【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种蓄电系统、蓄电系统的工作方法、二次电池及二次电池的工作方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种二次电池充电方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及半导体装置的工作方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置、电子设备以及它们的工作方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式的涉及一种物体、方法、驱动方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。由此，具体而言，作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、光学装置、摄像装置、照明装置、运算装置、控制装置、存储装置、输入装置、输出装置、输入输出装置、信号处理装置、电子计算机、电子设备、它们的驱动方法或它们的制造方法。
技术介绍
1、近年来，例如对锂离子二次电池、锂离子电容器、空气电池或全固态电池等各种蓄电装置(也称为电池或二次电池)的开发日益火热。尤其是，随着半导体产业的发展，高输出且高容量的锂离子二次电池的需求量剧增，作为能够充电的能量供应源，成为现代信息化社会的必需品。
2、蓄电装置被应用于小型电子设备、汽车等各种领域。随着电池的应用范围的扩大，利用将多个电池单元串联连接的多单元结构的电池堆叠的应用增多。
3、蓄电装置具备检测出过放电、过充电、过电流或
4、专利文献1公开了被用作电池保护电路的保护ic。具体而言，在专利文献1中，公开了其内部设有多个比较器(comparator)并对参考电压和连接有电池的端子的电压进行比较来检测出充放电时的异常的保护ic。
5、此外，在专利文献2中公开了检测出二次电池的微小短路(也称为内部短路或微短路)的电池状态检测装置及内藏它的电池组。
6、此外，在专利文献3中公开了用来保护串联连接的二次电池单元的组电池的保护用半导体装置。
7、另外，上述用来掌握二次电池的充放电时的异常而进行电池的保护及控制的各种电路以及包括该电路的各种集成电路(ic：integrated circuit)也是使用晶体管构成的半导体装置。
8、作为可用于晶体管的半导体材料，硅类半导体被广泛地周知。作为其他材料，氧化物半导体受到关注。已知使用氧化物半导体的晶体管的关态电流(off-state current)在非导通状态下极小。例如，专利文献4及专利文献5公开了通过应用使用氧化物半导体的晶体管的关态电流很小的特性可以降低功耗的中央处理器(cpu：central processing unit)及可以长期保持存储内容的存储装置等。
9、例如，便携式电子设备用二次电池等被要求单位重量的放电容量较大且循环特性较高。为了满足这些需求，正在积极地进行二次电池的正极所包含的正极活性物质的改良。此外，已经进行了有关正极活性物质的晶体结构的研究(非专利文献1及非专利文献2)。
10、另外，xrd(x-ray diffraction：x射线衍射)图案是用于正极活性物质的晶体结构的分析的方法之一。例如，通过使用非专利文献3中介绍的icsd(inorganic crystalstructure database：无机晶体结构数据库)，可以分析xrd数据。在利用里特沃尔德法的分析中，例如可以使用分析程序rietan-fp(非专利文献4)。
11、作为图像处理软件，例如已知imagej(非专利文献5至非专利文献7)。通过使用该软件，例如可以分析正极活性物质的形状。
12、[先行技术文献]
13、[专利文献]
14、[专利文献1]美国专利申请公开第2011-267726号说明书
15、[专利文献2]日本专利申请公开第2010-66161号公报
16、[专利文献3]日本专利申请公开第2010-220389号公报
17、[专利文献4]日本专利申请公开第2012-257187号公报
18、[专利文献5]日本专利申请公开第2011-151383号公报
19、[非专利文献]
20、[非专利文献1]motohashi，t.et al，”electronic phase diagram of thelayered cobalt oxide system lixcoo2(0.0≤x≤1.0)”，physical review b，80(16)；165114
21、[非专利文献2]zhaohui chen et al，“staging phase transitions inlixcoo2”，journal of the electrochemical society，2002，149(12)a1604-a1609
22、[非专利文献3]belsky，a.et al.，“new developments in the inorganiccrystal structure database(icsd)：accessibility in support of materialsresearch and design”，acta cryst.，(2002)b58 364-369.
23、[非专利文献4]f.izumi and k.momma，solid state phenom.，130，15-20(2007)
24、[非专利文献5]rasband，w.s.，imagej，u.s.national institutes of health，bethesda，maryland，usa，http：//rsb.info.nih.gov/ij/，1997-2012.
25、[非专利文献6]schneider，c.a.，rasband，w.s.，eliceiri，k.w.”nih image toimagej：25years of image analysis”.nature methods9，671-675，2012.
26、[非专利文献7]abramoff，m.d.，magelhaes，p.j.，ram，s.j.”image processingwith imagej”.biophotonics international，volume11，issue 7，pp.36-42，2004.
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能量密度高的蓄电系统。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种安全性高的蓄电系统。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能量密度高的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种蓄电系统，包括：
2.根据权利要求1所述的蓄电系统，
3.根据权利要求1所述的蓄电系统，
4.根据权利要求2所述的蓄电系统，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的蓄电系统，
6.根据权利要求5所述的蓄电系统，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种蓄电系统，包括：
2.根据权利要求1所述的蓄电系统，
3.根据权利要求1所述的蓄电系统，
4....
【专利技术属性】
技术研发人员：长多刚，三上真弓，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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