【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体测试结构及半导体结构的测试方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺节点先进性的不断提升，流片成本不断提高。随之基于先进工艺设计的模块，对于半导体工艺设计套件(process design kit，pdk)寄生参数仿真精度的要求也越来越高。
2、然而，对于相同密度(density)的电阻、同层电容只能进行分立监测，不能做到监测实际相同工艺下同一密度的电阻值和电容值，影响工艺设计套件中电容电阻文件仿真与实际工艺的拟合精度。并且，分立监测电阻、电容的测试结构通常浪费芯片面积，增加研发成本。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供了一种半导体测试结构及半导体结构的测试方法。
2、根据一些实施例，本申请提供了一种半导体测试结构，半导体测试结构包括互相绝缘的主测试结构及副测试结构；主测试结构包括主电阻结构、第一焊盘及第二焊盘，第一焊盘与主电阻结构的首端相连，第二焊盘连接至主电阻结构的末端；副测试结构包括副电阻结构以及第三焊盘，第三焊盘与副电阻结构相连；其中，副电阻结构包括多个跳线结构，跳线结构的正投影与主电阻结构的正投影至少部分重合。
3、在上述实施例的半导体测试结构中，半导体测试结构包括互相绝缘的主测试结构及副测试结构，副电阻结构包括多个跳线结构，跳线结构的正投影与主电阻结构的正投影至少部分重合，主测试结构的主电阻结构连接至第一焊盘及第二焊盘，副测试结构的副电阻结构连接至第三焊盘。如此，副测试结构不仅能够对主测
4、在一些实施例中，主电阻结构包括首端分支电阻、末端分支电阻以及多个首尾相接的主电阻单元，首端分支电阻与末端分支电阻位于主电阻单元的同侧；首端分支电阻的一端连接至首个主电阻单元的首端，另一端连接至第一焊盘；末端分支电阻的一端连接至最后一个主电阻单元的末端，另一端连接至第二焊盘。
5、在一些实施例中，主电阻单元包括u形电阻结构，及与u形电阻结构首尾相连的两个条形分支电阻；条形分支电阻沿第一方向延伸，且至少连接至前一个或后一个主电阻单元中的条形分支电阻。
6、在一些实施例中，跳线结构包括沿第二方向延伸的第一跳线电阻及第二跳线电阻；第一跳线电阻位于首个条形分支电阻沿第三方向的上方，第二跳线电阻位于最后一个条形分支电阻沿第三方向的上方，第三方向、第二方向与第一方向均垂直。
7、在一些实施例中，副电阻结构还包括第一子电阻结构及第二子电阻结构，第一子电阻结构及第二子电阻结构的正投影均与主电阻结构的正投影无重合；第一跳线电阻位于第一子电阻结构的首端及第二子电阻结构的首端之间；第二跳线电阻位于第一子电阻结构的末端及第二子电阻结构的末端之间。
8、在一些实施例中，第一子电阻结构包括多个第一副电阻单元及沿第一方向延伸的第一延伸分支，多个第一副电阻单元的首端分别连接至第一延伸分支；第二子电阻结构包括多个第二副电阻单元及沿第一方向延伸的第二延伸分支，多个第二副电阻单元的首端分别连接至第二延伸分支；第一副电阻单元沿第二方向延伸，且位于相邻的主电阻单元的两侧；第二副电阻单元沿第二方向延伸至主电阻单元内。
9、在一些实施例中，第二子电阻结构还包括中间延伸分支，中间延伸分支位于第二延伸分支的对称轴上，且沿第二方向延伸；中间延伸分支的首端连接至第二延伸分支，中间延伸分支的末端连接至第三焊盘。
10、在一些实施例中，第一子电阻结构还包括第一接触电极及第二接触电极，第一接触电极位于首个第一副电阻单元的末端，第二接触电极位于第二延伸分支的首端；第二子电阻结构还包括第三接触电极及第四接触电极，第三接触电极位于最后一个第一副电阻单元的末端，第四接触电极位于第二延伸分支的末端；第一跳线电阻的首末两端分别与第一接触电极及第二接触电极相连，第二跳线电阻的首末两端分别与第三接触电极及第四接触电极相连。
11、根据一些实施例，本申请还提供了一种半导体结构的测试方法，采用如上述实施例中的半导体测试结构对半导体结构的测试方法进行测试，方法包括：
12、向第一焊盘施加第一电压，向第二焊盘施加第二电压，向第三焊盘施加第三电压，获取第二焊盘的电流，以测试半导体结构的测试方法的电阻；及/或
13、向第一焊盘施加第四电压，向第二焊盘施加第五电压，向第三焊盘施加第六电压，获取第三焊盘的电流，以测试半导体结构的测试方法的电容。
14、在上述实施例的半导体结构的测试方法中，通过向第一焊盘施加第一电压，向第二焊盘施加第二电压，向第三焊盘施加第三电压，获取第二焊盘的电流，以测试半导体结构的测试方法的电阻，并通过向第一焊盘施加第四电压，向第二焊盘施加第五电压，向第三焊盘施加第六电压，获取第三焊盘的电流，以测试半导体结构的测试方法的电容，实现基于同一个半导体测试结构直接对半导体结构的电阻及同层电容进行测试。并且，上述测试方法可以对相同实际工艺下相同密度的半导体结构的电阻值、电容值进行监测，从而提高工艺设计套件中电阻电容文件仿真与实际工艺的拟合精度。
15、在一些实施例中，第一电压为0v，第二电压为1.8v，第三电压为0v；及/或第一电压为0v，第二电压为0v，第三电压为1.8v。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括互相绝缘的主测试结构及副测试结构；
2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述主电阻结构包括首端分支电阻、末端分支电阻以及多个首尾相接的主电阻单元，所述首端分支电阻与所述末端分支电阻位于所述主电阻单元的同侧；
3.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述主电阻单元包括U形电阻结构，及与所述U形电阻结构首尾相连的两个条形分支电阻；
4.根据权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述跳线结构包括沿第二方向延伸的第一跳线电阻及第二跳线电阻；
5.根据权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述副电阻结构还包括第一子电阻结构及第二子电阻结构，所述第一子电阻结构及所述第二子电阻结构的正投影均与所述主电阻结构的正投影无重合；
6.根据权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一子电阻结构包括多个第一副电阻单元及沿所述第一方向延伸的第一延伸分支，多个所述第一副电阻单元的首端分别连接至所述第一延伸分支；
7.根据权利要求6所述的半导体测试结构
8.根据权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一子电阻结构还包括第一接触电极及第二接触电极，所述第一接触电极位于所述首个第一副电阻单元的末端，所述第二接触电极位于所述第二延伸分支的首端；
9.一种半导体结构的测试方法，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的半导体测试结构对半导体结构的测试方法进行测试，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的测试方法，其特征在于，所述第一电压为0V，所述第二电压为1.8V，所述第三电压为0V；及/或
...【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括互相绝缘的主测试结构及副测试结构；
2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述主电阻结构包括首端分支电阻、末端分支电阻以及多个首尾相接的主电阻单元，所述首端分支电阻与所述末端分支电阻位于所述主电阻单元的同侧；
3.根据权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述主电阻单元包括u形电阻结构，及与所述u形电阻结构首尾相连的两个条形分支电阻；
4.根据权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述跳线结构包括沿第二方向延伸的第一跳线电阻及第二跳线电阻；
5.根据权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述副电阻结构还包括第一子电阻结构及第二子电阻结构，所述第一子电阻结构及所述第二子电阻结构的正投影均与所述主电阻结构的正投影无重合；
6.根据权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛美霞，张倩倩，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。