一种Al3+/Sc3+掺杂增强Gd2O2S:Tb3+荧光材料发光强度的技术制造技术

技术编号：44253947 阅读：6 留言：0更新日期：2025-02-11 13:51

本发明专利技术公开了一种Al<supgt;3+</supgt;/Sc<supgt;3+</supgt;掺杂增强Gd<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;S:Tb<supgt;3+</supgt;荧光材料发光强度的技术，该技术以Gd<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;S:Tb<supgt;3+</supgt;荧光材料为基础，通过引入Al<supgt;3+</supgt;/Sc<supgt;3+</supgt;离子，Al<supgt;3+</supgt;/Sc<supgt;3+</supgt;取代了Gd<supgt;3+</supgt;的位置，造成Tb<supgt;3+</supgt;周围晶场环境的对称性发生变化，增强了荧光材料的光致发光强度，而且也提高了荧光材料的阴极射线发光强度。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种增强gd2o2s:tb3+荧光材料发光强度的技术，该技术能够增强荧光材料的光致发光强度阴极射线发光强度，属于光电功能材料领域。

技术介绍

1、稀土掺杂的硫氧化物基荧光材料是一种性能优异的发光材料，gd2o2s(gos)作为发光材料的基质，具有优异的发光性能、较高的热稳定性和化学稳定性等优点，通过掺杂稀土元素，可以显著提升材料的发光效率和调控发光颜色，获得色纯度高、荧光寿命长、稳定性好的荧光材料。

2、gd2o2s:tb3+荧光材料是一种应用广泛的阴极射线发光材料，主要应用在微光像增强器、闪烁体探测器、中子照相技术等光电成像器件，也是x射线发光部分和高能粒子探测的关键材料。随着科学技术的发展、国防军事建设和人民生产生活的需要，具有更高发光性能gd2o2s:tb3+荧光材料能够增强多种光电成像器件及仪器设备的成像性能，对于我国光电成像器件的发展具有显著的价值。2016年university of isfahan的kh.rezaee ebrahimsaraee等人开发了一种gos:tb,dy纳米荧光粉，并制备成用于x射线成像应用的荧光屏。由于dy3+离子的掺杂，dy3+与tb3+之间存在能量转移，dy的活化作用对gd2o2s:tb3+的光谱特性有显着影响，促进了发光强度的提升。2020年上海科技大学wenhua zhang等人开发了一种gd2o2s:tb3+,dy3+荧光粉，并探究了ta5+离子在gd2o2s:tb3+和gd2o2s:tb3+,dy3+中的促进效果。dy3+的共掺杂使得dy3+和tb3+之

技术实现思路

1、为了提高gd2o2s:tb3+荧光材料的发光性能，本专利技术提出了一种增强gd2o2s:tb3+荧光材料光致发光和阴极射线发光强度的技术。

2、本专利技术以gd2o2s:tb3+荧光粉为基础，以gd2(so4)3·8h2o，gd2o3，tb4o7，al2o3，sc2o3，c粉和na2co3为原料，引入al3+、sc3+离子，其摩尔浓度均为0～10％，在1250～1350℃，保温2～3h，获得荧光材料样品。由于al3+、sc3+半径较小，容易渗透到晶格中，al3+、sc3+取代了gd3+的位置，造成tb3+周围晶场环境的对称性发生变化，这将减小激活剂tb3+离子之间的间距，有助于提高材料的发光强度。此外，al3+、sc3+离子的掺入有助于优化硫氧化钆的晶体结构，减少晶格缺陷和杂质，良好的晶体结构有助于减少非辐射跃迁和能量损失，从而提高材料的发光效率。本专利技术之技术效果明显，大幅提升了gd2o2s:tb3+荧光材料的发光强度。本专利技术的优势有两点，一是增强了荧光材料的光致发光强度，二是提高了荧光材料的阴极射线发光强度。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种增强Gd2O2S:Tb3+荧光材料发光强度的技术，该技术以Gd2O2S:Tb3+荧光材料为基础。引入Al3+/Sc3+离子，Al3+的摩尔浓度为0～10％，Sc3+的摩尔浓度为0～10％，实现增强了荧光材料的光致发光强度和阴极射线发光强度。

【技术特征摘要】

1.一种增强gd2o2s:tb3+荧光材料发光强度的技术，该技术以gd2o2s:tb3+荧光材料为基础。引入al3+/sc3...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘全生，李明浩，柏朝晖，米晓云，孙海鹰，刘秀玲，卢利平，唐赫，于小芳，安正策，王能利，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人