【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件加工领域，尤其是研磨表面粗糙度控制方法、系统及研磨设备。
技术介绍
1、在晶圆等半导体器件减薄时，需要使研磨后的晶圆表面粗糙度符合要求。
2、在通过如申请公布号为cn116984975a或授权公告号为cn218639240u的专利文献所揭示的减薄设备进行晶圆研磨时，研磨机构的磨轮与晶圆接触后会以一定的速度向晶圆进给以使磨轮对晶圆施加一定的压力并进行研磨；在研磨过程中，通过厚度检测组件实时检测晶圆的厚度，当通过厚度检测组件测得晶圆的厚度达到目标厚度时，就会使研磨机构的磨轮立即向上抬升复位。
3、这种加工方式在最后阶段加工时，磨轮会对晶圆施加较大的压力，因此，不利于晶圆表面粗糙度的控制。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种研磨表面粗糙度控制方法、系统及研磨设备。
2、本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：
3、研磨表面粗糙度控制方法，包括如下步骤：
4、s1,在研磨机构使承片台上的工件研磨到预期目标厚度时，使研磨机构的主轴保持当前高度继续研磨第一时长；所述预期目标厚度大于实际目标厚度；
5、s2,使所述主轴以第一速度向上移动第一距离，在上移的过程中所述研磨机构继续研磨；所述第一距离不超过10微米，所述第一速度不大于使工件研磨到预期目标厚度时的进给速度；
6、s3,使所述主轴以第二速度向下移动所述第一距离,在下移的过程中所述主轴继续研
7、s4,使所述主轴在当前高度继续研磨第二时长；
8、s5,使所述主轴以第三速度上移第二距离后以大于所述第三速度的第四速度上移至等待位置，所述第二距离大于所述第一距离。
9、优选的，所述第一时长在8-13秒之间。
10、优选的，所述第一距离在4-8微米之间。
11、优选的，所述第二速度、第三速度不大于所述第一速度。
12、优选的，第二时长在4-6秒之间。
13、优选的，所述研磨机构分多个阶段将工件研磨到所述预期目标厚度，各阶段的进给速度不同。
14、优选的，在使主轴开始下移前，通过厚度测量组件检测所述承片台上的工件的实际厚度，并根据所述实际厚度与所述工件对应的标准厚度确定减速点高度，所述主轴移动到所述减速点高度时，降低进给速度。
15、优选的，在通过所述厚度测量组件测量所述承片台上的工件的实际厚度之前，在通过移载组件从定位机构处抓取工件时，确定所述工件的实际厚度是否超出所述厚度测量组件的量程。
16、研磨表面粗糙度控制系统，包括：
17、第一研磨单元,用于在研磨机构使承片台上的工件研磨到预期目标厚度时，使研磨机构的主轴保持当前高度继续研磨第一时长；所述预期目标厚度大于实际目标厚度；
18、抬升单元,用于使所述主轴以第一速度向上移动第一距离，在上移的过程中所述研磨机构继续研磨；所述第一距离不超过10微米，所述第一速度不大于使工件研磨到预期目标厚度时的进给速度；
19、下移单元,用于使所述主轴以第二速度向下移动所述第一距离,在下移的过程中所述主轴继续研磨；
20、第二研磨单元,用于使所述主轴在当前高度继续研磨第二时长；
21、复位单元,用于使所述主轴以第三速度上移第二距离后以大于所述第三速度的第四速度上移至等待位置，所述第二距离大于所述第一距离，所述等待位置即主轴未开始下移时的初始状态。
22、研磨设备，包括处理器及存储器，所述存储器中存储有可被所述处理器执行的程序，所述程序被执行时，实现如上任一所述的研磨表面粗糙度控制方法。
23、本专利技术技术方案的优点主要体现在：
24、本专利技术在研磨达到预期目标厚度时不是直接使磨轮以相对快的速度抬升复位，而是使磨轮原地继续研磨一段时间后再缓慢抬升微小的距离，接着再向下移动到之前的位置继续研磨一段时间后，再缓慢抬升到更高的高度后才快速复位，这样在最后阶段时，磨轮研磨时对晶圆施加较小的压力，从而可以有效减小磨轮和晶圆之间的摩擦，有利于获得更小的表面粗糙度，同时，由于是先将晶圆研磨到小于实际目标厚度的预期目标厚度，从而能够通过后续的继续研磨以达到实际目标厚度，且这样能够避免直接使磨轮抬升时，承片台因压力快速卸载而快速回弹造成型面变化造成晶圆与磨轮非正常研磨影响最终研磨质量的问题。
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1.研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：所述第一时长在8-13秒之间。
3.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：所述第一距离在4-8微米之间。
4.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：所述第二速度、第三速度不大于所述第一速度。
5.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：第二时长在4-6秒之间。
6.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：所述研磨机构分多个阶段将工件研磨到所述预期目标厚度，各阶段的进给速度不同。
7.根据权利要求1-6任一所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：在通过所述厚度测量组件测量所述承片台上的工件的实际厚度之前，在通过移载组件从定位机构处抓取工件时，确定所述工件的实际厚度是否超出所述厚度测量组件的量程。
9.研磨表面粗糙度控制系统，其特征在于，包括：<...
【技术特征摘要】
1.研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：所述第一时长在8-13秒之间。
3.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：所述第一距离在4-8微米之间。
4.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：所述第二速度、第三速度不大于所述第一速度。
5.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：第二时长在4-6秒之间。
6.根据权利要求1所述的研磨表面粗糙度控制方法，其特征在于：所述研磨机构分多个阶段将工件研磨到所...
【专利技术属性】
技术研发人员：董文豪，童永娟，赵锋，孙志超，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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