【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、在半导体技术中，由于其特性，iii族-v族(或iii-v)半导体化合物用于形成各种集成电路器件，诸如高功率场效应晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(hemt)。hemt是在具有不同带隙的两种材料之间的结(即异质结)作为沟道的一种场效应晶体管，这与金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)通常使用掺杂区作为沟道的情况不同。与mosfet相比，hemt具有许多吸引人的特性，包括高电子迁移率和在高频下传输信号的能力。
技术实现思路
1、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方沉积氮化铝层；处理氮化铝层以将氮化铝层的顶部部分转化为氮氧化铝层；在氮氧化铝层上沉积iii-v半导体层；以及在iii-v半导体层上方形成栅极结构。
2、根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方沉积多层，其中，多层包括：多个氮化铝层，和多个氮氧化铝层，与多个氮化铝层交错；在氮氧化铝层上沉积iii-v半导体层；以及在iii-v半导体层上方形成栅极结构。
3、根据本申请实施例的又一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；多层，设置在衬底上方，多层包括与多个氮氧化铝层交错的多个氮化铝层；iii-v半导体层，位于多层上方；以及栅极结构，位于iii-v半导体层上方。
【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化铝层的所述沉积包括使用物理气相沉积。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括在氩(Ar)或氦(He)的存在下将所述氮化铝层暴露于紫外线射线暴露。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括用一氧化二氮(N2O)等离子体处理所述氮化铝层。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在形成所述源极接触件和所述漏极接触件之后，所述源极接触件和所述漏极接触件与所述氮化铝层直接接触。
7.一种形成半导体器件的方法，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个氮化铝层中的每个氮化铝层的厚度大于所述多个氮氧化铝层中的每个氮氧化铝层的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化铝层的所述沉积包括使用物理气相沉积。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括在氩(ar)或氦(he)的存在下将所述氮化铝层暴露于紫外线射线暴露。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括用一氧化二氮(n2o)等离子体处理所述氮化铝层。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑凯方，张孝慷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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