【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩模版及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体工艺中，需要采用光刻技术将掩模版的图案转移至晶圆上，其中，相移掩模版(phase shift mask，psm)具有更高的分辨率和聚焦深度，从而得到广泛应用。
2、相移掩模版通常包括透明衬底以及位于透明衬底上的相移层，不同的图案往往对相移层的透光率要求不同，因此，通常需要采用多张掩模版进行多次图案转移，以将不同的图案转移至同一晶圆上，如此，增加了工艺成本。
技术实现思路
1、本公开提供一种掩模版，包括：
2、衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述衬底还包括第一区域和第二区域；
3、第一相移结构，位于所述第二区域的第一表面；
4、第二相移结构，位于所述第一区域的第二表面；其中，所述第一相移结构和所述第二相移结构的透光率不同。
5、在一些实施例中，所述第二区域的第一表面相对于所述第一区域的第一表面沿垂直于第一表面的方向凹陷，以使所述第二区域的第一表面和所述第一区域的第一表面具有第一预设高度差，所述第一相移结构远离所述第二区域的表面与所述第一区域的第一表面齐平。
6、在一些实施例中，所述第一区域的第二表面相对于所述第二区域的第二表面沿垂直于第二表面的方向凹陷，以使所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第二表面具有第二预设高度差，所述第二相移结构远离所述第一区域的表面与所述第二区域的第二表面齐平。
7、
8、在一些实施例中，所述第一区域的第一表面与所述第二区域的第一表面齐平，所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第二表面齐平。
9、在一些实施例中，所述掩模版还包括：第一遮蔽结构和第二遮蔽结构，所述第一遮蔽结构覆盖部分所述第一相移结构并沿所述第二区域的边缘设置，所述第二遮蔽结构覆盖部分所述第二相移结构并沿所述第一区域的边缘设置。
10、在一些实施例中，所述第一相移结构的透光率大于所述第二相移结构的透光率，所述第一相移结构用于形成存储器的阵列区，所述第二相移结构用于形成存储器的核心区。
11、本公开还提供一种掩模版的制造方法，包括：
12、提供衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述衬底还包括第一区域和第二区域；
13、在所述衬底的第一表面上形成第一相移材料层，所述第一相移材料层至少覆盖所述第二区域，并在所述衬底的第二表面上形成第二相移材料层，所述第二相移材料层至少覆盖所述第一区域；其中，所述第一相移材料层和所述第二相移材料层的透光率不同；
14、刻蚀所述第一相移材料层以在所述第二区域的第一表面上形成第一相移结构，并刻蚀所述第二相移材料层以在所述第一区域的第二表面上形成第二相移结构。
15、在一些实施例中，在所述衬底的第一表面上形成第一相移材料层之前，还包括：
16、刻蚀所述第二区域的第一表面，以使所述第二区域的第一表面相对于所述第一区域的第一表面沿垂直于第一表面的方向凹陷，所述第二区域的第一表面和所述第一区域的第一表面具有第一预设高度差，位于所述第二区域的所述第一相移材料层远离所述第二区域的表面与所述第一区域的第一表面齐平。
17、在一些实施例中，在所述衬底的第二表面上形成第二相移材料层之前，还包括：
18、刻蚀所述第一区域的第二表面，以使所述第一区域的第二表面相对于所述第二区域的第二表面沿垂直于第二表面的方向凹陷，所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第二表面具有第二预设高度差，位于所述第一区域的所述第二相移材料层远离所述第一区域的表面与所述第二区域的第二表面齐平。
19、在一些实施例中，在刻蚀所述第一相移材料层以形成所述第一相移结构之前，还包括：形成第一遮蔽材料层，所述第一遮蔽材料层覆盖所述第一相移材料层；
20、刻蚀所述第一相移材料层以形成所述第一相移结构，包括：
21、在所述衬底的第一表面上形成第一图案化掩膜层；
22、以所述第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述第一遮蔽材料层和所述第一相移材料层至暴露所述衬底，以将所述第一图案化掩膜层的图案转移至所述第一遮蔽材料层和所述第一相移材料层，在所述第二区域的第一表面上分别形成第一遮蔽结构和第一相移结构；
23、所述方法还包括：去除位于所述第二区域的中间区域的所述第一遮蔽结构，保留的所述第一遮蔽结构沿所述第二区域的边缘设置。
24、在一些实施例中，在刻蚀所述第二相移材料层以形成所述第二相移结构之前，还包括：形成第二遮蔽材料层，所述第二遮蔽材料层覆盖所述第二相移材料层；
25、刻蚀所述第二相移材料层以形成所述第二相移结构，包括：
26、在所述衬底的第二表面上形成第二图案化掩膜层；
27、以所述第二图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述第二遮蔽材料层和所述第二相移材料层至暴露所述衬底，以将所述第二图案化掩膜层的图案转移至所述第二遮蔽材料层和所述第二相移材料层，在所述第一区域的第二表面上分别形成第二遮蔽结构和第二相移结构；
28、所述方法还包括：去除位于所述第一区域的中间区域的所述第二遮蔽结构，保留的所述第二遮蔽结构沿所述第一区域的边缘设置。
29、本公开实施例提供的掩模版及其制造方法，其中，掩模版包括：衬底，衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，衬底还包括第一区域和第二区域；第一相移结构，位于第二区域的第一表面；第二相移结构，位于第一区域的第二表面；其中，第一相移结构和第二相移结构的透光率不同。本公开实施例提供的掩模版包括位于衬底的第一表面上的第一相移结构以及位于衬底的第二表面上的第二相移结构，且第一相移结构的透光率和第二相移结构的透光率不同，如此，本公开实施例在同一掩模版上形成具有不同透光率的相移结构，满足了不同图案对相移结构透光率的不同要求，从而能够采用一张掩模版将不同的图案(例如点状图案和条状图案)同时转移到晶圆上，减少了掩模版的使用数量，进而减少了工艺步骤和工艺成本。
30、本公开的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本公开的其它特征和优点将从说明书附图变得明显。
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1.一种掩模版，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第二区域的第一表面相对于所述第一区域的第一表面沿垂直于第一表面的方向凹陷，以使所述第二区域的第一表面和所述第一区域的第一表面具有第一预设高度差，所述第一相移结构远离所述第二区域的表面与所述第一区域的第一表面齐平。
3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述第一区域的第二表面相对于所述第二区域的第二表面沿垂直于第二表面的方向凹陷，以使所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第二表面具有第二预设高度差，所述第二相移结构远离所述第一区域的表面与所述第二区域的第二表面齐平。
4.根据权利要求3所述的掩模版，其特征在于，所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第一表面齐平。
5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第一区域的第一表面与所述第二区域的第一表面齐平，所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第二表面齐平。
6.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括：第一遮蔽结构和第二遮蔽结构，所述第一遮蔽结构覆盖部分所述第一相移
7.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第一相移结构的透光率大于所述第二相移结构的透光率，所述第一相移结构用于形成存储器的阵列区，所述第二相移结构用于形成存储器的核心区。
8.一种掩模版的制造方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底的第一表面上形成第一相移材料层之前，还包括：
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底的第二表面上形成第二相移材料层之前，还包括：
11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述第一相移材料层以形成所述第一相移结构之前，还包括：形成第一遮蔽材料层，所述第一遮蔽材料层覆盖所述第一相移材料层；
12.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述第二相移材料层以形成所述第二相移结构之前，还包括：形成第二遮蔽材料层，所述第二遮蔽材料层覆盖所述第二相移材料层；
...【技术特征摘要】
1.一种掩模版，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第二区域的第一表面相对于所述第一区域的第一表面沿垂直于第一表面的方向凹陷，以使所述第二区域的第一表面和所述第一区域的第一表面具有第一预设高度差，所述第一相移结构远离所述第二区域的表面与所述第一区域的第一表面齐平。
3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述第一区域的第二表面相对于所述第二区域的第二表面沿垂直于第二表面的方向凹陷，以使所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第二表面具有第二预设高度差，所述第二相移结构远离所述第一区域的表面与所述第二区域的第二表面齐平。
4.根据权利要求3所述的掩模版，其特征在于，所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第一表面齐平。
5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第一区域的第一表面与所述第二区域的第一表面齐平，所述第一区域的第二表面和所述第二区域的第二表面齐平。
6.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括：第一遮蔽结构和第二遮蔽结构，所述第一遮蔽结...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓磊，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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