【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片制造，具体而言，涉及一种键合结构、基片及键合结构的制备方法。
技术介绍
1、键合是一种通过基片堆叠有效提升器件性能的方法，其能够实现将减薄到数十微米甚至数微米的硅片精确地堆叠起来。由于硅片(也称基片)质地易碎，就需要将减薄的基片粘附到具有一定刚性载片上，这个粘附过程就是键合。键合好的基片与支撑载片一起完成一系列后续工艺。当工艺完成之后需要将基片从支撑载片上分离下来，这个过程称为解键合。
2、目前，常用的解键合方式是利用激光照射载片，激光透过载片后被键合材料吸收能量，键合材料发生汽化或急剧膨胀等从而实现解键合。从光学原理可以知道，如果一束光从空气入射到物体里面，由于两种材料间存在折射率差异，光线会在它们的界面产生反射，物体与空气间的折射率差决定了反射的强弱。如果界面两侧材料的折射率差越小就会有较少的光能量在界面处被反射，就有更多的光能进入物体内部。反之，就会有更多的光能被反射回空气中而无法进入到物体，造成浪费。
3、然而，目前的键合结构尚且不能够很好解决上述问题，从而导致了解键合的效率还不够高。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种键合结构、基片及键合结构的制备方法，能够提高激光的透过率，从而提高解键合的效率。
2、第一方面，本申请提供了一种键合结构，包括第一堆叠片、第二堆叠片、键合层以及第一减反层；所述键合层淀积于所述第一堆叠片与第二堆叠片之间，以键合所述第一堆叠片与第二堆叠片；所述第一减反层制备于所述第一堆叠片背向所述
3、上述键合结构，通过在第一堆叠片上制备折射率更低的第一减反层，提高了在解键合过程中，激光的透过率。从而减少了能量的浪费，提高了对激光能量的利用率。从而提高了解键合的效率。
4、结合第一方面，可选地，其中，所述第一减反层的厚度根据以下公式所确定：
5、
6、式中，d表征所述第一减反层的厚度；λ表征对所述第一堆叠片与第二堆叠片进行解键合过程中所使用激光的波长；m为所述激光的波长的整数倍；n表征所述第一减反层的折射率。
7、上述键合结构，通过上述计算公式所确定出的第一减反层的厚度，能够进一步减低解键合过程中激光的反射。从而进一步提高激光的透过率。也就是说，进一步地提高了解键合的效率。
8、结合第一方面，可选地，其中，m＝1。
9、上述键合结构，通过第一减反层厚度的计算公式，进一步确定出该公式计算的第一减反层厚度，采用该厚度将会提高激光的透过率，从而更进一步提高了解键合的效率。
10、结合第一方面，可选地，其中，所述第一减反层的材料包括二氧化硅。
11、上述键合结构，通过采用二氧化硅作为第一减反层的材料，使得第一减反层表面的反射损失降低到3.4％，也即是进一步提高了激光的透过率。从而进一步提高了解键合的效率。
12、结合第一方面，可选地，所述结构还包括第二减反层；所述第二减反层淀积于所述第一减反层背向所述第一堆叠片的一面；其中，所述第二减反层的折射率低于所述第一减反层的折射率。
13、上述键合结构，通过在第一减反层上再增加一层第二减反层，更进一步提高了激光的透过率。从而更进一步提高了解键合的效率。
14、结合第一方面，可选地，所述第一堆叠片包括硅质支撑载片，所述第二堆叠片包括半导体基片。
15、上述键合结构，通过将本申请前面几个实施例所提供的键合结构应用于半导体芯片制造工艺中，提高了对半导体芯片制造过程中键合结构进行解键合的效率。
16、第二方面，本申请提供了一种基片，包括第一方面所描述的键合结构。
17、上述基片，具有与第一方面所描述的键合结构相同的有益效果，此处不再赘述。
18、第三方面，本申请提供了一种键合结构的制备方法，包括：将第一堆叠片与第二堆叠片通过键合层进行键合；在所述第一堆叠片背向所述第二堆叠片的一面制备第一减反层。
19、上述键合结构的制备方法，具有与第一方面所描述的键合结构相同的有益效果，此处不再赘述。
20、结合第三方面，可选地，其中，所述第一减反层的材料包括二氧化硅；所述在所述第一堆叠片背向所述第二堆叠片的一面制备第一减反层，包括：对所述第一堆叠片背向所述第二堆叠片的一面进行氧化，以生成所述第一减反层。
21、上述键合结构的制备方法，通过氧化的方式将得到的二氧化硅作为第一减反层，降低了生产成本的基础之上，根据前面的描述可知，通过采用二氧化硅作为第一减反层的材料，使得第一减反层表面的反射损失降低到3.4％，从而进一步提高了解键合的效率。
22、结合第三方面，可选地，所述在所述第一堆叠片背向所述第二堆叠片的一面制备第一减反层，包括：利用淀积工艺在所述第一堆叠片背向所述第二堆叠片的一面淀积所述第一减反层；其中，所述淀积工艺包括化学气相沉积、原子层沉积以及物理气相沉积中的任意一种。
23、上述键合结构的制备方法，通过采用化学气相沉积淀积第一减反层，使得第一减反层的厚薄分布更均匀，并且提高了第一减反层的纯度与密度。也即是提高了第一减反层淀积的效果。通过采用物理气相淀积制备第一减反层，提高了第一减反层的附着力。并且物理气相淀积能够更快地淀积出薄膜，从而提高了生产效率。通过采用原子层淀积制备第一减反层，使得淀积过程中所需的温度更低，从而对第一堆叠片与第二堆叠片进行了更好的保护。并且对第一减反层厚度的控制更精确。
24、综上所述，本申请各个实施例提供的键合结构、基片及键合结构的制备方法，通过在第一堆叠片上铺设折射率更低的第一减反层，提高了在解键合过程中，激光的透过率，从而提高了解键合的效率。通过其中的计算公式所确定出的第一减反层的厚度，能够进一步减低解键合过程中，激光的反射。从而进一步提高激光的透过率。也就是说，进一步地提高了解键合的效率。通过采用二氧化硅作为第一减反层的材料，使得第一减反层表面的反射损失降低到3.4％，也进一步提高了解键合的效率。通过在第一减反层上再增加一层第二减反层，更进一步提高了激光的透过率。从而更进一步提高了解键合的效率。在第一堆叠片的材质为硅的情况下，通过氧化的方式将得到的二氧化硅作为第一减反层，降低了生产成本的基础之上，还进一步提高了解键合的效率。通过采用化学气相淀积制备第一减反层，使得第一减反层的厚薄分布更均匀，并且提高了第一减反层的纯度与密度。通过采用物理气相淀积制备第一减反层，提高了第一减反层的附着力。通过采用原子层淀积制备第一减反层，使得淀积过程中所需的温度更低，从而对第一堆叠片与第二堆叠片进行了更好的保护。并且对第一减反层厚度的控制更精确。
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1.一种键合结构，其特征在于，包括第一堆叠片、第二堆叠片、键合层以及第一减反层；
2.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，其中，所述第一减反层的厚度根据以下公式所确定：
3.根据权利要求2所述的键合结构，其特征在于，其中，m＝1。
4.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，其中，所述第一减反层的材料包括二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述结构还包括第二减反层；
6.根据权利要求1至5中任一项所述的键合结构，其特征在于，所述第一堆叠片包括硅质支撑载片，所述第二堆叠片包括半导体基片。
7.一种基片，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的键合结构。
8.一种键合结构的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，其中，所述第一减反层的材料包括二氧化硅；
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一堆叠片背向所述第二堆叠片的一面制备第一减反层，包括：
【技术特征摘要】
1.一种键合结构，其特征在于，包括第一堆叠片、第二堆叠片、键合层以及第一减反层；
2.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，其中，所述第一减反层的厚度根据以下公式所确定：
3.根据权利要求2所述的键合结构，其特征在于，其中，m＝1。
4.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，其中，所述第一减反层的材料包括二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述结构还包括第二减反层；
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓峰，黄永忠，潘岭峰，何刘，季安，
申请(专利权)人：成都莱普科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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