al-ni-co-cu-fe-ce合金薄带的质量比为1:0.1~1,所述的取向磁场的磁场强度为0.1~1t,压力为...

【专利技术属性】
技术研发人员:泮敏翔刘冰玉俞能君吴琼葛洪良
申请(专利权)人:绵阳量大技术创新服务有限公司
类型:发明
国别省市:

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