【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆承载领域，特别涉及一种晶圆承载盘及晶圆承载装置。
技术介绍
1、在半导体制备领域，需要对晶圆进行多种加工操作，以完成芯片的制备。现有在对晶圆进行加工及转移时，需要将晶圆放置在晶圆承载盘中进行转移，但现有单片晶圆承载盘只适用于单一尺寸的晶圆，在晶圆尺寸多变的工况下，需要利用多种晶圆承载盘进行承载作业，提高了处理成本。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术的目的在于提供一种晶圆承载盘及晶圆承载装置，解决了现有技术中在晶圆尺寸多变的工况下，需要利用多种晶圆承载盘进行承载的问题。
2、为解决上述技术问题，本技术提供了一种晶圆承载盘，包括晶圆承载盘主体；
3、所述晶圆承载盘主体中开设有多个晶圆承载凹槽；
4、多个所述晶圆承载凹槽沿预设方向依次排列设置，且多个所述晶圆承载凹槽之间的尺寸沿所述预设方向减小；
5、多个所述晶圆承载凹槽的底面形成阶梯状结构，且所述晶圆承载盘主体的表面暴露出全部尺寸的所述晶圆承载凹槽的全部底面；每个所述晶圆承载凹槽的底面分别作为承载对应尺寸晶圆的底面；
6、所述预设方向为所述晶圆承载盘主体开设多个所述晶圆承载凹槽的表面，指向所述晶圆承载盘主体的内部的方向，且所述预设方向与多个所述晶圆承载凹槽的底面垂直。
7、可选的，多个所述晶圆承载凹槽的圆心沿所述预设方向重合。
8、可选的，多个所述晶圆承载凹槽之间的尺寸，沿所述预设方向呈等差递减。
9、可选的，多个所述晶圆承载
10、可选的，每个所述晶圆承载凹槽的侧壁垂直于所述晶圆承载凹槽的底面。
11、可选的，每个所述晶圆承载凹槽的侧壁的高度，大于或等于待承载晶圆的厚度的二分之一。
12、可选的，每个所述晶圆承载凹槽的边缘开设有至少一个缺口。
13、可选的，所述缺口为弧形缺口。
14、可选地，每个所述晶圆承载凹槽的侧壁的顶部拐角处，设置有倒角结构。
15、可选的，所述倒角结构为弧形倒角结构。
16、本技术还提供了一种晶圆承载装置，包括：
17、晶圆承载装置基底，以及多个如上述的晶圆承载盘；
18、多个所述晶圆承载盘分布在所述晶圆承载装置基底的表面。
19、可见，本技术提供的晶圆承载盘，包括晶圆承载盘主体，晶圆承载盘主体中开设有多个晶圆承载凹槽，多个晶圆承载凹槽沿预设方向依次排列设置，且多个晶圆承载凹槽之间的尺寸沿预设方向减小，多个晶圆承载凹槽的底面形成阶梯状结构，且晶圆承载盘主体的表面暴露出全部尺寸的晶圆承载凹槽的全部底面，每个晶圆承载凹槽的底面分别作为承载对应尺寸晶圆的底面，预设方向为晶圆承载盘主体开设多个晶圆承载凹槽的表面，指向晶圆承载盘主体的内部的方向，且预设方向与多个晶圆承载凹槽的底面垂直。本技术通过在晶圆承载盘主体中设置多个尺寸的晶圆承载凹槽，能够在对晶圆进行转移及对应操作时，能够利用一个晶圆承载盘适配多种尺寸的晶圆，扩展了一个晶圆承载盘的应用场景，降低了单片晶圆承载成本。
20、此外，本技术还提供了一种晶圆承载装置，同样具有上述有益效果。
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1.一种晶圆承载盘，其特征在于，包括晶圆承载盘主体；
2.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，多个所述晶圆承载凹槽的圆心沿所述预设方向重合。
3.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，多个所述晶圆承载凹槽之间的尺寸，沿所述预设方向呈等差递减。
4.根据权利要求3所述的晶圆承载盘，其特征在于，多个所述晶圆承载凹槽的尺寸，沿所述预设方向，由12寸等差递减至2寸。
5.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，每个所述晶圆承载凹槽的侧壁垂直于所述晶圆承载凹槽的底面。
6.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，每个所述晶圆承载凹槽的侧壁的高度，大于或等于待承载晶圆的厚度的二分之一。
7.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，所述缺口为弧形缺口。
8.根据权利要求1至7任一项所述的晶圆承载盘，其特征在于，每个所述晶圆承载凹槽的侧壁的顶部拐角处，设置有倒角结构。
9.根据权利要求8所述的晶圆承载盘，其特征在于，所述倒角结构为弧形倒角结构。
10.一种晶圆承载
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载盘，其特征在于，包括晶圆承载盘主体；
2.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，多个所述晶圆承载凹槽的圆心沿所述预设方向重合。
3.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，多个所述晶圆承载凹槽之间的尺寸，沿所述预设方向呈等差递减。
4.根据权利要求3所述的晶圆承载盘，其特征在于，多个所述晶圆承载凹槽的尺寸，沿所述预设方向，由12寸等差递减至2寸。
5.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，每个所述晶圆承载凹槽的侧壁垂直于所述晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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