【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及表面涂层制备技术及其使用装备，具体的，是一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法。
技术介绍
1、弧源进行离子源供应，离子源形成的离子束经过加速后，以高速撞击目标材料的表面，离子束的离子撞击会使目标材料表面的原子逸出，并沉积在基底材料表面上，形成纳米涂层。
2、但现阶段的弧源，产生的离子直径大小不一，相对规格大的离子轰击工件表面，会产生相对大尺寸的凹坑，产生类似于液滴的大凹坑，具体在加工刀具中，凹凸出会增加对加工屑的粘着，加工屑粘着后，随着加工的进行，刀具和加工屑粘着出的摩擦，会产生热量，损坏加工刀具表面涂层，且对加工工件也产生表面损伤，即机械加工屑热流现象，似于液滴的大凹坑又称积屑瘤。
3、因此，有必要提供一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法来解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法。
2、一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，步骤包括：
3、1)工件进行超声去离子水漂洗、脱水烘干；
4、2)工件载入真空做业炉，抽真空至真空度应低于1×10-3pa，同时注入氮气，至真空度大1.01x10-3pa；
5、3)离子源工作，进行工件表面处理，时间2-4min，偏压100v；
6、4)调试搭载真空做业炉的弧源适应切换的表面纳米涂层设备，真空做业炉上设置有弧源供应模块，弧源供应模块包括弧源装载板，弧源装载板上设置有
7、5)未过滤式弧源供应件进行离子源供应，未过滤的离子构成的离子束轰击工件表面，时间8-10min，弧电流80a，偏压100v，形成30-40％厚度的纳米涂层的打底层；
8、6)a型过滤式弧源供应件进行离子源供应，粗略a型过滤式弧源供应件过滤的离子构成的离子束轰击工件表面，时间5-7min，弧电流85a，偏压130-150v形成30-40％厚度的纳米涂层的粗略过滤式中间精密层；
9、7)a型过滤式弧源供应件进行离子源供应，粗略a型过滤式弧源供应件过滤的离子构成的离子束轰击工件表面，时间2-4min，弧电流95a，偏压110-110v形成10-15％厚度的纳米涂层的精密过滤式表面；
10、8)通入含有cr粒子的气体，离子源工作，时间22-25min，偏压110v，进行自润滑层的沉积；
11、9)自然降温至100℃以内，关闭真空系统，取出工件。
12、进一步的，a型过滤式弧源供应件包括直筒型过滤体，进行直径20μm以上离子源过滤。
13、进一步的，b型过滤式弧源供应件包括异形筒状过滤体，异形筒状过滤体进行直径大于10μm的离子过滤。
14、进一步的，异形筒状过滤体为l型过滤体。
15、进一步的，异形筒状过滤体为类s型过滤体。
16、进一步的，真空做业炉为八角或六角炉。
17、进一步的，弧源供应模块数量为真空做业炉内壁面数量的四分之一或三分之一。
18、与现有技术相比，本专利技术将通过未过滤离子束直接轰击、粗略过滤离子后离子束轰击、精选过滤后离子束轰击，形成三明治式的表面超级慢纳米涂层制备。
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1.一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：步骤包括：
2.根据权利要求1所述的一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：A型过滤式弧源供应件包括直筒型过滤体，进行直径20μm以上离子源过滤。
3.根据权利要求2所述的一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：B型过滤式弧源供应件包括异形筒状过滤体，异形筒状过滤体进行直径大于10μm的离子过滤。
4.根据权利要求3所述的一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：异形筒状过滤体为L型过滤体。
5.根据权利要求4所述的一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：异形筒状过滤体为类s型过滤体。
6.根据权利要求5所述的一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：真空做业炉为八角或六角炉。
7.根据权利要求6所述的一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：弧源供应模块数量为真空做业炉内壁面数量的四分之一或三分之一。
【技术特征摘要】
1.一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：步骤包括：
2.根据权利要求1所述的一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：a型过滤式弧源供应件包括直筒型过滤体，进行直径20μm以上离子源过滤。
3.根据权利要求2所述的一种减少积屑瘤的自润滑高使用寿命刀具制备方法，其特征在于：b型过滤式弧源供应件包括异形筒状过滤体，异形筒状过滤体进行直径大于10μm的离子过滤。
4.根据权利要求3所述的一种减少积屑瘤的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张建坡，
申请(专利权)人：超微中程纳米科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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