【技术实现步骤摘要】
本公开涉及包括多晶硅层的晶体管的制造方法、包括具有多晶硅层的晶体管的显示装置、以及显示装置的制造方法。
技术介绍
1、显示装置提供用于允许与用户通信的各种功能，诸如显示图像以向用户提供信息或感测用户输入。
2、显示装置可包括包含构成源极、漏极和沟道的半导体图案和栅极的晶体管。最近的显示装置已在半导体图案中使用多晶硅(p-si)层以提高晶体管的性能。多晶硅层可通过使非晶硅(a-si)结晶化来形成，并且为了使由多晶硅层形成的晶体管表现出优异的性能，可期望控制多晶硅层的结晶化品质和表面品质。
3、应理解，本
技术介绍
部分在某种程度上旨在提供用于理解技术而言有用的背景。然而，本
技术介绍
部分也可包括并不是由相关领域的技术人员在本文中所公开的主题的相应的有效申请日之前已知或明确的那一部分的想法、构思或认知。
技术实现思路
1、本公开提供包括其表面具有提高的表面品质的多晶硅层的晶体管的制造方法。
2、本公开也提供包括具有优异的表面品质的多晶硅层的晶体管的显示装置、以及显示装置的制造方法。
3、实施例提供了一种晶体管的制造方法，其中该方法可包括：提供包括其上形成有突出部的上表面的初步多晶硅层；在初步多晶硅层的上表面上提供牺牲层；在牺牲层的上部分中提供氩(ar)离子以掺杂牺牲层和初步多晶硅层；向掺杂的牺牲层的上部分提供蚀刻剂；以及去除牺牲层并且蚀刻突出部以形成多晶硅层。
4、在实施例中，多晶硅层的上表面的表面粗糙度可小于初步多晶硅层的上表面的
5、在实施例中，可在通过向非晶硅层提供准分子激光来执行结晶化的操作中形成初步多晶硅层。
6、在实施例中，牺牲层可包括氧化硅(siox)。
7、在实施例中，牺牲层的平均厚度可在约至约的范围内。
8、在实施例中，提供氩离子可包括：在离子注入设备中用在约5kev至约80kev的范围内的加速电压和在约1.0e15至约1.0e20的范围内的剂量提供氩离子。
9、在实施例中，蚀刻剂可为包含氟化氢(hf)和氟化铵(nh4f)的酸性溶液。
10、在实施例中，掺杂的牺牲层的蚀刻速率与掺杂的初步多晶硅层的蚀刻速率的比例可小于约5.0。
11、在实施例中，一种显示装置可包括基础层、设置在基础层上并且包括晶体管和多个绝缘层的电路层、以及设置在电路层上并且包括电连接到晶体管的发光元件的显示层，其中晶体管包括包含氩(ar)的多晶硅层。
12、在实施例中，晶体管可包括包含源极、沟道和漏极的半导体图案、以及设置成与半导体图案重叠的栅极，其中半导体图案可为包含氩的多晶硅层。
13、在实施例中，电路层可包括设置在半导体图案与栅极之间的栅极绝缘层，栅极可隔着设置在栅极与半导体图案之间的栅极绝缘层设置在半导体图案的上侧上，并且半导体图案的与栅极绝缘层相邻的至少部分可包含氩。
14、在实施例中，多晶硅层的表面粗糙度可为约10nm或更小。
15、在实施例中，一种显示装置的制造方法可包括：提供基础层；在基础层上形成包括多个晶体管和多个绝缘层的电路层；以及在电路层上提供显示层，其中形成电路层可包括：在基础层上形成非晶硅层；将非晶硅层结晶化为初步多晶硅层；在初步多晶硅层上提供牺牲层；用氩掺杂牺牲层和初步多晶硅层；在掺杂的牺牲层和掺杂的初步多晶硅层上提供蚀刻剂；以及去除牺牲层并且降低初步多晶硅层的表面粗糙度以形成多晶硅层。
16、在实施例中，多个晶体管中的至少一个可包括多晶硅层。
17、在实施例中，形成电路层还可包括通过以下方式制造包括多晶硅层的晶体管：在多晶硅层上提供栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成与多晶硅层重叠的栅极；以及将多晶硅层形成为划分为源极、沟道和漏极的半导体图案。
18、在实施例中，结晶化非晶硅层可包括向非晶硅层提供准分子激光。
19、在实施例中，牺牲层可包括氧化硅(siox)。
20、在实施例中，牺牲层的平均厚度可在约至约的范围内。
21、在实施例中，掺杂牺牲层可包括在离子注入设备中用在约5kev至约80kev的范围内的加速电压和在约1.0e15至约1.0e20的范围内的剂量提供氩离子。
22、在实施例中，蚀刻剂可为包含氟化氢(hf)和氟化铵(nh4f)的酸性溶液。
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1.一种晶体管的制造方法，所述晶体管的制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，所述多晶硅层的上表面的表面粗糙度小于所述初步多晶硅层的所述上表面的表面粗糙度的50％。
3.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，在通过向非晶硅层提供准分子激光来执行结晶化的操作中形成所述初步多晶硅层。
4.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，所述牺牲层包括氧化硅。
5.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法，其中，所述牺牲层的平均厚度在至的范围内。
6.根据权利要求5所述的晶体管的制造方法，其中，提供所述氩离子包括：
7.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，所述蚀刻剂为包含氟化氢和氟化铵的酸性溶液。
8.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，掺杂的所述牺牲层的蚀刻速率与掺杂的所述初步多晶硅层的蚀刻速率的比例小于5.0。
9.一种显示装置，包括：
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述晶体管包括：
11.根据权利要求10所述的显
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多晶硅层的表面粗糙度为10nm或更小。
13.一种显示装置的制造方法，所述显示装置的制造方法包括：
14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述多个晶体管中的至少一个包括所述多晶硅层。
15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，形成所述电路层还包括：
16.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，结晶化所述非晶硅层包括：
17.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述牺牲层包括氧化硅。
18.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其中，所述牺牲层的平均厚度在至的范围内。
19.根据权利要求18所述的显示装置的制造方法，其中，掺杂所述牺牲层包括：
20.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述蚀刻剂为包含氟化氢和氟化铵的酸性溶液。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管的制造方法，所述晶体管的制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，所述多晶硅层的上表面的表面粗糙度小于所述初步多晶硅层的所述上表面的表面粗糙度的50％。
3.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，在通过向非晶硅层提供准分子激光来执行结晶化的操作中形成所述初步多晶硅层。
4.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，所述牺牲层包括氧化硅。
5.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法，其中，所述牺牲层的平均厚度在至的范围内。
6.根据权利要求5所述的晶体管的制造方法，其中，提供所述氩离子包括：
7.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，所述蚀刻剂为包含氟化氢和氟化铵的酸性溶液。
8.根据权利要求1所述的晶体管的制造方法，其中，掺杂的所述牺牲层的蚀刻速率与掺杂的所述初步多晶硅层的蚀刻速率的比例小于5.0。
9.一种显示装置，包括：
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述晶体管包括：
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