【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种半导体结构及其制造方法、半导体结构的气泡缺陷检测方法。
技术介绍
1、c-sam(超声波检测)技术能够将芯片内部缺陷以图像的形式展示出来，是常用的芯片失效分析方式，当其应用于晶圆级堆叠产品的键合界面的气泡缺陷检测时，受制于晶圆堆叠后界面缺陷尺寸小和干扰噪声多等特点，采用人工识别芯片超声检测图像存在效率低、误识率高等缺点。
2、因此，有必要对气泡缺陷检测方法进行改进，以提高气泡缺陷检测效率且降低漏检率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法、半导体结构的气泡缺陷检测方法，使得提高气泡缺陷检测效率且降低漏检率。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体结构，包括多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的切割道区，每个所述芯片区外围的所述切割道区形成有气泡标记。
3、可选地，所述半导体结构包括相键合的上层晶圆和下层晶圆，所述气泡标记位于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆中。
4、可选地，所述气泡标记位于每个所述芯片区的边角处和/或边处的切割道区。
5、可选地，所述气泡标记在平行于所述半导体结构表面方向上的形状为l形、十字形、米字形、圆形或多边形。
6、可选地，所述半导体结构中形成有键合标记，所述键合标记与所述气泡标记位于同一膜层中。
7、本专利技术还提供一种半导体结构的制造方法，包括：
8、提供上层晶圆和下层晶圆，所述上层晶圆
9、形成气泡标记于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆的每个所述芯片区外围的所述切割道区；
10、将所述上层晶圆与所述下层晶圆键合，所述气泡标记位于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆的靠近键合界面的一侧。
11、可选地，所述气泡标记位于每个所述芯片区的边角处和/或边处的切割道区。
12、可选地，所述气泡标记在平行于所述半导体结构表面方向上的形状为l形、十字形、米字形、圆形或多边形。
13、可选地，所述上层晶圆和/或所述下层晶圆中形成有键合标记，所述键合标记与所述气泡标记采用同一掩膜版制作。
14、本专利技术还提供一种半导体结构的气泡缺陷检测方法，包括：
15、提供半导体结构，所述半导体结构包括多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的切割道区，每个所述芯片区外围的所述切割道区形成有气泡标记；
16、检测所述半导体结构，以得到包含所述气泡标记的检测图像；
17、根据所述气泡标记与所述芯片区之间的设计距离，从所述检测图像中拆解得到各个所述芯片区的图像；
18、识别各个所述芯片区的图像，以判断所述芯片区是否存在气泡缺陷。
19、可选地，所述半导体结构包括相键合的上层晶圆和下层晶圆，所述气泡标记位于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆中。
20、可选地，所述气泡缺陷位于所述上层晶圆与所述下层晶圆的键合界面处，和/或，所述气泡缺陷位于所述上层晶圆内和/或所述下层晶圆内。
21、可选地，所述气泡标记位于每个所述芯片区的边角处和/或边处的切割道区。
22、可选地，所述气泡标记在平行于所述半导体结构表面方向上的形状为l形、十字形、米字形、圆形或多边形。
23、可选地，采用超声波检测机台检测所述半导体结构。
24、可选地，所述半导体结构中形成有键合标记，所述键合标记与所述气泡标记采用同一掩膜版制作。
25、可选地，识别各个所述芯片区的图像，以判断所述芯片区是否存在气泡缺陷的步骤包括：
26、调节各个所述芯片区的图像的灰度值，以将各个所述芯片区的图像中的气泡缺陷之外区域的灰度值降低至同一数值，进而增大各个所述芯片区的图像中的所述气泡缺陷所在区域与所述气泡缺陷之外区域的灰度值差异；
27、定义灰度阈值，所述灰度阈值小于所述气泡缺陷所在区域的灰度值且大于所述气泡缺陷之外区域的灰度值；
28、判断各个所述芯片区的图像中是否存在所述灰度值大于所述灰度阈值的区域，若是，则所述灰度值大于所述灰度阈值的区域所在的所述芯片区存在气泡缺陷。
29、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
30、1、本专利技术的半导体结构，由于包括多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的切割道区，每个所述芯片区外围的所述切割道区形成有气泡标记，使得能够提高气泡缺陷检测效率且降低漏检率。
31、2、本专利技术的半导体结构的制造方法，由于包括：提供上层晶圆和下层晶圆，所述上层晶圆和所述下层晶圆均包括多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的切割道区；形成气泡标记于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆的每个所述芯片区外围的所述切割道区；将所述上层晶圆与所述下层晶圆键合，所述气泡标记位于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆的靠近键合界面的一侧，使得能够提高气泡缺陷检测效率且降低漏检率。
32、3、本专利技术的半导体结构的气泡缺陷检测方法，由于包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的切割道区，每个所述芯片区外围的所述切割道区形成有气泡标记；检测所述半导体结构，以得到包含所述气泡标记的检测图像；根据所述气泡标记与所述芯片区之间的设计距离，从所述检测图像中拆解得到各个所述芯片区的图像；识别各个所述芯片区的图像，以判断所述芯片区是否存在气泡缺陷，使得提高气泡缺陷检测效率且降低漏检率。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的切割道区，每个所述芯片区外围的所述切割道区形成有气泡标记。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括相键合的上层晶圆和下层晶圆，所述气泡标记位于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆中。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气泡标记位于每个所述芯片区的边角处和/或边处的切割道区。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气泡标记在平行于所述半导体结构表面方向上的形状为L形、十字形、米字形、圆形或多边形。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构中形成有键合标记，所述键合标记与所述气泡标记位于同一膜层中。
6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述气泡标记位于每个所述芯片区的边角处和/或边处的切割道区。
8.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述气泡标记在平行于所述半导体结构表面方向
9.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述上层晶圆和/或所述下层晶圆中形成有键合标记，所述键合标记与所述气泡标记采用同一掩膜版制作。
10.一种半导体结构的气泡缺陷检测方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体结构的气泡缺陷检测方法，其特征在于，所述半导体结构包括相键合的上层晶圆和下层晶圆，所述气泡标记位于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆中。
12.如权利要求11所述的半导体结构的气泡缺陷检测方法，其特征在于，所述气泡缺陷位于所述上层晶圆与所述下层晶圆的键合界面处，和/或，所述气泡缺陷位于所述上层晶圆内和/或所述下层晶圆内。
13.如权利要求10所述的半导体结构的气泡缺陷检测方法，其特征在于，所述气泡标记位于每个所述芯片区的边角处和/或边处的切割道区。
14.如权利要求10所述的半导体结构的气泡缺陷检测方法，其特征在于，所述气泡标记在平行于所述半导体结构表面方向上的形状为L形、十字形、米字形、圆形或多边形。
15.如权利要求10所述的半导体结构的气泡缺陷检测方法，其特征在于，采用超声波检测机台检测所述半导体结构。
16.如权利要求10所述的半导体结构的气泡缺陷检测方法，其特征在于，所述半导体结构中形成有键合标记，所述键合标记与所述气泡标记采用同一掩膜版制作。
17.如权利要求10所述的半导体结构的气泡缺陷检测方法，其特征在于，识别各个所述芯片区的图像，以判断所述芯片区是否存在气泡缺陷的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的切割道区，每个所述芯片区外围的所述切割道区形成有气泡标记。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括相键合的上层晶圆和下层晶圆，所述气泡标记位于所述上层晶圆和/或所述下层晶圆中。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气泡标记位于每个所述芯片区的边角处和/或边处的切割道区。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气泡标记在平行于所述半导体结构表面方向上的形状为l形、十字形、米字形、圆形或多边形。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构中形成有键合标记，所述键合标记与所述气泡标记位于同一膜层中。
6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述气泡标记位于每个所述芯片区的边角处和/或边处的切割道区。
8.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述气泡标记在平行于所述半导体结构表面方向上的形状为l形、十字形、米字形、圆形或多边形。
9.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述上层晶圆和/或所述下层晶圆中形成有键合标记，所述键合标记与所述气泡标记采用同一掩膜版...
【专利技术属性】
技术研发人员：张兴平，奉伟，田秀芳，徐振，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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