System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体散热装置及半导体器件制造方法及图纸_技高网

半导体散热装置及半导体器件制造方法及图纸

技术编号:44262526 阅读:3 留言:0更新日期:2025-02-14 22:07
本申请涉及半导体技术领域,公开了一种半导体散热装置及半导体器件,半导体散热装置包括薄膜基材,半导体芯片沿第一方向排列在薄膜基材的承载面上,第一方向为承载面的侧边的延展方向;树脂保护层,绕设于半导体芯片,且连接半导体芯片的侧边和薄膜基材的承载面;图形散热片,连接在半导体芯片背离薄膜基材的一侧且覆盖半导体芯片,图形散热片和半导体芯片之间填充有粘接材料层,以及粘接材料层进一步的充盈在图形散热片、树脂保护层和薄膜基材之间;在第一方向上,半导体芯片的端部凸出于粘接材料层,以及图形散热片的两侧开设有散热凹陷缺口,半导体芯片的端部对应在散热凹陷缺口内。本申请提高半导体芯片的散热效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体,具体涉及一种半导体散热装置。


技术介绍

1、在半导体集成电路中,随着半导体芯片性能的提高,其发热量也随之增加,作为一种散热手段,通常会贴附图形散热片材以提高散热效率,然而相关技术中,芯片与图形散热片贴合时一旦空气进入,由于没有排出空气的手段,空气会积聚在芯片和图形散热片之间,而空气积聚的区域由于空隙的存在,导致图形散热片无法紧密贴合芯片,减少了二者接触面积,进而降低了散热效率,使芯片温度升高而存在损坏风险,这种情况需要改变。


技术实现思路

1、鉴于此,本申请提供一种半导体散热装置及半导体器件,以提高半导体芯片的散热效果。

2、为实现以上目的,根据第一方面,采用的技术方案为:

3、一种半导体散热装置,包括:

4、薄膜基材,用于承载具有第一设定厚度的半导体芯片,以及所述半导体芯片沿第一方向排列在所述薄膜基材的承载面上,其中,所述第一方向为所述承载面的侧边的延展方向;

5、树脂保护层,绕设于所述半导体芯片,且连接所述半导体芯片的侧边和所述薄膜基材的承载面;

6、图形散热片,连接在所述半导体芯片背离所述薄膜基材的一侧且覆盖所述半导体芯片,所述图形散热片和所述半导体芯片之间填充有粘接材料层,以及所述粘接材料层进一步的充盈在所述图形散热片、所述树脂保护层和所述薄膜基材之间;

7、其中,在所述第一方向上,所述半导体芯片的端部凸出于所述粘接材料层,以及所述图形散热片和所述粘接材料层的两侧开设有散热凹陷缺口,所述半导体芯片的端部对应在所述散热凹陷缺口内。

8、本申请进一步设置为:在所述第一方向上,所述散热凹陷缺口由靠近所述半导体芯片向远离所述半导体芯片而渐扩。

9、本申请进一步设置为:所述粘接材料层包括第一散热材料部和第二散热材料部,所述第一散热材料部涂抹在所述图形散热片和所述半导体芯片之间,以及所述第二散热材料部连接所述第一散热材料部且充盈在所述图形散热片、所述树脂保护层和所述薄膜基材之间。

10、本申请进一步设置为:所述第一散热材料部的形成材料包括液态银浆或胶状导热粘合剂;以及所述胶状导热粘合剂包括银浆导热粘合剂、石墨烯基导热胶或陶瓷填料导热胶中的至少一种。

11、本申请进一步设置为:在第二方向上,所述第一散热材料部的垂直投影与所述半导体芯片的垂直投影位于同一中心线,且所述第一散热材料部的垂直投影部分覆盖所述半导体芯片的垂直投影,以及,所述第一散热材料部和所述第二散热材料部的垂直投影位于所述图形散热片的垂直投影的覆盖范围内,其中,所述第二方向垂直于所述薄膜基材的承载面和所述第一方向。

12、本申请进一步设置为:还包括运输胶带,用于在所述图形散热片连接至所述半导体芯片之前装载和运输所述图形散热片;

13、若干个所述图形散热片在所述运输胶带上间隔排列,以及所述粘接材料层连接在所述图形散热片和所述运输胶带之间。

14、本申请进一步设置为:所述运输胶带面向所述图形散热片的一侧设有调节槽,所述粘接材料层的第一散热材料部连接在所述图形散热片上且位于所述调节槽中,所述粘接材料层的第二散热材料部连接在所述图形散热片和所述运输胶带之间且排列于所述第一散热材料部的两侧。

15、本申请进一步设置为:还包括树脂散热层,所述树脂散热层涂布在所述半导体芯片和所述树脂保护层上,且包裹所述半导体芯片和所述树脂保护层,所述图形散热片连接在所述树脂散热层背离所述薄膜基材的一侧且所述图形散热片和所述树脂散热层之间填充所述粘接材料层。

16、本申请进一步设置为:所述半导体芯片具有小于所述第一设定厚度的第二设定厚度,将所述半导体芯片由所述第一设定厚度抛光至所述第二设定厚度后,所述半导体芯片背离所述薄膜基材的一侧具有一体式平面,所述图形散热片通过所述粘接材料层覆盖在所述一体式平面上。

17、根据第二方面,采用的技术方案为:

18、一种半导体器件,所述半导体器件包括如上述任一实施例所述的半导体散热装置。

19、综上所述,与现有技术相比,本申请公开了一种半导体散热装置及半导体器件,具体的,半导体芯片沿第一方向排列在薄膜基材的承载面上,树脂保护层绕设于半导体芯片,且连接半导体芯片的侧边和薄膜基材的承载面,图形散热片连接在半导体芯片背离薄膜基材的一侧且覆盖半导体芯片,其中,图形散热片和半导体芯片之间填充有粘接材料层,以及粘接材料层进一步的充盈在图形散热片、树脂保护层和薄膜基材之间,在第一方向上半导体芯片的端部凸出于粘接材料层,以及图形散热片的两侧开设有散热凹陷缺口,半导体芯片的端部对应在散热凹陷缺口内,即通过上述设置,规避图形散热片贴合于半导体芯片时,两者间可能的空气层积聚,并为此空气层构建排放通道,从而保证图形散热片与半导体芯片的紧密贴合,提高半导体芯片的散热效率。

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【技术保护点】

1.一种半导体散热装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体散热装置,其特征在于,在所述第一方向上,所述散热凹陷缺口由靠近所述半导体芯片向远离所述半导体芯片而渐扩。

3.如权利要求1所述的半导体散热装置,其特征在于,所述粘接材料层包括第一散热材料部和第二散热材料部,所述第一散热材料部涂抹在所述图形散热片和所述半导体芯片之间,以及所述第二散热材料部连接所述第一散热材料部且充盈在所述图形散热片、所述树脂保护层和所述薄膜基材之间。

4.如权利要求3所述的半导体散热装置,其特征在于,所述第一散热材料部的形成材料包括液态银浆或胶状导热粘合剂;以及所述胶状导热粘合剂包括银浆导热粘合剂、石墨烯基导热胶或陶瓷填料导热胶中的至少一种。

5.如权利要求3所述的半导体散热装置,其特征在于,在第二方向上,所述第一散热材料部的垂直投影与所述半导体芯片的垂直投影位于同一中心线,且所述第一散热材料部的垂直投影部分覆盖所述半导体芯片的垂直投影,以及,所述第一散热材料部和所述第二散热材料部的垂直投影位于所述图形散热片的垂直投影的覆盖范围内,其中,所述第二方向垂直于所述薄膜基材的承载面和所述第一方向。

6.如权利要求3所述的半导体散热装置,其特征在于,还包括运输胶带,用于在所述图形散热片连接至所述半导体芯片之前装载和运输所述图形散热片;

7.如权利要求6所述的半导体散热装置,其特征在于,所述运输胶带面向所述图形散热片的一侧设有调节槽,所述粘接材料层的第一散热材料部连接在所述图形散热片上且位于所述调节槽中,所述粘接材料层的第二散热材料部连接在所述图形散热片和所述运输胶带之间且排列于所述第一散热材料部的两侧。

8.如权利要求1所述的半导体散热装置,其特征在于,还包括树脂散热层,所述树脂散热层涂布在所述半导体芯片和所述树脂保护层上,且包裹所述半导体芯片和所述树脂保护层,所述图形散热片连接在所述树脂散热层背离所述薄膜基材的一侧且所述图形散热片和所述树脂散热层之间填充所述粘接材料层。

9.如权利要求1所述的半导体散热装置,其特征在于,所述半导体芯片具有小于所述第一设定厚度的第二设定厚度,将所述半导体芯片由所述第一设定厚度抛光至所述第二设定厚度后,所述半导体芯片背离所述薄膜基材的一侧具有一体式平面,所述图形散热片通过所述粘接材料层覆盖在所述一体式平面上。

10.一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括如权利要求1至9任一项所述的半导体散热装置。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体散热装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体散热装置,其特征在于,在所述第一方向上,所述散热凹陷缺口由靠近所述半导体芯片向远离所述半导体芯片而渐扩。

3.如权利要求1所述的半导体散热装置,其特征在于,所述粘接材料层包括第一散热材料部和第二散热材料部,所述第一散热材料部涂抹在所述图形散热片和所述半导体芯片之间,以及所述第二散热材料部连接所述第一散热材料部且充盈在所述图形散热片、所述树脂保护层和所述薄膜基材之间。

4.如权利要求3所述的半导体散热装置,其特征在于,所述第一散热材料部的形成材料包括液态银浆或胶状导热粘合剂;以及所述胶状导热粘合剂包括银浆导热粘合剂、石墨烯基导热胶或陶瓷填料导热胶中的至少一种。

5.如权利要求3所述的半导体散热装置,其特征在于,在第二方向上,所述第一散热材料部的垂直投影与所述半导体芯片的垂直投影位于同一中心线,且所述第一散热材料部的垂直投影部分覆盖所述半导体芯片的垂直投影,以及,所述第一散热材料部和所述第二散热材料部的垂直投影位于所述图形散热片的垂直投影的覆盖范围内,其中,所述第二方向垂直于所述薄膜基材的承载面和所述第一方向。

6.如权利要求3所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员:古贺刚皿井修张一帆
申请(专利权)人:深圳通锐微电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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