【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种制造方法及光刻机设备。
技术介绍
1、在半导体制造领域中，为了提高工艺层之间的套刻精准性，通常会预先形成对准标记。
2、在一些半导体器件的制造过程中，由于工艺需求，会旋涂较厚的光刻胶，以执行光刻工艺。而在进行光刻工艺时，需要根据对准标记进行对准操作。
3、然而，在通过探测光探测对准标记时，无法探测到对准标记或者探测效果较差，得到的对准信号的强度较弱，这将降低光刻质量。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种制造方法及光刻机设备，能够提升光刻工艺的质量。
2、本专利技术实施例提供一种制造方法，包括：
3、提供半导体衬底，所述半导体衬底被划分为第一区域和第二区域，所述第一区域包含多个完整曝光区域，所述第二区域包含多个非完整曝光区域；
4、在所述第一区域以及第二区域的半导体衬底上形成前层对准标记；
5、形成光刻胶，所述光刻胶覆盖所述前层对准标记；
6、对一部分第二区域的光刻胶进行第一次曝光处理，然后去除被曝光的光刻胶，露出位于该部分第二区域的前层对准标记；
7、以露出的所述前层对准标记为基准，对所述半导体衬底进行第二次曝光处理。
8、可选地，多个非完整曝光区域包括第一非完整曝光区域和第二非完整曝光区域，且所述第一非完整曝光区域和所述第二非完整曝光区域设置于所述半导体衬底的相对位置。
9、可选地，所述对一部分第二
10、配置针对所述半导体衬底的工艺清单，所述工艺清单包括曝光处理的次数，以及曝光条件，其中，所述曝光处理的次数为两次，且第一次曝光处理的曝光条件为选定所述第二区域中的至少一个非完整曝光区域，并勾除所述第一区域，所述第二次曝光处理的曝光条件为选定所述第一区域中的各个完整曝光区域，并勾除所述第二区域中的部分或全部非完整曝光区域。
11、可选地，在所述第一区域以及第二区域的半导体衬底上形成前层对准标记的方法包括以下至少一种：
12、在所述半导体衬底上形成待处理层；在所述待处理层中形成沟槽，所述沟槽露出所述半导体衬底的表面，且所述沟槽作为所述前层对准标记；
13、在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层内形成开口，所述开口露出所述半导体衬底的表面；在所述开口内形成待处理层；形成所述待处理层后，去除所述介质层，并将相邻所述待处理层的侧壁，与所述半导体衬底表面之间的区域，作为所述前层对准标记；
14、在形成光刻胶的步骤中，所述光刻胶覆盖所述待处理层的表面，并填充所述沟槽。
15、可选地，所述待处理层为金属接触层。
16、可选地，沿所述半导体衬底表面的法线方向，所述待处理层的厚度为3μm至5μm。
17、可选地，在所述半导体衬底上形成待处理层之前，形成方法还包括：
18、在所述半导体衬底上形成介电层；
19、所述前层对准标记露出所述介质层的表面。
20、可选地，沿所述半导体衬底表面的法线方向，所述介电层的厚度为0.5μm至0.7μm。
21、可选地，所述形成光刻胶之前，形成方法还包括：
22、在所述待处理层上形成保护层，所述保护层还位于所述沟槽内；
23、在形成光刻胶的步骤中，所述光刻胶还覆盖所述保护层的表面。
24、可选地，沿所述半导体衬底表面的法线方向，所述光刻胶的厚度为4μm至6μm。
25、相应的，本专利技术实施例还提供一种光刻机设备，包括：
26、提供单元，用于提供半导体衬底，所述半导体衬底被划分为第一区域和第二区域，所述第一区域包含多个完整曝光区域，所述第二区域包含多个非完整曝光区域；
27、形成单元，用于在所述第一区域以及第二区域的半导体衬底上形成前层对准标记；
28、曝光单元，用于形成光刻胶，以及对一部分第二区域的光刻胶进行第一次曝光处理，然后去除被曝光的光刻胶，露出位于该部分第二区域的前层对准标记，且以露出的所述前层对准标记为基准，对所述半导体衬底进行第二次曝光处理，其中，所述光刻胶覆盖所述前层对准标记。
29、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
30、本专利技术实施例提供的制造方法中，半导体衬底被划分为第一区域和第二区域，其中，第一区域包含多个完整曝光区域，第二区域包含多个非完整曝光区域，且第一区域以及第二区域的半导体衬底上形成有前层对准标记，这样在进行光刻工艺时，由于非完整曝光区域不形成器件，因而可以通过进行第一次曝光处理，提前露出该部分第二区域的前层对准标记，进而可以以露出的前层对准标记为基准，对第二次曝光处理执行对准操作，从而能够提升第二次曝光处理的精度，使得能够对目标区域进行第二次曝光处理，提升光刻工艺的质量。
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1.一种制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，多个非完整曝光区域包括第一非完整曝光区域和第二非完整曝光区域，且所述第一非完整曝光区域和所述第二非完整曝光区域设置于所述半导体衬底的相对位置。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对一部分第二区域的光刻胶进行第一次曝光处理之前，形成方法还包括：
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一区域以及第二区域的半导体衬底上形成前层对准标记的方法包括以下至少一种：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述待处理层为金属接触层。
6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，沿所述半导体衬底表面的法线方向，所述待处理层的厚度为3μm至5μm。
7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成待处理层之前，形成方法还包括：
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，沿所述半导体衬底表面的法线方向，所述介电层的厚度为0.5μm至0.7μm。
9.根据权利要
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，沿所述半导体衬底表面的法线方向，所述光刻胶的厚度为4μm至6μm。
11.一种光刻机设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，多个非完整曝光区域包括第一非完整曝光区域和第二非完整曝光区域，且所述第一非完整曝光区域和所述第二非完整曝光区域设置于所述半导体衬底的相对位置。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对一部分第二区域的光刻胶进行第一次曝光处理之前，形成方法还包括：
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一区域以及第二区域的半导体衬底上形成前层对准标记的方法包括以下至少一种：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述待处理层为金属接触层。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴建明，刘攀，周国栋，黄烈杰，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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