【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及完全耗尽型绝缘体上硅(fd-soi)晶片生产，特别是从标准硅起始衬底晶片生产图案化fd-soi晶片。
技术介绍
1、完全耗尽型绝缘体上硅(fd-soi)晶片也被称为超薄或极薄绝缘体上硅(et-soi)晶片。一般来讲，fd-soi晶片是从衬底制造商获得的，然后对掩埋氧化物层(box)进行图案化并外延生长。这是非常昂贵的。图案化fd-soi晶片价格昂贵，原因在于总工艺成本，包括fd-soi衬底的成本以及与蚀刻图案化掩埋氧化物层(box)区域和通过外延(epi)生长再生长体偏置区域相关联的附加成本。
2、用于形成fd-soi晶片的传统方法导致连续的掩埋氧化物层(box)和器件硅层，必须对这些层进行图案化以允许顶侧与主体接触。例如，fd-soi晶片具有硅顶层，因此掩埋氧化物层(box)未暴露。掩埋氧化物层(box)应当是打开的或暴露的以用于体偏置。为了打开或暴露用于衬底接触的超薄掩埋氧化物(box)区域，晶片经历进一步处理，诸如蚀刻。与暴露超薄掩埋氧化物(box)区域的进一步处理相关联的成本使得fd-soi变得昂贵。
3、需要一种成本降低且简化的图案化fd-soi晶片工艺，该工艺生产具有用于衬底接触的暴露的掩埋氧化物(box)的fd-soi晶片。
技术实现思路
1、各方面提供用于从标准硅起始衬底晶片生产图案化fd-soi晶片的方法，其中该方法利用选择性si/sige湿法蚀刻化学成分和双重用途sti/释放孔图案来形成预图案化fd-soi晶片。
2
3、一个方面提供了一种根据前一段落所述的方法，其中在硅衬底晶片上施加牺牲sige层包括外延生长sige层。
4、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，其中在硅衬底晶片上施加牺牲sige层产生厚度为硅衬底晶片的厚度的约十倍的牺牲sige层。
5、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，其中硅层中的至少一个开口包括虚拟填充开口。
6、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，其中蚀刻供体硅层以在硅层中形成至少一个开口包括蚀刻硅层以在硅层中以第一预定图案形成多个开口。
7、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，其中蚀刻sio2层以形成至少一个体偏置区域包括蚀刻掩埋氧化物层来以第二预定图案形成多个体偏置区域。
8、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，其中在供体硅层上沉积sio2层包括用sio2填充至少一个开口。
9、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，其中在供体硅层上沉积sio2层包括用sio2材料填充至少一个开口，而不在硅衬底晶片与供体硅层之间桥接氧化物材料。
10、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，该方法包括用浅沟槽隔离掩模对牺牲sige层进行图案化。
11、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，该方法包括对sio2层进行图案化以在sio2层中限定至少一个体偏置区域。
12、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，该方法包括对sio2层和至少一个体偏置区域进行抛光以使sio2层平坦化。
13、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，该方法包括对sio2层和至少一个体偏置区域进行抛光。
14、一个方面提供了一种根据前述段落中任一者所述的方法，该方法包括在受体处理晶片中掺杂植入物。
15、另一方面提供了一种通过方法制成的器件，该器件包括：完全耗尽型绝缘体上硅(fd-soi)晶片，该完全耗尽型绝缘体上硅(fd-soi)晶片包括：硅衬底，该硅衬底包括掺杂植入物；硅层，该硅层具有以第一预定图案布置的多个开口；以及在该硅衬底与该硅层之间的sio2层，其中该sio2层具有以第二预定图案布置的多个体偏置区域，由此经由该多个开口暴露该sio2层，其中该器件通过根据前述段落中任一者所述的方法制成。
16、根据另外的方面，提供了一种器件，该器件包括：完全耗尽型绝缘体上硅(fd-soi)晶片，该完全耗尽型绝缘体上硅(fd-soi)晶片包括：硅衬底；在该硅衬底上的sio2层，其中该sio2层具有至少一个掩埋氧化物(box)；在该sio2层上的硅层，其中该硅层具有至少一个开口，通过该至少一个开口，经由该至少一个开口中的暴露插塞暴露该至少一个box，其中该暴露插塞具有大于暴露尺寸的箱形尺寸，其中该箱形尺寸靠近该暴露插塞与该box接合的近侧端部，并且该暴露尺寸靠近该暴露插塞的远侧端部。
17、一个方面提供了一种根据前述段落所述的器件，其中fd-soi晶片包括硅衬底中的掺杂植入物。
18、一个方面提供了根据两个前述段落中任一者所述的器件，其中fd-soi晶片的硅层包括以第一预定图案布置的多个开口，通过该多个开口，以第二预定图案布置在sio2层中的多个box经由多个开口中的多个暴露插塞暴露。
19、一个方面提供了根据三个前述段落中任一者所述的器件，其中暴露插塞具有梯形横截面。
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1.一种方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硅衬底晶片上施加所述牺牲SiGe层包括外延生长所述SiGe层。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中在所述硅衬底晶片上施加所述牺牲SiGe层产生厚度为所述硅衬底晶片的厚度的约十倍的所述牺牲SiGe层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述硅层中的所述至少一个开口包括虚拟填充开口。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中蚀刻所述供体硅层以在所述硅层中形成所述至少一个开口包括蚀刻所述硅层以在所述硅层中以第一预定图案形成多个开口。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中蚀刻所述SiO2层以形成所述至少一个体偏置区域包括蚀刻掩埋氧化物层来以第二预定图案形成多个体偏置区域。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在所述供体硅层上沉积所述SiO2层包括用SiO2填充所述至少一个开口。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中在所述供体硅层上沉积所述SiO2层包括用SiO2材料填充所述至少
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，所述方法包括用浅沟槽隔离掩模对所述牺牲SiGe层进行图案化。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，所述方法包括对所述SiO2层进行图案化以在所述SiO2层中限定所述至少一个体偏置区域。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，所述方法包括对所述SiO2层和所述至少一个体偏置区域进行抛光以使所述SiO2层平坦化。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，所述方法包括对所述SiO2层和所述至少一个体偏置区域进行抛光。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，所述方法包括在所述受体处理晶片中掺杂植入物。
14.一种器件，所述器件包括：
15.根据权利要求14所述的器件，其中所述FD-SOI晶片包括所述硅衬底中的掺杂植入物。
16.根据权利要求14至15中任一项所述的器件，其中所述FD-SOI晶片的所述硅层包括以第一预定图案布置的多个开口，通过所述多个开口，以第二预定图案布置在所述SiO2层中的多个BOX经由所述多个开口中的多个暴露插塞暴露。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的器件，其中所述暴露插塞具有梯形横截面。
18.一种通过方法制成的器件，所述器件包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硅衬底晶片上施加所述牺牲sige层包括外延生长所述sige层。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中在所述硅衬底晶片上施加所述牺牲sige层产生厚度为所述硅衬底晶片的厚度的约十倍的所述牺牲sige层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述硅层中的所述至少一个开口包括虚拟填充开口。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中蚀刻所述供体硅层以在所述硅层中形成所述至少一个开口包括蚀刻所述硅层以在所述硅层中以第一预定图案形成多个开口。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中蚀刻所述sio2层以形成所述至少一个体偏置区域包括蚀刻掩埋氧化物层来以第二预定图案形成多个体偏置区域。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在所述供体硅层上沉积所述sio2层包括用sio2填充所述至少一个开口。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中在所述供体硅层上沉积所述sio2层包括用sio2材料填充所述至少一个开口，而不在所述硅衬底晶片与所述供体硅层之间桥接氧化物材料。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·纳格尔，B·陈，
申请(专利权)人：微芯片技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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