【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及发光器件，尤其涉及一种发光屏体。
技术介绍
1、有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)可以用于照明以及显示技术，具有自发光、低耗电、响应速度快、发光效率高和工艺简单等优异特性。
2、目前，oled屏体在制作和使用过程中容易产生黑点和亮点等问题，其中一种重要的原因即为静电作用，静电荷吸附在产品的表面，通过电极线或人体接触到达屏体内部，作用于器件结构，造成黑点或亮点，降低器件的可靠性和屏体寿命。因此如何提高器件的可靠性和屏体寿命，成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种发光屏体，以提高器件的可靠性和屏体寿命。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种发光屏体，包括：
3、基板，包括发光区和位于所述发光区至少一侧的非发光区；其中所述非发光区包括电极引线区；
4、发光器件层，位于所述基板的发光区；
5、多个第一电极引线，位于所述基板的电极引线区，并与所述发光器件层电连接；
6、其中，所述电极引线区还包括与多个所述第一电极引线电连接的第一齐纳二极管；所述第一齐纳二极管包括层叠设置的n型掺杂层和p型掺杂层；所述n型掺杂层和所述p型掺杂层均沿着多个所述第一电极引线的排布方向延伸设置。
7、可选的，所述第一齐纳二极管中的n型掺杂层和p型掺杂层位于所述第一电极引线远离所述基板的一侧；
8、或者，所述第一齐纳二极管
9、可选的，所述n型掺杂层位于所述p型掺杂层靠近所述第一电极引线的一侧；所述n型掺杂层靠近所述第一电极引线一侧的表面与多个所述第一电极引线接触，所述p型掺杂层远离所述第一电极引线一侧的表面与位于所述电极引线区的电极层接触；
10、或者，所述n型掺杂层位于所述p型掺杂层远离所述第一电极引线的一侧，所述p型掺杂层靠近所述第一电极引线一侧的表面与多个所述第一电极引线接触，所述n型掺杂层远离所述第一电极引线一侧的表面与位于所述电极引线区的电极层接触。
11、可选的，所述发光器件层包括：
12、第一电极层，位于所述基板的一侧；所述第一电极层包括多个第一电极，每一第一电极与一电极引线电连接；
13、发光层，位于所述第一电极层远离所述基板的一侧；
14、第二电极层，位于所述发光层远离所述基板的一侧，并由所述发光区延伸至所述电极引线区；
15、其中，在所述n型掺杂层位于所述p型掺杂层靠近所述基板的一侧的情况下，所述n型掺杂层靠近所述基板一侧的表面与所述第一电极引线接触，所述p型掺杂层远离所述基板一侧的表面与所述第二电极层接触；
16、在所述n型掺杂层位于所述p型掺杂层远离所述基板的一侧的情况下，所述n型掺杂层远离所述基板一侧的表面与所述第二电极层接触，p型掺杂层靠近所述基板一侧的表面与所述第一电极引线接触。
17、可选的，所述电极引线区中，所述第一电极引线与所述第二电极层之间包括绝缘层；所述绝缘层在所述基板上的垂直投影与所述n型掺杂层和p型掺杂层在所述基板上的垂直投影不交叠。
18、可选的，所述绝缘层包括至少一个开口，所述n型掺杂层和所述p型掺杂层位于所述绝缘层的开口中；
19、和/或，所述绝缘层与所述基板的边框之间的距离大于零；所述n型掺杂层和所述p型掺杂层位于所述绝缘层与所述边框之间的区域内。
20、可选的，所述第一电极的周围围绕有辅助电极条，且所述第一电极的内部设置有辅助电极栅格；
21、所述发光区还包括至少一个第二齐纳二极管，所述第二齐纳二极管包括层叠设置的n型掺杂层和p型掺杂层；
22、其中，所述第二齐纳二极管设置在所述辅助电极条远离所述基板一侧的表面，和/或，所述第二齐纳二极管设置在所述辅助电极栅格远离所述基板一侧的表面。
23、可选的，所述发光屏体还包括至少一个与所述第一电极引线电连接的第三齐纳二极管；所述第三齐纳二极管位于相邻的两个第一电极引线之间，或者，所述第三齐纳二极管位于所述第一电极引线远离所述基板的一侧；
24、其中，所述第三齐纳二极管包括水平并排设置的p型掺杂层与n型掺杂层。
25、可选的，所述第一电极层与所述发光层之间包括第一功能层，所述第二电极层与所述发光层之间包括第二功能层；其中，所述p型掺杂层与所述第一功能层的材料相同，所述n型掺杂层与所述第二功能层的材料相同；或者，所述p型掺杂层与所述第二功能层的材料相同，所述n型掺杂层与所述第一功能层的材料相同；
26、或者，所述第一电极层和所述第二电极层之间包括至少两层的所述发光层；相邻的两个所述发光层之间设置有电荷产生层；所述电荷产生层包括层叠的p型p型电荷层和n型电荷层；所述p型掺杂层的材料与所述p型电荷层的材料相同，且厚度相同；所述n型掺杂层的材料与所述n型电荷层的材料相同，且厚度相同。
27、可选的，所述n型掺杂层中掺杂有n型杂质，所述p型掺杂层中掺杂有p型杂质；其中，所述n型杂质包括金属离子；
28、和/或，所述n型掺杂层和所述p型掺杂层之间还包括中间层；所述中间层为无掺杂层，或者，所述中间层为掺杂浓度小于所述p型掺杂层的p型中间层，或者，所述中间层为掺杂浓度小于所述n型掺杂层的n型中间层；
29、和/或，所述发光屏体包括所述第一齐纳二极管、第二齐纳二级管和第三齐纳二极管；所述第一齐纳二极管、所述第二齐纳二级管和所述第三齐纳二极管中的至少一个的齐纳击穿电压大于或等于2倍的发光器件层中发光器件的额定电压。
30、本专利技术实施例提供了一种发光屏体，包括：基板，包括发光区和位于发光区至少一侧的非发光区；其中非发光区包括电极引线区；发光器件层，位于基板的发光区；多个第一电极引线，位于基板的电极引线区，并与发光器件层电连接；其中，电极引线区还包括与多个第一电极引线电连接的第一齐纳二极管；第一齐纳二极管包括层叠设置的n型掺杂层和p型掺杂层；n型掺杂层和p型掺杂层均沿着多个第一电极引线的排布方向延伸设置。本专利技术实施例提供的技术方案，通过设置第一齐纳二极管的n型掺杂层和p型掺杂层均沿着多个第一电极引线的排布方向延伸设置，使得第一齐纳二极管可以同时与多个第一电极引线电连接，当静电释放超过齐纳二极管的齐纳击穿电压，齐纳二极管会导通，从而释放电荷，保护发光区中的发光器件，提高了发光器件的可靠性和屏体寿命；而且，通过设置第一齐纳二极管的n型掺杂层和p型掺杂层均沿着多个第一电极引线的排布方向延伸设置，还可以降低制备第一齐纳二极管时使用的掩膜版的精度的要求，从而降低第一齐纳二极管的制备难度；另外，通过调节各掺杂层的掺杂浓度可以控制齐纳二极管的齐纳击穿电压大于等于发光器件的正常工作电压的2倍，以使静电电荷释放时，齐纳二极管可以保护发光器件，且在静电电荷量较小时，防止齐纳二极管导通，影本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光屏体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述第一齐纳二极管中的N型掺杂层和P型掺杂层位于所述第一电极引线远离所述基板的一侧；
3.根据权利要求2所述的发光屏体，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述发光器件层包括：
5.根据权利要求4所述的发光屏体，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的发光屏体，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的发光屏体，其特征在于，所述第一电极的周围围绕有辅助电极条，且所述第一电极的内部设置有辅助电极栅格；
8.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，还包括至少一个与所述第一电极引线电连接的第三齐纳二极管；所述第三齐纳二极管位于相邻的两个第一电极引线之间，或者，所述第三齐纳二极管位于所述第一电极引线远离所述基板的一侧；
9.根据权利要求1、7或8所述的发光屏体，其特征在于，
10.根据权利要求1、7或8所述的发光屏体，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种发光屏体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述第一齐纳二极管中的n型掺杂层和p型掺杂层位于所述第一电极引线远离所述基板的一侧；
3.根据权利要求2所述的发光屏体，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的发光屏体，其特征在于，所述发光器件层包括：
5.根据权利要求4所述的发光屏体，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的发光屏体，其特征在于，
7.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭立雪，朱映光，张国辉，胡永岚，
申请(专利权)人：固安翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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