【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、由于各种电子组件的集成密度不断改进，半导体工业经历了持续的快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自于最小部件尺寸的重复减小，从而允许更多的组件集成至给定的芯片区中。随着最小部件尺寸减小，金属间连接层中的金属层布线也变得更加复杂。因此，存在解决上述问题的需求。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的前侧上形成半导体鳍；在所述半导体鳍上方形成牺牲栅极结构；蚀刻所述半导体鳍和所述衬底，以在所述牺牲栅极结构的两侧上形成第一源极/漏极凹槽和第二源极/漏极凹槽；在所述第一源极/漏极凹槽和所述第二源极/漏极凹槽中沉积第一掩埋源极/漏极部件和第二掩埋源极/漏极部件；在所述第一掩埋源极/漏极部件和所述第二掩埋源极/漏极部件上方形成第一半导体盖层和第二半导体盖层；在所述第一半导体盖层和所述第二半导体盖层上方形成第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；形成替换栅极结构；减薄所述衬底的背侧以暴露所述第一掩埋源极/漏极部件和所述第二掩埋源极/漏极部件；去除所述第一掩埋源极/漏极部件和所述第一半导体盖层，以暴露所述第一源极/漏极区域；以及在所述第一源极/漏极区域上形成第一背侧源极/漏极接触件。
2、本申请的另一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的前侧上形成半导体鳍，其中，所述半导体鳍包括由两个或多个第二半导体层介于其间的两个或多个第一半导体层；在所述衬底上和所述半导体鳍的
3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；半导体沟道，设置在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间，其中，所述半导体沟道包括两个或多个半导体层；栅极介电层，形成在所述两个或多个半导体层周围；栅电极层，设置在所述栅极介电层上；第一前侧源极/漏极接触件，设置在所述第一源极/漏极区域的正面上；第一背侧源极/漏极接触件，设置在所述第一源极/漏极区域的背面上；以及第二前侧源极/漏极接触件，设置在所述第二源极/漏极区域的正面上，其中，所述第二源极/漏极区域的背面具有凸形状。
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1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积所述介电填充层包括在所述介电填充层中形成气隙。
6.根据权利要求3所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
10.一种半导体器件，包括：
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积所述介电填充层包括在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张罗衡，苏焕杰，谌俊元，王圣璁，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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